【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、三维电子封装技术(3dic)通过将两层甚至更多芯片垂直堆叠、封装在一起。该技术可使堆叠的芯片的不同功能有机的整合到一起，进一步的提升芯片的功能。目前先进三维封装正往晶圆-晶圆混合键合的技术方向发展，相比芯片-晶圆、芯片-芯片键合，晶圆-晶圆键合具有产量更高，更容易提升性能等优点。但晶圆-晶圆键合往往对单片晶圆具有更高的要求，以保证键合成功率。这些要求包括晶圆翘曲，表面平整度，缺陷数量等等。其中比较至关重要的一条即是晶圆键合前的表面平整度，以及键合所需要的金属连接结构制作。
2、目前为满足键合工艺对晶圆的要求，有些厂商要求准备键合的晶圆在出厂前不进行良率测试和电性测试等测试，只在同一批出厂晶圆中抽测几片晶圆进行测试，这些晶圆将抽出不再进行键合。而准备键合的晶圆，则在顶层金属图形化后，进行钝化膜层镀膜及平坦化工艺，再进行用于键合的金属连接结构的制作。但此种方法的风险为不能在键合前确认每一个芯片是否功能正常，键合减薄工艺比较复杂，一旦在键合、减薄、背面工艺完成后测试整体功能时出现问题，有时难以确认是键合工艺出现问题，还是芯片本身就有问题。因此，有必要在键合前对晶圆的每一个芯片进行良率测试和电性测试等测试。
3、然而对晶圆进行测试需要打开测试开口，测试完成后打开测试开口的位置大大增加了用于键合的金属连接结构的制造难度，并且易导致晶圆键合或连通失败。因此，有必要提供更可靠、更有效的技术方案，避免晶圆键合或连通失败，提高器件可靠性。
>技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免晶圆键合或连通失败，提高器件可靠性。
2、本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成测试焊垫和金属层以及位于所述测试焊垫和所述金属层表面的保护层，所述测试焊垫包括主体部和延伸部；在所述基底表面和所述保护层表面依次形成第一介质层、钝化层和第二介质层；在所述保护层、第一介质层、钝化层和第二介质层中形成贯穿所述第二介质层、钝化层、第一介质层和保护层且分别电连接所述测试焊垫的延伸部和所述金属层的金属连接结构。
3、在本申请的一些实施例中，所述测试焊垫的延伸部为条状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈线性排列。
4、在本申请的一些实施例中，所述测试焊垫的延伸部包括块状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈矩阵排列。
5、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述保护层、第一介质层、钝化层和第二介质层中形成暴露所述测试焊垫的主体部的测试开口；通过所述测试焊垫的主体部对所述基底中的器件进行电性测试；在所述测试开口中形成填满所述测试开口的填充层。
6、在本申请的一些实施例中，在所述基底表面形成测试焊垫和金属层以及位于所述测试焊垫和所述金属层表面的保护层的方法包括：在所述基底表面依次形成金属材料层和保护材料层；刻蚀所述金属材料层和保护材料层形成所述测试焊垫、所述金属层和所述保护层。
7、在本申请的一些实施例中，所述基底包括晶圆和位于所述晶圆表面的层间介质层。
8、本申请的另一个方面还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底表面形成有测试焊垫和金属层以及位于所述测试焊垫和所述金属层表面的保护层，所述测试焊垫包括主体部和延伸部；第一介质层、钝化层和第二介质层，依次位于所述基底表面和所述保护层表面；金属连接结构，贯穿所述第二介质层、钝化层、第一介质层和保护层且分别电连接所述测试焊垫的延伸部和所述金属层。
9、在本申请的一些实施例中，所述测试焊垫的延伸部为条状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈线性排列。
10、在本申请的一些实施例中，所述测试焊垫的延伸部包括块状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈矩阵排列。
11、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：贯穿所述第二介质层、钝化层、第一介质层和保护层且与所述测试焊垫的主体部连接的填充层。
12、在本申请的一些实施例中，所述基底包括晶圆和位于所述晶圆表面的层间介质层。
13、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，将制作测试开口的位置和制作金属连接结构的位置区别开，这样测试开口不会再影响金属连接结构的制作，可以避免晶圆键合或连通失败，提高器件可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述测试焊垫的延伸部为条状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈线性排列。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述测试焊垫的延伸部包括块状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈矩阵排列。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底表面形成测试焊垫和金属层以及位于所述测试焊垫和所述金属层表面的保护层的方法包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括晶圆和位于所述晶圆表面的层间介质层。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述测试焊垫的延伸部为条状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈线性排列。>
9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述测试焊垫的延伸部包括块状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈矩阵排列。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：贯穿所述第二介质层、钝化层、第一介质层和保护层且与所述测试焊垫的主体部连接的填充层。
11.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括晶圆和位于所述晶圆表面的层间介质层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述测试焊垫的延伸部为条状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈线性排列。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述测试焊垫的延伸部包括块状结构，所述电连接所述测试焊垫的延伸部的金属连接结构在所述测试焊垫的延伸部呈矩阵排列。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底表面形成测试焊垫和金属层以及位于所述测试焊垫和所述金属层表面的保护层的方法包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：强力，阎大勇，赵娅俊，王金恩，史鲁斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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