【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体结构的不断发展，其关键尺寸不断减小，但由于光刻机的限制，其关键尺寸的缩小存在极限，因此如何在一片晶圆上做出更高存储密度的芯片，是众多科研工作者和半导体从业人员的研究方向。二维或平面半导体器件中，存储单元均是水平方向上排列，因此，二维或平面半导体器件的集成密度可以由单位存储单元所占据的面积决定，则二维或平面半导体器件的集成密度极大地受到形成精细图案的技术影响，使得二维或平面半导体器件的集成密度的持续增大存在极限。因而，半导体器件的发展走向三维半导体器件。
2、然而，随着对半导体结构的集成密度增加，相邻存储单元之间的间距变小使得相邻存储单元之间更易受到干扰，使得半导体结构的电学性能降低，从而难以在半导体结构的集成密度和导体结构的电学性能之间实现平衡。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于在提高半导体结构电学性能的同时，提高半导体结构的集成密度。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：沿第三方向延伸的半导体通道，沿垂直于所述第三方向的平面上，所述半导体通道的截面形状为l形，所述半导体通道包括相对的均沿所述第三方向延伸的第一l形侧壁和第二l形侧壁，所述第一l型侧壁包括沿第一方向延伸的第一面和沿第二方向延伸的第二面；第一栅极结构，与所述第一面接触连接；第二栅极结构，与所述第二面接触连接，所述第一栅极结构与所述第二栅极
3、在一些实施例中，沿所述第一方向间隔排布有多个所述半导体通道，且相邻所述半导体通道之间呈轴对称。
4、在一些实施例中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均与所述半导体通道一一对应；所述半导体结构还包括：第三栅极结构，与沿所述第一方向相邻的两个所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一端分别接触连接；第四栅极结构，与沿所述第一方向相邻的两个所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一端分别接触连接；至少一个所述第一栅极结构、至少一个所述第二栅极结构、至少一个所述第三栅极结构和至少一个所述第四栅极结构共同构成栅极结构。
5、在一些实施例中，沿所述第一方向相邻的三个所述半导体通道中，相邻的两个所述半导体通道与同一所述第二栅极结构接触连接，另外相邻的两个所述半导体通道与同一所述第一栅极结构接触连接，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿所述第一方向交替排布；至少一个所述第一栅极结构和至少一个所述第二栅极结构共同构成栅极结构。
6、在一些实施例中，沿所述第一方向间隔排布有多个所述半导体通道，且沿所述第一方向相邻的所述第二面之间具有一个所述第一面，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均与所述半导体通道一一对应，且一个所述第二栅极结构与沿所述第一方向上相邻的两个所述第一栅极结构接触连接；至少一个所述第一栅极结构和至少一个所述第二栅极结构共同构成栅极结构。
7、在一些实施例中，沿所述第二方向间隔排布有多个所述半导体通道，且沿所述第二方向间隔排布的多个所述半导体通道与多个所述栅极结构一一对应，沿所述第二方向上相邻的所述栅极结构之间具有间隔。
8、在一些实施例中，沿所述第二方向相邻的所述半导体通道之间呈中心对称或轴对称；同一所述位线与沿所述第二方向间隔排布的多个所述半导体通道接触连接。
9、在一些实施例中，沿所述第二方向相邻的所述半导体通道之间呈中心对称，将沿所述第二方向相邻的两个所述半导体通道作为参考结构，所述参考结构中两个所述第二面位于两个所述第一面的间隔中；所述半导体结构还包括：第一隔离层，与所述参考结构中两个所述第二l形侧壁均接触连接；第二隔离层，位于沿所述第一方向上相邻的所述第一隔离层之间；所述第一隔离层和所述第二隔离层接触连接，且所述第一隔离层和所述第二隔离层沿所述第一方向上交替排布。
10、在一些实施例中，沿所述第二方向上，所述第一隔离层的长度为第一长度，所述第二隔离层的长度为第二长度，所述第二长度和所述第一长度的比值范围为1/2～2/3。
11、在一些实施例中，所述栅极结构包括栅介质层和栅极，所述栅介质层位于所述第一面和所述第二面，所述栅介质层与所述半导体通道一一对应，沿垂直于所述第三方向的平面上，所述栅介质层的截面形状为l形；所述栅极位于所述栅介质层远离所述半导体通道的一侧。
12、在一些实施例中，所述位线包括沿所述第一方向相互间隔的第一子位线和第二子位线，所述第一子位线和所述第二子位线均沿所述第二方向延伸；所述半导体结构还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述第一子位线和所述第二子位线之间。
13、在一些实施例中，所述半导体通道的材料包括硅或者锗化硅。
14、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：电容结构，至少与所述半导体通道沿所述第三方向远离所述位线的一侧接触连接。
15、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，包括：形成沿第三方向延伸的半导体通道，沿垂直于所述第三方向的平面上，所述半导体通道的截面形状为l形，所述半导体通道包括相对的均沿所述第三方向延伸的第一l形侧壁和第二l形侧壁，所述第一l型侧壁包括沿第一方向延伸的第一面和沿第二方向延伸的第二面；形成接触连接的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构与所述第一面接触连接，所述第二栅极结构与所述第二面接触连接，沿垂直于所述第三方向的平面上，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构组成的组合结构的截面形状为l形；形成沿所述第二方向延伸的位线，所述位线位于所述半导体通道沿所述第三方向上的一侧；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交。
16、在一些实施例中，形成所述半导体通道的步骤包括：形成沿所述第一方向和/或所述第二方向间隔排布的半导体柱；在所述半导体柱沿所述第三方向延伸的侧壁上形成所述半导体通道，一所述半导体柱与两个所述半导体通道接触连接，其中，与同一所述半导体柱接触连接的两个所述半导体通道呈中心对称，和/或，沿所述第一方向上相邻的所述半导体通道呈轴对称。
17、在一些实施例中，所述半导体柱沿所述第二方向上具有相对的第一侧和第二侧，所述半导体柱在所述第二方向上的长度为第三长度；在形成所述半导体柱之后，在形成所述半导体通道之前，还包括：形成第三隔离层和第四隔离层，所述第三隔离层和所述第四隔离层交替位于沿所述第一方向上相邻的所述半导体柱之间；其中，所述第三隔离层沿所述第三方向上延伸的一个侧壁与所述第一侧齐平，且所述第三隔离层在所述第二方向上的长度小于所述第三长度；所述第四隔离层沿所述第三方向上延伸的一个侧壁与所述第二侧齐平，且所述第四隔离层在所述第二方向上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向间隔排布有多个所述半导体通道，且相邻所述半导体通道之间呈轴对称。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均与所述半导体通道一一对应；所述半导体结构还包括：
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向相邻的三个所述半导体通道中，相邻的两个所述半导体通道与同一所述第二栅极结构接触连接，另外相邻的两个所述半导体通道与同一所述第一栅极结构接触连接，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿所述第一方向交替排布；
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向间隔排布有多个所述半导体通道，且沿所述第一方向相邻的所述第二面之间具有一个所述第一面，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均与所述半导体通道一一对应，且一个所述第二栅极结构与沿所述第一方向上相邻的两个所述第一栅极结构接触连接；
6.如权利要求3至5任一项所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向间隔排布有多个所
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向相邻的所述半导体通道之间呈中心对称或轴对称；
8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向相邻的所述半导体通道之间呈中心对称，将沿所述第二方向相邻的两个所述半导体通道作为参考结构，所述参考结构中两个所述第二面位于两个所述第一面的间隔中；所述半导体结构还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向上，所述第一隔离层的长度为第一长度，所述第二隔离层的长度为第二长度，所述第二长度和所述第一长度的比值范围为1/2～2/3。
10.如权利要求3至5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅极，所述栅介质层位于所述第一面和所述第二面，所述栅介质层与所述半导体通道一一对应，沿垂直于所述第三方向的平面上，所述栅介质层的截面形状为L形；所述栅极位于所述栅介质层远离所述半导体通道的一侧。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线包括沿所述第一方向相互间隔的第一子位线和第二子位线，所述第一子位线和所述第二子位线均沿所述第二方向延伸；所述半导体结构还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述第一子位线和所述第二子位线之间。
12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体通道的材料包括硅或者锗化硅。
13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：电容结构，至少与所述半导体通道沿所述第三方向远离所述位线的一侧接触连接。
14.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，形成所述半导体通道的步骤包括：
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述半导体柱沿所述第二方向上具有相对的第一侧和第二侧，所述半导体柱在所述第二方向上的长度为第三长度；在形成所述半导体柱之后，在形成所述半导体通道之前，还包括：
17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述第三隔离层在所述第二方向上的长度与所述第三长度的比值范围为1/2～2/3，和/或，所述第四隔离层在所述第二方向上的长度与所述第三长度的比值范围为1/2～2/3。
18.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，在形成所述半导体柱之前，还包括：
19.如权利要求18所述的制造方法，其特征在于，形成所述半导体通道之后，形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的步骤包括：
20.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，在形成所述半导体通道和所述栅极结构之前，形成所述位线；形成所述位线的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向间隔排布有多个所述半导体通道，且相邻所述半导体通道之间呈轴对称。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均与所述半导体通道一一对应；所述半导体结构还包括：
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向相邻的三个所述半导体通道中，相邻的两个所述半导体通道与同一所述第二栅极结构接触连接，另外相邻的两个所述半导体通道与同一所述第一栅极结构接触连接，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿所述第一方向交替排布；
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向间隔排布有多个所述半导体通道，且沿所述第一方向相邻的所述第二面之间具有一个所述第一面，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均与所述半导体通道一一对应，且一个所述第二栅极结构与沿所述第一方向上相邻的两个所述第一栅极结构接触连接；
6.如权利要求3至5任一项所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向间隔排布有多个所述半导体通道，且沿所述第二方向间隔排布的多个所述半导体通道与多个所述栅极结构一一对应，沿所述第二方向上相邻的所述栅极结构之间具有间隔。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向相邻的所述半导体通道之间呈中心对称或轴对称；
8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向相邻的所述半导体通道之间呈中心对称，将沿所述第二方向相邻的两个所述半导体通道作为参考结构，所述参考结构中两个所述第二面位于两个所述第一面的间隔中；所述半导体结构还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向上，所述第一隔离层的长度为第一长度，所述第二隔离层的长度为第二长度，所述第二长度和所述第一长度的比值范围为1/2～2/3。
10.如权利要求3至5任...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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