【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电压产生电路,尤其是涉及一种带隙基准电压产生电路。
技术介绍
模拟电路中需要具有低温度飘移特性和高电源电压抑制比的基准电压产生电路,以提供基准电压Vref。带隙基准电压源凭借低温度飘移特性和 高电源电压抑制比的优势在模拟电路及数模混合电路中得到了广泛的应 用,例如A/D, D/A转换器、存储器等。带隙基准电压产生电路利用具有负温度特性的PN结正向导通电压和具 有正温度特性的两个PN结正向导通电压差,按照一定的比例叠加,两者的 正负温度系数互相抵消,产生具有非常小温度漂移特性的带隙基准电压。 传统的带隙基准电压产生电路产生的电压为1.25V左右。随着集成电路工艺 的发展,工艺特征尺寸不断降低,器件的可靠性所允许的工作电压也逐步 降低,以及环保、便携式产品的要求也使得系统的工作电压越来越低。传 统的带隙基准电压产生电路的最小工作电压不能低于它的输出电压1.25V。《固体电路月刊》(Journal of Solid-State Circuits,简称JSSC) 1999年5月号 刊登Hironori Banba的论文"ACMOS Bandgap Refere ...
【技术保护点】
一种带隙基准电压产生电路,包括具有至少三个电流通路的电流镜电路、反馈控制电路;所述电流镜电路的第一电流通路包括串联的第一MOS晶体管、第一双极型晶体管以及与第一双极型晶体管并联的第一电阻,第二电流通路包括依次串联的第二MOS晶体管、第三电阻、第二双极型晶体管网络以及与第三电阻、第二双极型晶体管网络并联的第二电阻,第三电流通路包括串联的第三MOS晶体管和第四电阻;所述反馈控制电路的输出端与第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和第三MOS晶体管的栅极连接,反馈控制电路的输入端与第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的漏极分别连接;其特征在于: 还包括第五电阻,所述第五电阻与第一 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:付璟军,齐良颉,张欣,
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]
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