CMOS基准电压源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低温度系数的、适于在ＣＭＯＳ工艺上实现的ＣＭＯＳ基准电压源。包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Ｖｄｄ，主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端，主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路的基准电压输出端输出基准电压。本实用新型专利技术电路中不包含三极管，只包含ＮＭＯＳ管、ＰＭＯＳ管、电阻、电容四种器件，因此，具有结构简单的优点，在ＣＭＯＳ工艺线上实现方便、有效、兼容性好，不存在放大器失调的问题。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ基准电压源，其特征在于：包括启动电路（１），主偏置电流产生电路（２），基准电压产生电路（３）；启动电路（１），主偏置电流产生电路（２），基准电压产生电路（３）的直流电输入端分别连接直流电源Ｖｄｄ，主偏置电流产生电路（２）的输入端连接启动电路（１）的输出端，主偏置电流产生电路（２）的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路（３）的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路（３）的基准电压输出端输出基准电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，夏晓娟，徐申，李海松，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]