【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种参考电压电路及包含该电路的共栅结构前端放大电路。
技术介绍
在电子电路中，尤其在模拟和混合信号电路中参考电压电路起着不可或缺的作用。 传统的参考电压电路一般由带隙基准产生，它与工艺、电源电压和温度基本无关，所用面 积大、成本较高。在一些特殊应用中，参考电压需要随输入信号的变化而变化或随电路静 态工作点变化而变化，这样传统的产生恒定电压的参考电压电路就有局限性了。图1所示 为共栅结构前端放大电路，由一个开环应用的共栅放大器和一个比较器组成，如果电源电 压VDD改变，共栅放大电路的输出信号CG—OUT的静态点也会改变，这样就对后级的 比较电路中的参考电压Vref提出了可变的要求，不然就会造成信号的失真问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种参考电压电路及包含该电路的共栅结构前端放大电路，它 克服了现有技术的不足，能通过参考电压电路跟踪共栅放大电路的静态工作点，使得后级 比较器的参考电压能在不同电源电压VDD下准确提供。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案一种参考电压电路，其特征在于包括一第三电流源、 一第六PMOS管、 一第五NMOS...
【技术保护点】
一种参考电压电路，其特征在于包括一第三电流源（Ｉ３）、一第六ＰＭＯＳ管（Ｍ６）、一第五ＮＭＯＳ管（Ｍ５）、一可变电阻（Ｒ５）和一第六电阻（Ｒ６），第三电流源（Ｉ３）的输入端连接电源电压（ＶＤＤ），其输出端连接第六ＰＭＯＳ管（Ｍ６）的源极，第六ＰＭＯＳ管（Ｍ６）的漏极连接第五ＮＭＯＳ管（Ｍ５）的漏极形成参考电压输出端（Ｖｒｅｆ），可变电阻（Ｒ５）和第六电阻（Ｒ６）依次串联在第五ＮＭＯＳ管（Ｍ５）的源极和接地端之间，第五ＮＭＯＳ管（Ｍ５）的栅极连接第一偏置电压（Ｖｂｉａｓ１），第六ＰＭＯＳ管（Ｍ６）的栅极连接第二偏置电压（Ｖｂｉａｓ２）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志明，谢卫国，石万文，江石根，杜坦，
申请(专利权)人：苏州华芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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