一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源制造技术

本发明专利技术公开了一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源，其特征在于，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，极性电容C4，二极管D3，与处理芯片U相连接的电压调整电路，串接在电压调整电路与处理芯片U的VDD+管脚之间的比较放大电路，分别与场效应管MOS1的源极和处理芯片U相连接的恒流驱动电路，以及与场效应管MOS1的漏极相连接的脉冲触发电路组成。本发明专利技术能对输入电压和电流因外部电磁波干扰产生的瞬间高电压和瞬间高电流进行消除或衰减，使电压和电流的传输动态保持平稳，从而确保了本发明专利技术能输出稳定的电压和电流，且有效的确保了电器的正常使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体的说，是一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源。
技术介绍
随着现代科技的不断发展，电器的种类越来越多，其已成为人们生活中不可缺少的生活必须品。人们在选择某种电器时多着重于该电器的工作性能是否稳定，而电器的性能稳定则取决于该电器所用电源的输出电压和电流是否稳定。然而，目前的电器所用电源因受外界电磁波的干扰而存在输出电压和电流不稳定的问题，常出现电压和电流过高或过低的现象，而导致电器无法正常的使用，从而严重影响人们的生产和生活。因此，提供一种能输出稳定的电压和电流的电器用电源便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的电器用电源存在输出电压和电流不稳定的缺陷，提供的一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与处理芯片U的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接后接地、P极与处理芯片U的VSS管脚相连接的二极管D3，与处理芯片U相连接的电压调整电路，串接在电压调整电路与处理芯片U的VDD+管脚之间的比较放大电路，分别与场效应管MOS1的源极和处理芯片U相连接的恒流驱动电路，以及与场效应管MOS1的漏极相连接的脉冲触发电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述电压调整电路与恒流驱动电路相连接。所述比较放大电路由放大器P2，三极管VT4三极管VT5，正极经电阻R17后与放大器P2的正极相连接、负极作为比较放大电路的输入端并与电压调整电<br>
路相连接的极性电容C11，N极经电阻R21后与放大器P2的输出端相连接、P极经电阻R16后与极性电容C11的正极相连接的二极管D6，负极经电阻R18后与极性电容C11的正极相连接、正极经电阻R20后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C12，N极与放大器P2的输出端相连接、P极经电阻R19后与放大器P2的负极相连接的二极管D7，N极经电阻R26后与三极管VT5的集电极相连接、P极经电阻R22后与放大器P2的输出端相连接的二极管D8，正极与二极管D8的N极相连接、负极经电阻R27后接地的极性电容C15，一端与放大器P2的输出端相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接的可调电阻R23，正极与三极管VT5的发射极相连接、负极经电阻R25后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C14，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极电阻R24后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C13组成；所述三极管VT4的基极与极性电容C13的负极相连接、其发射极接地、以及其集电极与三极管VT5的基极相连接；所述极性电容C12的负极接地；所述二极管D8的N极作为比较放大电路的输出端并与处理芯片U的VDD+管脚相连接。所述电压调整电路由放大器P1，三极管VT1，P极经电阻R5后与放大器P1的输出端相连接、N极经电阻R1后与放大器P1的正极相连接的二极管D2，正极与三极管VT1的基极相连接、负极与二极管D2的N极共同形成电压调整电路的输入端的极性电容C1，负极与处理芯片U的VDD-管脚相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C3，正极与经电阻R2后与三极管VT1的基极相连接、负极接地的极性电容C2，以及N极经可调电阻R4后与处理芯片U的VDD-管脚相连接、P极与极性电容C2的正极相连接的稳压二极管D1组成；所述放大器P1的负极与三极管VT1的发射极相连接、其输出端与极性电容C11的负极相连接；所述二极管D2的P极与恒流驱动电路相连接。所述脉冲触发电路由与非门IC1，与非门IC2，三极管VT3，正极经电阻R7后与与非门IC1的负极相连接、负极与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C6，负极经电阻R11后与三极管VT3的发射极相连接、正极与与非门IC1
的正极相连接的极性电容C7，P极经热敏电阻R13后与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R14后与三极管VT3的基极相连接的发光二极管VL，以及负极经电阻R15后与发光二极管VL的N极相连接、正极与与非门IC2的输出端相连接的极性电容C10组成；所述与非门IC的输出端与三极管VT3的发射极相连接；所述与非门IC2的正极与三极管VT3的集电极的相连接，该与非门IC2的负极接地；所述发光二极管VL的P极作为脉冲触发电路的输出端。所述恒流驱动电路由三极管VT2，场效应管MOS2，N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R6后与处理芯片U的FB管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS2的漏极相连接、正极经电阻R8后与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C8，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极与极性电容C8的正极相连接的极性电容C5，负极经电阻R9后与极性电容C8的正极相连接、正极经电阻R12后与场效应管MOS2的栅极相连接的极性电容C9，一端与场效应管MOS2的漏极相连接、另一端与极性电容C9的负极相连接后接地的可调电阻R10，以及N极与场效应管MOS2的源极相连接、P极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT2的集电极接地；所述场效应管MOS2的源极作为恒流驱动电路的输出端；所述极性电容C8的正极与二极管D2的P极相连接。为了本专利技术的实际使用效果，所述处理芯片U则优先采用S-K355集成芯片来实现。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术能对输入电压和电流因外部电磁波干扰产生的瞬间高电压和瞬间高电流进行消除或衰减，使电压和电流的传输动态保持平稳，从而确保了本专利技术能输出稳定的电压和电流，且有效的确保了电器的正常使用。(2)本专利技术能有效的增加电信号幅度或功率，从而提高了本专利技术的负载能力。(3)本专利技术的处理芯片优先采用S-K355集成芯片来实现，该处理芯片具有工作稳定、过热保护、短路保护等功能，该处理芯片与外围电路相结合后能有
效的提高本专利技术的电压和电流输出的稳定性。(4)本专利技术能在输出电流的浪涌电流进行限制，从而提高本专利技术输出电流的稳定性，且有效的避免了电器被损坏。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的比较放大电路的电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例及其附图对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由处理芯片U，场效应管MOS1，电阻R6，极性电容C4，二极管D3，比较放大电路，电压调整电路，恒流驱动电路，以及脉冲触发电路组成。实施时，极性电容C4的负极与场效应管MOS1的栅极相连接、其正极与处理芯片U的EXT管脚相连接。二极管D3的N极与场效应管MOS1的漏极相连接后接地、其P极与处理芯片U的VSS管脚相连接。电压调整电路与处理芯片U相连接。比较放大电路串接在电压调整电路与处理芯片U的VDD+管脚之间。恒流驱动电路分别与场效应管MOS1的源极和处理芯片U相连接。脉冲触发电路与场效应管MOS1的漏极相连接。所述处理芯片U的GND管脚接地；所述电压调整电路与恒流驱动电路相连接。进一步地，所述电压调整电路由放大器P1，三极管VT1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，可调电阻R4，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源，其特征在于，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与处理芯片U的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接后接地、P极与处理芯片U的VSS管脚相连接的二极管D3，与处理芯片U相连接的电压调整电路，串接在电压调整电路与处理芯片U的VDD+管脚之间的比较放大电路，分别与场效应管MOS1的源极和处理芯片U相连接的恒流驱动电路，以及与场效应管MOS1的漏极相连接的脉冲触发电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述电压调整电路与恒流驱动电路相连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源，其特征在于，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与处理芯片U的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接后接地、P极与处理芯片U的VSS管脚相连接的二极管D3，与处理芯片U相连接的电压调整电路，串接在电压调整电路与处理芯片U的VDD+管脚之间的比较放大电路，分别与场效应管MOS1的源极和处理芯片U相连接的恒流驱动电路，以及与场效应管MOS1的漏极相连接的脉冲触发电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述电压调整电路与恒流驱动电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源，其特征在于，所述比较放大电路由放大器P2，三极管VT4三极管VT5，正极经电阻R17后与放大器P2的正极相连接、负极作为比较放大电路的输入端并与电压调整电路相连接的极性电容C11，N极经电阻R21后与放大器P2的输出端相连接、P极经电阻R16后与极性电容C11的正极相连接的二极管D6，负极经电阻R18后与极性电容C11的正极相连接、正极经电阻R20后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C12，N极与放大器P2的输出端相连接、P极经电阻R19后与放大器P2的负极相连接的二极管D7，N极经电阻R26后与三极管VT5的集电极相连接、P极经电阻R22后与放大器P2的输出端相连接的二极管D8，正极与二极管D8的N极相连接、负极经电阻R27后接地的极性电容C15，一端与放大器P2的输出端相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接的可调电阻R23，正极与三极管VT5的发射极相连接、负极经电阻R25后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C14，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极电阻R24后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C13组成；所述三极管VT4的基极与极性电容C13的负极相连接、其发射极接地、以及其集电极与三极管VT5的基极相连接；所述极性电容C12的负极接地；所述二极管D8的N极作为比较放大电路的输出端并与处理芯片U的VDD+管脚相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于比较放大电路的电压调整型恒流电源，其特征在于，所述电压调整电路由放大器P1，三极管VT1，P极经电阻R5后与
\t放大器P1的输出端相连接、N极经电阻R1后与放大器P1的正极相连接的二极管D2，正极与三极管VT1的基极相连接、负极与二极管D2的N极共同形成电压调整电路的输入端的...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都塞普奇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51