一种基于恒流电路的功率放大式逻辑系统技术方案

技术编号:11989955 阅读:119 留言:0更新日期:2015-09-02 18:28
本发明专利技术公开了一种基于恒流电路的功率放大式逻辑系统,其由功率逻辑放大电路,与该功率逻辑放大电路相连接的开关功率放大电路,以及串接在功率逻辑放大电路与开关功率放大电路之间的逻辑开关电路组成;其特征在于:在开关功率放大电路的输出端还连接有恒流电路;本发明专利技术的整体结构较为简单,便于制作和推广应用。同时,本发明专利技术能有效的降低放大信号的衰减幅度,从而确保放大信号的性能。另外,本发明专利技术在进行功率驱动放大后还可以保持恒定的电流输出,由此则大大提高了本发明专利技术的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种放大电路,具体是指一种基于恒流电路的功率放大式逻辑系统
技术介绍
目前,功率放大电路的运用非常广泛,其主要是根据需求将相关的电压信号、电流信号及其他脉冲信号进行功率放大。然而,传统的功率放大电路在进行功率驱动放大后,其电流则无法保持恒定值,因此在很大程度中制约了其使用范围。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统的功率放大电路在进行功率驱动放大后,其电流则无法保持恒定的缺陷,提供一种基于恒流电路的功率放大式逻辑系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于恒流电路的功率放大式逻辑系统,其由功率逻辑放大电路,与该功率逻辑放大电路相连接的开关功率放大电路,以及串接在功率逻辑放大电路与开关功率放大电路之间的逻辑开关电路组成,为了达到本专利技术的目的,本专利技术在开关功率放大电路的输出端还连接有恒流电路。所述的恒流电路由运算放大器P3,运算放大器P4,场效应管MOSl,场效应管MOS2,场效应管MOS3,三极管Q4,三极管Q5,一端与场效应管MOSl的漏极相连接、另一端接地的电阻R15,P极与场效应管MOSl的源极相连接、N极则顺次经电阻R14和电阻R16后与场效应管M0S2的漏极相连接的二极管D3,正极与电阻R14和电阻R16的连接点相连接、负极接地的极性电容C6,一端与极性电容C6的正极相连接、另一端则与场效应管M0S3的漏极相连接的电阻R17,正极与二极管D3的P极相连接、负极则与三极管Q5的基极相连接的极性电容C7,以及一端与三极管Q5的集电极相连接、另一端接地的电阻R18组成;所述场效应管MOSl的栅极与开关功率放大电路相连接、其源极则与运算放大器P3的正极相连接;运算放大器P3的负极与场效应管M0S2的漏极相连接、其正极则与运算放大器P4的正极相连接、其输出端则与场效应管M0S2的栅极相连接;所述三极管Q4的基极分别与场效应管M0S2的源极以及三极管Q5的发射极相连接、其发射极则与场效应管M0S3的源极相连接、其集电极接地;所述运算放大器P4的输出端与场效应管M0S3的栅极相连接、其负极则与场效应管M0S3的漏极相连接;所述极性电容C6的正极还与开关功率放大电路相连接。所述功率逻辑放大电路由功率放大器P1,与非门IC1,与非门IC2,N极与功率放大器Pl的输出端相连接、P极经电阻R12后与与非门ICl的负极输入端相连接的二极管D2,一端与与非门ICl的正极输入端相连接、另一端经电容C2后与与非门IC2的输出端相连接的电阻R13,一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与电阻R13和电容C2的连接点相连接的电阻R10,以及一端与功率放大器Pl的负极输入端相连接、另一端接地的电阻Rll组成;所述功率放大器Pl的输出端与开关功率放大电路相连接,而与非门IC2的输出端则与逻辑开关电路相连接,同时,与非门ICl的输出端还与与非门IC2的正极输入端相连接,与非门IC2的负极输入端与功率放大器Pl的正极输入端一起形成总输入端。所述开关功率放大电路由功率放大器P2,功率放大器P3,串接在功率放大器P2的输出端与负极输入端之间的电阻Rl和电容Cl,基极与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R3后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q1,基极与三极管Ql的发射极相连接、集电极经电阻R4后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q2,正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q2的发射极相连接并接地的电容C3,以及N极与三极管Ql的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管Dl组成;所述功率放大器P2的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接,三极管Q2的基极还与逻辑开关电路相连接、其发射极则与场效应管MOSl的栅极相连接,而功率放大器P3的输出端则与极性电容C6的正极相连接。所述逻辑开关电路由与非门IC3,与非门IC4,三极管Q3,一端与与非门IC3的输出端相连接、另一端经电阻R5后与三极管Q3的集电极相连接的电阻R2,一端与与非门IC4的输出端相连接、另一端经电阻R6后与三极管Q3的基极相连接的电阻R9,与电阻R6相并联的电容C5,一端与三极管Q3的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R7,一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R8,以及与电阻R8相并联的电容C4组成;所述与非门IC2的输出端则分别与与非门IC3的正极输入端和与非门IC4的负极输入端相连接,与非门IC3的负极输入端与与非门IC4的正极输入端相连接;所述三极管Q2的基极则与电阻R2和电阻R5的连接点相连接。所述电容Cl和电容C2均为贴片电容,而电容C3、电容C4和电容C5则均为电解电容。本专利技术较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术的整体结构较为简单,便于制作和推广应用。(2)本专利技术能有效的降低放大信号的衰减幅度,从而确保放大信号的性能。(3)本专利技术能有效的降低外部电磁环境的干扰,从而避免放大信号参杂其余的电磁波,保证放大信号的纯度。(4)本专利技术在进行功率驱动放大后还可以保持恒定的电流输出,由此则大大提高了本专利技术的应用范围。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示,本专利技术由功率逻辑放大电路,与该功率逻辑放大电路相连接的开关功率放大电路,以及串接在功率逻辑放大电路与开关功率放大电路之间的逻辑开关电路组成,为了达到本专利技术的目的,本专利技术在开关功率放大电路的输出端还连接有恒流电路。其中,恒流电路为本专利技术的重点所在,其包括运算放大器P3,运算放大器P4,场效应管MOSl,场效应管MOS2,场效应管MOS3,三极管Q4,三极管Q5。为了达到预期的效果,该恒流电路还包括有一端与场效应管MOSl的漏极相连接、另一端接地的电阻R15,P极与场效应管MOSl的源极相连接、N极则顺次经电阻R14和电阻R16后与场效应管M0S2的漏极相连接的二极管D3,正极与电阻R14和电阻R16的连接点相连接、负极接地的极性电容C6,一端与极性电容C6的正极相连接、另一端则与场效应管M0S3的漏极相连接的电阻R17,正极与二极管D3的P极相连接、负极则与三极管Q5的基极相连接的极性电容C7,以及一端与三极管Q5的集电极相连接、另一端接地的电阻R18。其在连接时,该场效应管MOSl的栅极与开关功率放大电路相连接、其源极则与运算放大器P3的正极相连接。运算放大器P3的负极与场效应管M0S2的漏极相连接、其正极则与运算放大器P4的正极相连接、其输出端则与场效应管M0S2的栅极相连接。所述三极管Q4的基极分别与场效应管M0S2的源极以及三极管Q5的发射极相连接、其发射极则与场效应管M0S3的源极相连接、其集电极接地;所述运算放大器P4的输出端与场效应管M0S3的栅极相连接、其负极则与场效应管M0S3的漏极相连接。所述极性电容C6的正极还与开关功率放大电路相连接,由此则构成完整的恒流电路。其中,运算放大器P3,运算放大器P4,场效应管M0S2以及场效应管M0S3构成一个稳定的恒流器。而电阻R16和电阻R17的阻值设置为相等,本实施例设置为IK Ω,因为电阻R16和电阻R17的阻值相等,所以其所输入到场效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于恒流电路的功率放大式逻辑系统,其由功率逻辑放大电路,与该功率逻辑放大电路相连接的开关功率放大电路,以及串接在功率逻辑放大电路与开关功率放大电路之间的逻辑开关电路组成;其特征在于:在开关功率放大电路的输出端还连接有恒流电路;所述的恒流电路由运算放大器P3,运算放大器P4,场效应管MOS1,场效应管MOS2,场效应管MOS3,三极管Q4,三极管Q5,一端与场效应管MOS1的漏极相连接、另一端接地的电阻R15,P极与场效应管MOS1的源极相连接、N极则顺次经电阻R14和电阻R16后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D3,正极与电阻R14和电阻R16的连接点相连接、负极接地的极性电容C6,一端与极性电容C6的正极相连接、另一端则与场效应管MOS3的漏极相连接的电阻R17,正极与二极管D3的P极相连接、负极则与三极管Q5的基极相连接的极性电容C7,以及一端与三极管Q5的集电极相连接、另一端接地的电阻R18组成;所述场效应管MOS1的栅极与开关功率放大电路相连接、其源极则与运算放大器P3的正极相连接;运算放大器P3的负极与场效应管MOS2的漏极相连接、其正极则与运算放大器P4的正极相连接、其输出端则与场效应管MOS2的栅极相连接;所述三极管Q4的基极分别与场效应管MOS2的源极以及三极管Q5的发射极相连接、其发射极则与场效应管MOS3的源极相连接、其集电极接地;所述运算放大器P4的输出端与场效应管MOS3的栅极相连接、其负极则与场效应管MOS3的漏极相连接;所述极性电容C6的正极还与开关功率放大电路相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:周云扬
申请(专利权)人:成都冠深科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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