提供温度补偿的输出电压的参考电压发生器制造技术

本发明专利技术涉及一种提供参考电压（Ｖｒｅｆ＿ｎｅｗ）的参考电压发生器（４０）。电压发生器（３０）在小于硅带隙电压的电源电压（Ｖｄｄ）操作。它包括用作跨导器（Ｇｐｔａｔ）的ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）。提供了用于把漏极电流（Ｉ↓［ｐｔａｔ］）馈入所述ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）的漏极的输入节点，而且输出节点与所述ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）的漏极和栅极相连。电流发生器（４２）允许ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）在特定模式下操作，其中漏极电流（Ｉ↓［ｐｔａｔ］）具有正温度系数（α↓［ｐｔａｔ］）且跨导器（Ｇｐｔａｔ）具有负温度系数（α↓［ＧＭ］）。选择ＭＯＳＦＥＴ晶体管的尺寸（Ｗ，Ｌ），以使所述负温度系数（α↓［ＧＭ］）接近所述正温度系数（α↓［ｐｔａｔ］），以使所述输出节点处提供的所述参考电压（Ｖｒｅｆ＿ｎｅｗ）得到温度补偿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种提供稳定的输出电压的电压发生器。
技术介绍
多种CMOS和BiCOMS IC包括大型数字核心和一些模拟外围功能元 件。典型地，这些模拟功能元件包括参考电路，除了别的之外，用于 模拟块，用于提供电源电压调整，并且用于特定的数字电路(例如加 电重启电路)。具有低温度系数的电压参考电路最广泛使用的实现是所 谓的带隙(bandgap)参考电路。输出接近于硅带隙的l. 205V参考电压，带隙电路长期作为使用双 极性晶体管或COMS晶体管来实现的标准。然而在当今，在最先进的CMOS技术中难以或几乎不可能设计输出带隙电压的参考电路，这是因为 为了进行正确的操作，带隙电路的电源电压Vdd必须大于带隙电压Vbg， 通常为L3-1.5V。另一方面，CMOS电路的电源电压持续降低，如图l 所示，分别是对于O. 35um工艺为3. 3V、对于O. 25 n m为2. 5V、对于 0. 18um为1.8V，直到对于当今的90nm技术为lV。从这个图中可以看出， 大致地从O. 13um的CM0S技术之后，电源电压Vdd变得过低，对于任何 参考电路都不能输出带隙电压Vbg二l. 205V。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提供参考电压（Ｖｒｅｆ＿ｎｅｗ）的参考电压发生器（３０；４０；５０；６０），所述电压发生器（３０；４０；５０；６０）在小于硅带隙电压的电源电压（Ｖｄｄ）操作，包括：　－具有漏极、源极和栅极的ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７），所述ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）用作跨导器（Ｇｐｔａｔ）；　－输入节点，用于把漏极电流（Ｉ↓［ｐｔａｔ］）馈入所述ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）的漏极；　－输出节点，与所述ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）的漏极相连；　－电流发生器（２２；４２；６２），允许所述ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振华，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]