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本发明涉及一种提供参考电压（Ｖｒｅｆ＿ｎｅｗ）的参考电压发生器（４０）。电压发生器（３０）在小于硅带隙电压的电源电压（Ｖｄｄ）操作。它包括用作跨导器（Ｇｐｔａｔ）的ＭＯＳＦＥＴ晶体管（ＭＮ；ＭＮ３；ＭＰ４；ＭＰ７）。提供了用于把漏极电流（Ｉ...
该专利属于ＮＸＰ股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＮＸＰ股份有限公司授权不得商用。

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