芯片测试方法技术

本发明专利技术公开一种芯片测试方法，其适用于一芯片测试系统，芯片测试方法包含芯片安装步骤：通过芯片安装设备，将多个芯片安装至芯片测试装置的多个电连接座上；移入步骤：将承载有多个芯片的芯片测试装置，移载至其中一个环境控制设备的其中一个容置室；温度调节步骤：控制容置室所对应的温度调节装置运作，以使多个芯片处于预定温度的环境中；测试步骤：供电给设置于容置室中的芯片测试装置，以使各个测试模块对其所连接的多个电连接座上的芯片进行一预定测试程序。行一预定测试程序。行一预定测试程序。

【技术实现步骤摘要】
芯片测试方法


[0001]本专利技术涉及一种芯片测试方法，特别是涉及一种应用于测试内存的芯片测试方法。

技术介绍

[0002]现有的内存测试设备，在对内存进行高温、低温及预烧(Burn-In)测试时，是反复地将内存安装、卸除于设置在烘烤炉中的电连接座或是低温室中的电连接座，如此，内存在反复的安装、卸除过程中，将容易发生不预期的问题，例如是内存的针脚损坏等。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例在于提供一种芯片测试方法，用以改善现有内存测试设备，在反复地将内存安装、卸除于设置在烘烤炉中的电连接座或是低温室中的电连接座的过程中，内存容易损坏的问题。
[0004]本专利技术其中一个实施例公开一种芯片测试方法，其适用于一芯片测试系统，芯片测试系统包含一芯片安装设备、至少一芯片测试装置、至少一环境控制设备及一分类设备，芯片测试装置包含一电路板、多个电连接座、多个测试模块及至少一供电构件，多个电连接座设置于电路板，多个测试模块设置于电路板，且多个测试模块连接多个电连接座，各个电连接座用以承载一芯片，供电构件与电路板连接，供电构件用以将外部供电设备所提供的电力转换提供给多个测试模块使用，各个环境控制设备包含多个容置室，且各个容置室中设置有一温度调节装置，芯片测试方法包含：一芯片安装步骤：通过芯片安装设备，将多个芯片安装至芯片测试装置的多个电连接座上；一移入步骤：将承载有多个芯片的芯片测试装置，移载至其中一个环境控制设备的其中一个容置室；至少一温度调节步骤：控制容置室所对应的温度调节装置运作，以使多个芯片处于一预定温度的环境中；一测试步骤：通过供电构件供电给多个测试模块，以使各个测试模块对其所连接的多个电连接座上的多个芯片进行一预定测试程序；一移出步骤：将芯片测试装置由容置室中移出，并将芯片测试装置移载至分类设备；一分类步骤：利用分类设备，依据各个芯片通过预定测试程序的测试结果，将多个芯片分别置放至一良品区及一不良品区。
[0005]优选地，芯片测试装置还包含有至少一第一数据传输端子，第一数据传输端子设置于电路板，至少一第一数据传输端子用以与设置于容置室中的多个第二数据传输端子传输数据。
[0006]优选地，芯片测试装置还包含有至少一第一数据传输天线，第一数据传输天线用以与设置于环境控制设备的至少一第二数据传输天线以无线的方式传输数据。
[0007]优选地，于移入步骤后及移出步骤前，温度调节步骤及测试步骤被重复执行两次，温度调节步骤及测试步骤被第一次执行时，是控制容置室所对应的温度调节装置，以使多个芯片处于115℃以上的温度的环境中，被各个测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；温度调节步骤被第二次执行时，是控制容置室所对应的温度调节装置，以
使多个芯片处于75℃至95℃的温度的环境中，被各个测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个。
[0008]优选地，于移入步骤后及移出步骤前，温度调节步骤及测试步骤被重复执行四次，温度调节步骤及测试步骤被第一次执行时，是控制容置室所对应的温度调节装置，以使多个芯片处于115℃以上的温度的环境中，被各个测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；温度调节步骤被第二次执行时，是控制容置室所对应的温度调节装置，以使多个芯片处于75℃至95℃的温度的环境中，被各个测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个，温度调节步骤被第三次执行时，是控制容置室所对应的温度调节装置，以使多个芯片处于-55℃至-35℃的环境中，被各个测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个，温度调节步骤被第四次执行时，是控制容置室所对应的温度调节装置，以使多个芯片处于20℃至30℃的环境中，被各个测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个。
[0009]优选地，于温度调节步骤中，预定温度不低于75℃，于移出步骤及分类步骤之间还包含以下步骤：一移入步骤：将承载有多个芯片的芯片测试装置，移载至另一个容置室；一温度调节步骤：控制另一个容置室中的温度调节装置，以使多个芯片处于-55℃至-35℃的环境中；一测试步骤：通过供电构件供电给设置于容置室中芯片测试装置，以使各个测试模块对其所连接的多个芯片进行预定测试程序；一温度调节步骤：控制容置室中的温度调节装置，以使多个芯片处于20℃至30℃的环境中；一测试步骤：通过供电构件供电给设置于容置室中芯片测试装置，以使各个测试模块对其所连接的多个芯片进行预定测试程序。
[0010]优选地，于芯片安装步骤前还包含一预先测试步骤，其包含：一安装步骤：将多个芯片安装于一预先测试设备的电连接座；一测试步骤：控制预先测试设备，以对安装于预先测试设备上的芯片进行一短路测试及一漏电流测试；一判断步骤：判断设置于预先测试设备上的芯片是否通过短路测试及漏电流测试；其中，若设置于预先测试设备上的芯片通过短路测试及漏电流测试则执行芯片安装步骤；若芯片未通过短路测试或漏电流测试，则将芯片移载至不良品区。
[0011]优选地，于分类步骤前还包含一最终测试步骤，其包含：一安装步骤：将多个芯片安装于一最终测试设备的电连接座；一测试步骤：控制最终测试设备，以对安装于最终测试设备上的芯片进行一短路测试及一漏电流测试；一判断步骤：判断设置于最终测试设备上的芯片是否通过短路测试及漏电流测试；其中，若芯片未通过短路测试或漏电流测试，则于分类步骤中将芯片移载至不良品区。
[0012]优选地，供电构件为一接收天线，而芯片测试装置能通过供电构件以无线的方式接收电力。
[0013]优选地，芯片测试装置包含有一充电电池模块，供电构件与充电电池模块连接，供电构件能以无线的方式接收电力，以对充电电池模块充电。
[0014]优选地，芯片测试装置包含：电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个电连接座，其固定设置于电路板的第一侧面；多个电连接座区隔为多个电连接座群组，各个电连接座群组包含至少一个电连接座；一控制机组，控制机组设置于电路板的第二侧面，控制机组包含多个测试模块，多个测试模块与多个电连接座群组相连接，而各个测试模块与相对应的电连接座群组中的所有电连接座相连接；供电构件，其连接电路
板；其中，芯片测试装置必须通过供电构件与外部供电设备连接，以取得各个测试模块运作时所需的电力。
[0015]优选地，各个环境控制设备还包含有多个罩体，各个容置室中设置有一个罩体；于移入步骤中，当芯片测试装置设置于其中一个容置室中，且容置室中的罩体对应盖设于电路板上时，罩体与电路板将共同形成一封闭空间，多个电连接座则对应位于封闭空间中；于移入步骤及温度调节步骤之间还包含有一抽气步骤：利用一抽气装置，将封闭空间中的空气抽出。
[0016]优选地，各个温度调节装置包含一接触结构，温度调节装置能被控制而使接触结构的温度达到预定温度；各个环境控制设备还包含多个升降装置及多个限位装置，各个容置室中设置有一个升降装置及一个限位装置；各个升降装置能被控制而使设置于容置室中的芯片测试装置向靠近或远离接触结构的方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述芯片测试方法适用于一芯片测试系统，所述芯片测试系统包含一芯片安装设备、至少一芯片测试装置、至少一环境控制设备及一分类设备，所述芯片测试装置包含一电路板、多个电连接座、多个测试模块及至少一供电构件，多个所述电连接座设置于所述电路板，多个所述测试模块设置于所述电路板，且多个所述测试模块连接多个所述电连接座，各个所述电连接座用以承载一芯片，所述供电构件与所述电路板连接，所述供电构件用以将外部供电设备所提供的电力转换提供给多个所述测试模块使用，各个所述环境控制设备包含多个容置室，且各个所述容置室中设置有一温度调节装置，所述芯片测试方法包含：一芯片安装步骤：通过所述芯片安装设备，将多个所述芯片安装至所述芯片测试装置的多个所述电连接座上；一移入步骤：将承载有多个所述芯片的所述芯片测试装置，移载至其中一个所述环境控制设备的其中一个所述容置室；至少一温度调节步骤：控制所述容置室所对应的所述温度调节装置运作，以使多个所述芯片处于一预定温度的环境中；一测试步骤：通过所述供电构件供电给多个所述测试模块，以使各个所述测试模块对其所连接的多个所述电连接座上的多个所述芯片进行一预定测试程序；一移出步骤：将所述芯片测试装置由所述容置室中移出，并将所述芯片测试装置移载至所述分类设备；一分类步骤：利用所述分类设备，依据各个所述芯片通过所述预定测试程序的测试结果，将多个所述芯片分别置放至一良品区及一不良品区。2.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述芯片测试装置还包含有至少一第一数据传输端子，所述第一数据传输端子设置于所述电路板，至少一所述第一数据传输端子用以与设置于所述容置室中的多个第二数据传输端子传输数据。3.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述芯片测试装置还包含有至少一第一数据传输天线，所述第一数据传输天线用以与设置于所述环境控制设备的至少一第二数据传输天线以无线的方式传输数据。4.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，于所述移入步骤后及所述移出步骤前，所述温度调节步骤及所述测试步骤被重复执行两次，所述温度调节步骤及所述测试步骤被第一次执行时，是控制所述容置室所对应的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于115℃以上的温度的环境中，被各个所述测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；所述温度调节步骤被第二次执行时，是控制所述容置室所对应的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于75℃至95℃的温度的环境中，被各个所述测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个。5.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，于所述移入步骤后及所述移出步骤前，所述温度调节步骤及所述测试步骤被重复执行四次，所述温度调节步骤及所述测试步骤被第一次执行时，是控制所述容置室所对应的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于115℃以上的温度的环境中，被各个所述测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；所述温度调节步骤被第二次执行时，是控制所述容置室所对应的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于75℃至95℃的温度的环境中，被各个所述测试模块进行
读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个，所述温度调节步骤被第三次执行时，是控制所述容置室所对应的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于-55℃至-35℃的环境中，被各个所述测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个，所述温度调节步骤被第四次执行时，是控制所述容置室所对应的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于20℃至30℃的环境中，被各个所述测试模块进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个。6.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，于所述温度调节步骤中，所述预定温度不低于75℃，于所述移出步骤及所述分类步骤之间还包含以下步骤：一移入步骤：将承载有多个所述芯片的所述芯片测试装置，移载至另一个所述容置室；一温度调节步骤：控制另一个所述容置室中的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于-55℃至-35℃的环境中；一测试步骤：通过所述供电构件供电给设置于所述容置室中所述芯片测试装置，以使各个所述测试模块对其所连接的多个所述芯片进行所述预定测试程序；一温度调节步骤：控制所述容置室中的所述温度调节装置，以使多个所述芯片处于20℃至30℃的环境中；一测试步骤：通过所述供电构件供电给设置于所述容置室中所述芯片测试装置，以使各个所述测试模块对其所连接的多个所述芯片进行所述预定测试程序。7.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，于所述芯片安装步骤前还包含一预先测试步骤，其包含：一安装步骤：将多个所述芯片安装于一预先测试设备的电连接座；一测试步骤：控制所述预先测试设备，以对安装于所述预先测试设备上的芯片进行一短路测试及一漏电流测试；一判断步骤：判断设置于所述预先测试设备上的芯片是否通过所述短路测试及所述漏电流测试；其中，若设置于所述预先测试设备上的芯片通过所述短路测试及所述漏电流测试则执行所述芯片安装步骤；若所述芯片未通过所述短路测试或所述漏电流测试，则将所述芯片移载至不良品区。8.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，于所述分类步骤前还包含一最终测试步骤，其包含：一安装步骤：将多个所述芯片安装于一最终测试设备的电连接座；一测试步骤：控制所述最终测试设备，以对安装于所述最终测试设备上的芯片进行一短路测试及一漏电流测试；一判断步骤：判断设置于所述最终测试设备上的芯片是否通过所述短路测试及所述漏电流测试；其中，若所述芯片未通过所述短路测试或所述漏电流测试，则于所述分类步骤中将所述芯片移载至不良品区。9.依据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述供电构件为一接收天线，而所述芯片测试装置能通过所述供电构件以无线的方式接收电力。10.依据权利要求9所述的芯片测试方法，其特征在于，所述芯片测试装置包含有一充
电电池模块，所述供电构件与所述充电电池模块连接，所述供电构件能以无线的方式接收电力，以对所述充电电池模块充电。11.依据权利要求9所述的芯片测试方法，其特征在于，所述芯片测试装置包含：所述电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧面；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振龙，基因，
申请(专利权)人：第一检测有限公司，
类型：发明
国别省市：