【技术实现步骤摘要】
内存测试方法
[0001]本专利技术涉及一种测试方法，特别是涉及一种内存测试方法。
技术介绍
[0002]一般来说，内存在出厂前，会依据需求使内存于不同温度环境下进行特定的测试。当内存被安装于电子装置而出售时，若内存在原始设计的容许温度下发生失效的问题时，则可能是在出厂前测试中发生问题。
[0003]由于现有的内存测试设备，并不会将内存测试的相关测试结果及相对应的参数记录下来，因此，纵使相关人员拿到一个被用户退回的内存，相关人员也难以追溯该内存于检测过程中的相关参数及相关检测结果。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例在于提供一种内存测试方法，用以改善现有的内存测试方法，在内存完成测试后，相关人员难以追溯任一个内存的测试历程，从而难以在内存发生失效时，判断是否是测试过程发生问题。
[0005]本专利技术的其中一个实施例公开一种内存测试方法，其包含以下步骤：一预烧测试步骤：将多个内存设置于一第一预定温度的环境中，并对各个内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一预烧测试结果写入步骤：将各个内存完成预烧测试步骤后的测试结果数据，及预烧测试步骤中所对应的测试参数数据，储存于各个内存中；一高温测试步骤：将多个内存设置于一第二预定温度的环境中，并对各个内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一高温测试结果写入步骤：将各个内存完成高温测试步骤后的测试结果数据，及高温测试步骤中所对应的测试参数数据，储存于各个内存中；其中，该第二预定温度不低于75℃，且该第一预定温度高于该第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法包含以下步骤：一预烧测试步骤：将多个内存设置于一第一预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一预烧测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述预烧测试步骤后的测试结果数据，及所述预烧测试步骤中所对应的测试参数数据，储存于各个所述内存中；一高温测试步骤：将多个所述内存设置于一第二预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一高温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述高温测试步骤后的测试结果数据，及所述高温测试步骤中所对应的测试参数数据，储存于各个所述内存中；其中，该第二预定温度不低于75℃，且该第一预定温度高于该第二预定温度。2.依据权利要求1所述的内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法的第一个步骤为：一内存安装步骤：将多个所述内存安装于一芯片测试装置的多个电连接座上；其中，所述芯片测试装置能被移载装置载运而于多个工作站之间传递，所述芯片测试装置包含：一电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至少一个所述电连接座；一控制机组，所述控制机组设置于所述电路板的所述第二侧面，所述控制机组包含多个测试模块，多个所述测试模块与多个所述电连接座群组相连接，而各个所述测试模块与相对应的所述电连接座群组中的所有所述电连接座相连接；一供电构件，其连接所述电路板；其中，所述芯片测试装置必须通过所述供电构件与一外部供电设备连接，以取得各个所述测试模块运作时所需的电力；其中，于所述预烧测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于115℃以上的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述高温测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于75℃至95℃的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述预烧测试结果写入步骤中及所述高温测试结果写入步骤中，是各个所述测试模块将其所连接的各个所述内存所对应的测试结果数据及测试参数数据写入各个所述内存中。3.依据权利要求1所述的内存测试方法，其特征在于，于预烧测试步骤前，还包含：一低温测试及写入步骤及一常温测试及写入步骤两者中的至少一个；其中，所述低温测试及写入步骤包含：一低温测试步骤：将多个所述内存设置于一第三预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一低温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述低温测试步骤后的测试结果数据
及所述低温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第三预定温度不高于-35℃；其中，所述常温测试及写入步骤包含：一常温测试步骤：将多个所述内存设置于一第四预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一常温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述常温测试步骤后的测试结果数据及所述常温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第四预定温度介于20℃至30℃。4.依据权利要求3所述的内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法的第一个步骤为：一内存安装步骤：将多个所述内存安装于一芯片测试装置的多个电连接座上；其中，所述芯片测试装置能被移载装置载运而于多个工作站之间传递，所述芯片测试装置包含：一电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至少一个所述电连接座；一控制机组，所述控制机组设置于所述电路板的所述第二侧面，所述控制机组包含多个测试模块，多个所述测试模块与多个所述电连接座群组相连接，而各个所述测试模块与相对应的所述电连接座群组中的所有所述电连接座相连接；一供电构件，其连接所述电路板；其中，所述芯片测试装置必须通过所述供电构件与一外部供电设备连接，以取得各个所述测试模块运作时所需的电力；其中，于所述预烧测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于115℃以上的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述高温测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于75℃至95℃的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述预烧测试结果写入步骤中、于所述高温测试结果写入步骤中、于所述常温测试结果写入步骤中及于所述低温测试结果写入步骤中，是各个所述测试模块将其所连接的各个所述内存所对应的测试结果数据及测试参数数据写入各个所述内存中。5.依据权利要求1所述的内存测试方法，其特征在于，于所述高温测试结果写入步骤后，还包含：一常温测试及写入步骤及一低温测试及写入步骤两者中的其中至少一个；其中，所述常温测试及写入步骤包含：一常温测试步骤：将多个所述内存设置于一第四预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一常温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述常温测试步骤后的测试结果数据及所述常温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第四预定温度介于20℃至30℃；
其中，所述低温测试及写入步骤包含：一低温测试步骤：将多个所述内存设置于一第三预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一低温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述低温测试步骤后的测试结果数据及所述低温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第三预定温度不高于-35℃。6.依据权利要求5所述的内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法的第一个步骤为：一内存安装步骤：将多个所述内存安装于一芯片测试装置的多个电连接座上；其中，所述芯片测试装置能被移载装置载运而于多个工作站之间传递，所述芯片测试装置包含：一电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至少一个所述电连接座；一控制机组，所述控制机组设置于所述电路板的所述第二侧面，所述控制机组包含多个测试模块，多个所述测试模块与多个所述电连接座群组相连接，而各个所述测试模块与相对应的所述电连接座群组中的所有所述电连接座相连接；一供电构件，其连接所述电路板；其中，所述芯片测试装置必须通过所述供电构件与一外部供电设备连接，以取得各个所述测试模块运作时所需的电力；其中，于所述预烧测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于115℃以上的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述高温测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于75℃至95℃的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述预烧测试结果写入步骤中、于所述高温测试结果写入步骤中、于所述常温测试结果写入步骤中及于所述低温测试结果写入步骤中，是各个所述测试模块将其所连接的各个所述内存所对应的测试结果数据及测试参数数据写入各个所述内存中。7.依据权利要求1所述的内存测试方法，其特征在于，于预烧测试步骤前，还包含：一常温测试步骤：将多个所述内存设置于一第四预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一常温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述常温测试步骤后的测试结果数据及所述常温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第四预定温度介于20℃至30℃；其中，于高温测试结果写入步骤后，还包含：一低温测试步骤：将多个所述内存设置于一第三预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一低温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述低温测试步骤后的测试结果数据
及所述低温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第三预定温度不高于-35℃。8.依据权利要求7所述的内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法的第一个步骤为：一内存安装步骤：将多个所述内存安装于一芯片测试装置的多个电连接座上；其中，所述芯片测试装置能被移载装置载运而于多个工作站之间传递，所述芯片测试装置包含：一电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至少一个所述电连接座；一控制机组，所述控制机组设置于所述电路板的所述第二侧面，所述控制机组包含多个测试模块，多个所述测试模块与多个所述电连接座群组相连接，而各个所述测试模块与相对应的所述电连接座群组中的所有所述电连接座相连接；一供电构件，其连接所述电路板；其中，所述芯片测试装置必须通过所述供电构件与一外部供电设备连接，以取得各个所述测试模块运作时所需的电力；其中，于所述预烧测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于115℃以上的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述高温测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于75℃至95℃的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述预烧测试结果写入步骤中、于所述高温测试结果写入步骤中、于所述常温测试结果写入步骤中及于所述低温测试结果写入步骤中，是各个所述测试模块将其所连接的各个所述内存所对应的测试结果数据及测试参数数据写入各个所述内存中。9.依据权利要求1所述的内存测试方法，其特征在于，于预烧测试步骤前，还包含：一低温测试步骤：将多个所述内存设置于一第三预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一低温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述低温测试步骤后的测试结果数据及所述低温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第三预定温度不高于-35℃；其中，于高温测试结果写入步骤后，还包含：一常温测试步骤：将多个所述内存设置于一第四预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一常温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述常温测试步骤后的测试结果数据及所述常温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第四预定温度介于20℃至30℃。10.依据权利要求9所述的内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法的第一个步骤为：一内存安装步骤：将多个所述内存安装于一芯片测试装置的多个电连接座上；其中，
所述芯片测试装置能被移载装置载运而于多个工作站之间传递，所述芯片测试装置包含：一电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至少一个所述电连接座；一控制机组，所述控制机组设置于所述电路板的所述第二侧面，所述控制机组包含多个测试模块，多个所述测试模块与多个所述电连接座群组相连接，而各个所述测试模块与相对应的所述电连接座群组中的所有所述电连接座相连接；一供电构件，其连接所述电路板；其中，所述芯片测试装置必须通过所述供电构件与一外部供电设备连接，以取得各个所述测试模块运作时所需的电力；其中，于所述预烧测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于115℃以上的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述高温测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于75℃至95℃的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述预烧测试结果写入步骤中、于所述高温测试结果写入步骤中、于所述常温测试结果写入步骤中及于所述低温测试结果写入步骤中，是各个所述测试模块将其所连接的各个所述内存所对应的测试结果数据及测试参数数据写入各个所述内存中。11.一种内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法包含以下步骤：一高温测试步骤：将多个所述内存设置于一第二预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一高温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述高温测试步骤后的测试结果数据，及所述高温测试步骤中所对应的测试参数数据，储存于各个所述内存中；一预烧测试步骤：将多个内存设置于一第一预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一预烧测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述预烧测试步骤后的测试结果数据，及所述预烧测试步骤中所对应的测试参数数据，储存于各个所述内存中；其中，该第二预定温度不低于75℃，且该第一预定温度高于该第二预定温度。12.依据权利要求11所述的内存测试方法，其特征在于，所述内存测试方法的第一个步骤为：一内存安装步骤：将多个所述内存安装于一芯片测试装置的多个电连接座上；其中，所述芯片测试装置能被移载装置载运而于多个工作站之间传递，所述芯片测试装置包含：一电路板，其彼此相反的两侧分别定义为一第一侧面及一第二侧面；多个所述电连接座，其固定设置于所述电路板的所述第一侧；多个所述电连接座区隔为多个电连接座群组，各个所述电连接座群组包含至少一个所述电连接座；一控制机组，所述控制机组设置于所述电路板的所述第二侧面，所述控制机组包含多个测试模块，多个所述测试模块与多个所述电连接座群组相连接，而各个所述测试模块与
相对应的所述电连接座群组中的所有所述电连接座相连接；一供电构件，其连接所述电路板；其中，所述芯片测试装置必须通过所述供电构件与一外部供电设备连接，以取得各个所述测试模块运作时所需的电力；其中，于所述预烧测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于115℃以上的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述高温测试步骤中，是先将所述芯片测试装置及其承载的多个所述内存一同设置于75℃至95℃的环境中，并通过所述供电构件提供电力给所述芯片测试装置后，再使各个所述测试模块对其所连接的各个所述电连接座上的所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；其中，于所述预烧测试结果写入步骤中及所述高温测试结果写入步骤中，是各个所述测试模块将其所连接的各个所述内存所对应的测试结果数据及测试参数数据写入各个所述内存中。13.依据权利要求11所述的内存测试方法，其特征在于，于高温测试步骤前，还包含：一常温测试及写入步骤及一低温测试及写入步骤两者中的其中至少一个；其中，所述常温测试及写入步骤包含：一常温测试步骤：将多个所述内存设置于一第四预定温度的环境中，并对各个所述内存进行读取测试、写入测试及电性测试中的至少一个；一常温测试结果写入步骤：将各个所述内存完成所述常温测试步骤后的测试结果数据及所述常温测试步骤中所对应的测试参数数据，写入于各个所述内存中；其中，所述第四预定温度介于20℃至30℃；其中，所述低温测试及写入步骤包含：一低温测试步骤：将多个所述内存设置于一第...
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