一种测量PIN二极管反向恢复时间的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量ＰＩＮ二极管反向恢复时间的方法，包括：Ａ．测量Ｎ区少子寿命τ↓［ｐ］，设定正反向峰值电流Ｉ↓［ｆ］和Ｉ↓［ｒ］的比值；Ｂ．将测量出的Ｎ区少子寿命τ↓［ｐ］，以及设定的正反向峰值电流Ｉ↓［ｆ］和Ｉ↓［ｒ］的比值，代入超越方程计算反向电流保持恒定的存储时间ｔ↓［ｓ］和下降时间ｔ↓［ｆ］；Ｃ、计算存储时间ｔ↓［ｓ］和下降时间ｔ↓［ｆ］之和，得到反向恢复时间ｔ↓［ｏｆｆ］。利用本发明专利技术，可以用常规的实验仪器测量反向恢复时间。而用普通方法测量ＰＩＮ二极管的反向恢复时间，需要正／负极性输出的快边沿脉冲信号源和宽带示波器。同时，本发明专利技术简化了测量工序，降低了测量的实现成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，尤其涉及一种测量PIN二极管反向恢复时间的方法。
技术介绍
近年来，微波单片集成电路(MMIC)技术迅速发展，MMIC开关也广泛应用于毫米波通讯系统。在这类应用中，要求开关具有高的隔离度和低的插入损耗。为实现高隔离和低插损，就要求开关的截止频率更高。砷化镓PIN(GaAs PIN)二极管在毫米波频段比金属-半导体场效应晶体管(MESFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件的插入损耗更低，而截止频率更高。 反向恢复时间是反应开关反向特性的重要参数。反向恢复时间的定义如图1所示，图1为二极管开关特性示意图。当二极管外加电压突变后，反向电流首先在一段时间内保持不变，然后才逐渐下降达到反向饱和电流。反向电流保持恒定的时间称为存储时间ts，电流下降到-0.1Ir的时间称为下降时间tf，toff＝ts+tf即为反向恢复时间。 PIN管有很小的漏电流和很高的击穿电压，但是，PIN二极管的主要缺点是，从开态向反向阻断态转换的过程中有较大的反向恢复电流，正向导通时贮存在漂移区的大量电荷，引起长反向恢复时间，限制了PIN管的开关速度。 目前对于PIN二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量ＰＩＮ二极管反向恢复时间的方法，其特征在于，该方法包括：Ａ、测量Ｎ区少子寿命τ↓［ｐ］，设定正反向峰值电流Ｉ↓［ｆ］和Ｉ↓［ｒ］的比值；Ｂ、将测量出的Ｎ区少子寿命τ↓［ｐ］，以及设定的正反向峰值电流Ｉ↓［ｆ］和Ｉ↓［ ｒ］的比值，代入超越方程＊＊＊和＊＊＊，计算反向电流保持恒定的存储时间ｔ↓［ｓ］和下降时间ｔ↓［ｆ］；Ｃ、计算存储时间ｔ↓［ｓ］和下降时间ｔ↓［ｆ］之和，得到反向恢复时间ｔ↓［ｏｆｆ］。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴茹菲，张海英，杨浩，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]