一种组合开关以及同步整流电路制造技术

本发明专利技术公开了一种组合开关，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一体二极管、第二体二极管以及第一二极管；其中，第一体二极管的阴极与第一晶体管的漏极连接，阳极与第一晶体管的源极连接；第二体二极管的阴极与第二晶体管的漏极连接，阳极与第二晶体管的源极连接；该开关还包括：第一晶体管和第二晶体管反向串联；第一二极管与串联的第一晶体管和第二晶体管并联。这种组合开关能够解决普通整流时二极管导通损耗大或者采用MOSFET及体二极管实现同步整流时其体内二极管反向恢复损耗大等问题，提高了电路的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源领域，尤其涉及一种组合开关以及同步整流电路。
技术介绍
随着绿色能源概念的提出，人们的环保、节能意识越来越强，各领域都在努力降低损耗提高效率，电源领域也不例外。如今对电源效率的要求越来越高，整流二极管的导通损耗和反向恢复引起的损耗在电源的损耗中占有很大的比重。长期以来，大量的工程师投入大量的精力，采用各种方法降低整流二极管的损耗，致力于对整流二极管工作性能的优化。图I所示为现有技术中常用的一种普通无桥功率因数校正(Power FactorCorrection,PFC)电路，这种无桥PFC电路与普通的BOOST PFC电路相比，省掉了整流桥，可以使得电路获得较高的效率；但是，在该电路中使用了两个二极管，即二极管DOOl和D002来实现整流，而二极管的导通压降较高，导通损耗大，降低了电路的效率；或者，图2所示为图腾柱无桥PFC电路，这种无桥PFC电路中使用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)及其体二极管来实现同步整流或者仅通过其体二极管实现整流，但是，MOSFET的体二极管(如图2中所示的M0SFETS003的体二极管为二极管D007，MOSFETS004的体二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合开关，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第一体二极管、第二体二极管以及第一二极管；其中， 第一体二极管的阴极与第一晶体管的漏极连接，阳极与第一晶体管的源极连接；第二体二极管的阴极与第二晶体管的漏极连接，阳极与第二晶体管的源极连接； 该开关还包括第一晶体管和第二晶体管反向串联；第一二极管与串联的第一晶体管和第二晶体管并联。2.根据权利要求I所述的开关，其特征在于，第一晶体管和第二晶体管反向串联；第一二极管与串联的第一晶体管和第二晶体管并联包括 第一晶体管和第二晶体管的源极连接；第一二极管的阴极与第一晶体管的漏极连接，阳极与第二晶体管的漏极连接。3.根据权利要求I所述的开关，其特征在于，第一晶体管和第二晶体管反向串联；第 一二极管与串联的第一晶体管和第二晶体管并联包括 第一晶体管和第二晶体管的漏极连接；第一二极管的阴极与第一晶体管源极连接，阳极与第二晶体管的源极连接。4.根据权利要求I所述的开关，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为相同额定电压等级的晶体管；或者， 第一晶体管和第二晶体管为不同额定电压等级的晶体管，且，第一晶体管的额定电压等级大于第二晶体管的额定电压等级。5.根据权利要求I至4任一项所述的开关，其特征在于，所述晶体管通过MOSFET实现。6.一种同步整流电路，其特征在于，包括权利要求I至5任一项所述的组合开关。7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，还包括 第一组合开关的第一端、第二组合开关的第一端以及第一滤波电容的第一端连接；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王琳化，黄立巍，弗兰克·赫尔特，
申请(专利权)人：艾默生网络能源系统北美公司，
类型：发明
国别省市：