【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种整流电路，更具体地，涉及一种使用霍尔效应开关检测电流，以实现动态控制MOSFET的。
技术介绍
通常的AC转换DC的整流电路是利用二极管的P-N结的单向导通特性实现。当小电流流经二极管时，普通二极管将有0.7V电压降，肖特基类型的二极管有0.3V。如果大电流流经二极管，比如100A或者200A，该压降可以高达1.0V或者更高。由此产生100W或者200W的功耗。在大电流整流应用的领域比如汽车的发电机等，该功耗是非常可观的。尤其在汽车发动机125摄氏度的环境温度里，150A最大的整流要求下，由二极管整流所产生的功耗将大大的降低设备的效率，可靠性。MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)，这里指大功率M0SFET，利用其非常低的导通时的电阻特性，应用在整流电路上。例如，由Linear Technology制作的一款型号为LT4310/LT4320-1的芯片，用于控制由四个N通道MOSFET组成的整流桥。美国专利文献2014012985...
【技术保护点】
一种动态开关式整流电路，用于将交流电源的交流电转换为直流输出端的直流电，其包括：MOSFET，其漏极和源极分别连接交流电源的相线和中线，并将电流通过源极到漏极的一端作为直流输出端：一电流检测及控制电路包括一输入电流导体，串联在MOSFET的源极和漏极的电流回路中，交流电源的至少一正半周期和负半周期的电流流经该输入电流导体，电流检测及控制电路根据输入电流导体的电流输出一开关控制信号；其中，该开关控制信号发送至MOSFET的栅极，以控制MOSFET打开或关闭。
【技术特征摘要】
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