整流电路及电源制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种整流电路及电源。其中，整流电路包括：二个以上MOSFET，所述二个以上MOSFET在PCB上集中设置；及散热片，所述散热片覆盖于所述二个以上MOSFET的上表面。本实用新型专利技术实施例通过将整流电路中的MOSFET在PCB上集中设置，并采用散热片覆盖所有的MOSFET，使MOSFET产生的热量传递到散热片，通过散热片向外散出，可以获得较好的散热效果，解决了在开关电源输出端的整流电路中具有多个MOSFET时的散热问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电源
，特别是涉及一种整流电路及电源。
技术介绍
由于现代高速超大规模集成电路的尺寸不断减小，同时对功率的要求又不断增加，因此必须要提高供电电源的功率密度。而在有限的散热空间中增加电源的功率密度，就必须提高电源的工作效率。近年来，通过在开关电源的输出端采用同步整流技术，使开关电源的工作效率得到了大幅度提高。然而随着开关电源高功率的要求，输出的电流不断增加，在开关电源输出端同步整流电路中金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的数量也随之增加，同时也带来了MOSFET散热的问题。在现有技术中，MOSFET一般是通过在印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)中增加过孔进行散热，以及通过MOSFET上表面的空气进行散热，散热效果较差。
技术实现思路
本技术实施例要解决的一个技术问题是：提供一种整流电路及电源，以获得较好的散热效果。根据本技术实施例的一个方面，提供一种整流电路，包括：二个以上MOSFET，所述二个以上MOSFET在PCB上集中设置；及散热片，所述散热片覆盖于所述二个以上MOSFET的上表面。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，所述散热片为一块散热片，覆盖于所有MOSFET的上表面。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，所述MOSFET为贴片封装MOSFET。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，在所述贴片封装MOSFET的上表面设有裸露的电极金属焊盘，所述裸露的电极金属焊盘与所述散热片接触。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，所述散热片与所述PCB的地极连接。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，所述MOSFET为电力MOSFET。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，所述二个以上MOSFET在所述PCB上并排设置。在基于本技术上述整流电路的另一实施例中，所述散热片为铝散热片或者铜散热片。根据本技术实施例的另一个方面，提供一种电源，包括：根据上述任一实施例所述的整流电路。在基于本技术上述电源的另一实施例中，所述整流电路设置于所述电源的输出端。基于本技术实施例提供的整流电路及电源，通过将整流电路中的MOSFET在PCB上集中设置，并采用散热片覆盖所有的MOSFET，使MOSFET产生的热量传递到散热片，通过散热片向外散出，可以获得较好的散热效果，解决了在开关电源输出端的整流电路中具有多个MOSFET时的散热问题。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例，并且连同描述一起用于解释本技术的原理。参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本技术，其中：图1是本技术整流电路中MOSFET在PCB上设置的一个实施例的立体图。图2是在图1中的MOSFET上覆盖散热片后的局部剖视立体图。图3是常见的只采用一层塑封的贴片封装MOSFET的立体图。图4是在上表面设有裸露的电极金属焊盘的贴片封装MOSFET的立体图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。图1是本技术整流电路中MOSFET在PCB上设置的一个实施例的立体图。图2是在图1中的MOSFET上覆盖散热片后的局部剖视立体图。如图1及图2所示，本技术实施例的整流电路包括：二个以上MOSFET 110及散热片120，这些MOSFET 110在PCB 130上集中设置，散热片120覆盖于这些MOSFET 110的上表面。基于本技术实施例提供的整流电路，通过将整流电路中的MOSFET 110在PCB 130上集中设置，并采用散热片120覆盖所有的MOSFET 110，使MOSFET 110产生的热量传递到散热片120，通过散热片120向外散出，可以获得较好的散热效果，解决了在开关电源输出端的整流电路中具有多个MOSFET 110时的散热问题。在本实施例中，MOSFET 110可以采用贴片封装MOSFET，常见的只采用一层塑封的贴片封装MOSFET如图3所示，另一种在上表面设有裸露的电极金属焊盘111的贴片封装MOSFET如图4所示，本实施例并不对MOSFET 110的封装形式做具体限定。当本实施例的整流电路采用图3中的贴片封装MOSFET时，只需要使散热片120覆盖于贴片封装MOSFET的上表面即可。当本实施例的整流电路采用图4中的贴片封装MOSFET时，散热片120覆盖于贴片封装MOSFET的上表面，裸露的电极金属焊盘111与散热片120接触，贴片封装MOSFET产生的热量将通过裸露的电极金属焊盘111直接传递到散热片120上，由散热片120向外散出，从而可以获得更好的散热效果。在本实施例中，MOSFET 110在PCB 130上可以采用并排设置的方式，本实施例并不对MOSFET 110在PCB 130上的排列方式做具体限定，只要是能够有利于散热片120的设置而又不会造成功率损耗增加的MOSFET 110的排列方式均包含在本实施例中。在本实施例中，散热片120可以采用铝散热片或者铜散热片，本实施例并不对散热片120的材料、形状和数量做具体限定，只要是采用导热性能够良好的材料制成的能够满足有利于热量散出的要求且安装空间允许的散热片120的形状和数量均包含在本实施例中。在一个具体实施例中，如图1所示，整流电路包括十二个MOSFET 110，MOSFET 110采用在上表面设有裸露的电极金属焊盘111的贴片封装MOSFET，十二个MOSFET 110在PCB 130上并排设置，采用这种MOSFET 110并排设置的排列方式可以缩短与整流电路连接的变压器次级到MOSFET 110的走线长度，从而减小PCB 130上走线的功率损耗，提高效率。如图2所示，在这些MOSFET 110的上表面覆盖一块散热片120，并且散热片120与PCB 130的地极连接，这样所有MOSFET 110裸露的电极金属焊盘111将通过散热片120与PCB 130的地极连接，从而可以获得较好的共地效果，减小MOSFET 110的驱动误差，同时还可以通过散热片120流通电流。其中，散热片120与PCB 130的地极的连接方式，可以是通过在散热片120上设置螺丝孔，利用与螺丝孔配合的金属螺丝与PCB 130的地极，本实施例并不对散热片120与PCB 130的地极的连接方式做具体限定，只要是能够实现散热片120与PCB 130的地极连接的连接方式均包含在本实施例中。在本实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整流电路，其特征在于，包括：二个以上金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述二个以上MOSFET在印制电路板PCB上集中设置；及散热片，所述散热片覆盖于所述二个以上MOSFET的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：二个以上金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述二个以上MOSFET在印制电路板PCB上集中设置；及散热片，所述散热片覆盖于所述二个以上MOSFET的上表面。2.根据权利要求1所述的整流电路，其特征在于，所述散热片为一块散热片，覆盖于所有MOSFET的上表面。3.根据权利要求1或2所述的整流电路，其特征在于，所述MOSFET为贴片封装MOSFET。4.根据权利要求3所述的整流电路，其特征在于，在所述贴片封装MOSFET的上表面设有裸露的电极金属焊盘，所述裸露的电极金属焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金宝，陈娜，
申请(专利权)人：北京比特大陆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11