【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电路，特别是涉及一种集成芯片、芯片的集成方法、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器。一个dram由一个电容和一个晶体管组成，这样的结构使得dram可以具有较高的集成密度，存储的容量较大。随着逻辑芯片的计算能力的增强，对存储器的存储容量的要求也显著提升。因此，如何进一步提升dram存储器的容量显得尤为重要。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种集成芯片，包括：多个第一dram芯片，其中，所述多个第一dram芯片位于第一平面，并且其中，所述第一dram芯片包括dram存储阵列和用于传输所述dram存储阵列的数据的第一接口，并且所述第一接口分布在所述第一dram芯片的表面；数据转接芯片，其中，所述数据转接芯片位于第二平面，并且其中，所述数据转接芯片的第一表面包括与所述第一接口连接的第二接口，所述数据转接芯片的第二表面包括第三接口，并且其中，所述数据转接芯片通过所述第二接口接收所述第一dram芯片的数据并将所述数据路由至所述第三接口或者通过所述第二接口将所述第三接口所接收的数据路路由至所述第一dram芯片；和处理器芯片，其中，所述处理芯片位于第三平面，并且其中，所述第二平面位于所述第一平面和所述第三平面之间，所述处理器芯片与所述数据转接芯片的所述第三接口连接，并且通过所述第三接口传输数据，并且其中，所述处理器芯片的尺寸小于所述多个第一dr
2、根据本公开的另一方面，提供了一种芯片的集成方法，所述方法包括：将目标dram晶圆和数据转接晶圆进行合封以得到第一合封晶圆，其中，所述目标dram晶圆包括多个位于第一平面的第一dram晶粒，所述数据转接晶圆包括至少一个数据转接晶粒，所述数据转接晶粒用于在所述第一dram晶粒和处理器晶圆上的处理器晶粒之间进行数据的路由；将所述第一合封晶圆和所述处理器晶圆进行合封以得到第二合封晶圆，其中，所述处理器晶圆包括至少一个处理器晶粒；以及对所述第二合封晶圆进行切割和封装，以得到目标集成芯片，所述目标集成芯片包括依次堆叠的多个第一dram芯片、数据转接芯片和处理器芯片，所述处理器芯片通过所述数据转接芯片与所述多个第一dram芯片进行数据传输，其中，所述处理器芯片的尺寸小于所述多个第一dram芯片的尺寸之和。
3、根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，该指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行上述的方法。
4、根据本公开的另一方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，计算机指令用于使计算机执行根据上述的方法。
5、根据本公开的另一方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，其中，计算机程序在被处理器执行时实现上述的方法。
6、根据在下文中所描述的实施例，本公开的这些和其它方面将是清楚明白的，并且将参考在下文中所描述的实施例而被阐明。
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1.一种集成芯片，包括：
2.如权利要求1所述的集成芯片，其中，所述集成芯片包括多个所述数据转接芯片，所述多个第一DRAM芯片和所述多个数据转接芯片一一对应相连接，并且一一对应相连接的所述第一DRAM芯片和所述数据转接芯片具有相同的尺寸。
3.如权利要求2所述的集成芯片，其中，所述多个数据转接芯片之间具有划片道，并且所述处理器芯片通过所述划片道与所述多个数据转接芯片的所述第三接口相连接。
4.如权利要求2或3所述的集成芯片，其中，所述数据转接芯片的第一表面还包括第四接口，所述集成芯片还包括：
5.如权利要求2-4中任一项所述的集成芯片，其中，所述处理器芯片的尺寸与所述多个第一DRAM芯片的数量相关联。
6.如权利要求5所述的集成芯片，其中，所述处理器芯片在所述第一平面上的正投影与所述多个第一DRAM芯片各自所在的区域均至少部分交叠。
7.一种芯片的集成方法，所述方法包括：
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一DRAM晶粒包括多个DRAM存储阵列和用于传输所述DRAM存储阵列的数据的第一接口，
9.如权利要求7所述的方法，其中，所述多个第一DRAM晶粒与所述多个数据转接晶粒一一对应相连接，并且一一相对应的所述第一DRAM晶粒和所述数据转接晶粒具有相同的尺寸。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述多个数据转接晶粒之间具有划片道，并且其中，所述至少一个处理器晶粒通过所述划片道与所述第一合封晶圆上对应的多个第一DRAM晶粒进行数据传输。
11.如权利要求9或10所述的方法，其中，所述数据转接晶粒的第一表面还包括第四接口，并且其中，所述目标DRAM晶圆为至少一个第二DRAM晶圆与第一DRAM晶圆堆叠得到的合封晶圆，所述第一DRAM晶圆包括所述多个第一DRAM晶粒，所述至少一个第二DRAM晶圆中的每个第二DRAM晶圆包括多个第二DRAM晶粒，所述多个第二DRAM晶粒与所述多个数据转接晶粒的位置一一对应并且一一对应的所述第二DRAM晶粒和所述数据转接晶粒具有相同的尺寸，并且其中，所述至少一个第二DRAM晶圆中的每个第二DRAM晶圆上的第二DRAM晶粒分别连接到一一对应的数据转接晶粒的第四接口。
12.如权利要求9或10所述的方法，其中，所述处理器芯片的尺寸与所述多个第一DRAM芯片的数量相关联。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述处理器芯片在所述第一平面上的正投影与所述多个第一DRAM芯片各自所在的区域均至少部分交叠。
14.如权利要求8-12中任一项所述的方法，其中，所述处理器晶圆为基于所述处理器晶粒和所述多个第一DRAM芯片的数量进行重建而得到的晶圆。
15.如权利要求7-12中任一项所述的方法，其中，所述目标DRAM晶圆和所述数据转接晶圆是利用晶圆堆叠技术进行合封的。
16.如权利要求7-12中任一项所述的方法，其中，所述第一合封晶圆和所述处理器晶圆是利用芯片和晶圆堆叠技术进行合封的。
17.一种电子设备，包括：
18.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使所述计算机执行根据权利要求7-16中任一项所述的方法。
19.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其中，所述计算机程序在被处理器执行时实现权利要求7-16中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：
2.如权利要求1所述的集成芯片，其中，所述集成芯片包括多个所述数据转接芯片，所述多个第一dram芯片和所述多个数据转接芯片一一对应相连接，并且一一对应相连接的所述第一dram芯片和所述数据转接芯片具有相同的尺寸。
3.如权利要求2所述的集成芯片，其中，所述多个数据转接芯片之间具有划片道，并且所述处理器芯片通过所述划片道与所述多个数据转接芯片的所述第三接口相连接。
4.如权利要求2或3所述的集成芯片，其中，所述数据转接芯片的第一表面还包括第四接口，所述集成芯片还包括：
5.如权利要求2-4中任一项所述的集成芯片，其中，所述处理器芯片的尺寸与所述多个第一dram芯片的数量相关联。
6.如权利要求5所述的集成芯片，其中，所述处理器芯片在所述第一平面上的正投影与所述多个第一dram芯片各自所在的区域均至少部分交叠。
7.一种芯片的集成方法，所述方法包括：
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一dram晶粒包括多个dram存储阵列和用于传输所述dram存储阵列的数据的第一接口，并且所述第一接口分布在所述第一dram晶粒的表面，所述数据转接晶粒的第一表面包括与所述第一接口连接的第二接口，所述数据转接晶粒的第二表面包括用于与所述处理器晶粒相连接的第三接口，并且其中，所述数据转接晶粒用于在所述第二接口和所述第三接口之间进行数据的路由。
9.如权利要求7所述的方法，其中，所述多个第一dram晶粒与所述多个数据转接晶粒一一对应相连接，并且一一相对应的所述第一dram晶粒和所述数据转接晶粒具有相同的尺寸。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述多个数据转接晶粒之间具有划片道，并且其中，所述至少一个处理器晶粒通过所述划片道与所述第一合封晶圆上对应的多个第一d...
【专利技术属性】
技术研发人员：王峰，吴恒，安方亮，
申请(专利权)人：北京比特大陆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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