【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及到一种快恢复ニ极管器件的结构和制作エ艺，尤其涉及ー种新型的具有低正向压降的沟槽结构侵入PN结的肖特基快恢复ニ极管器件的结构和制作エ艺。
技术介绍
具有沟槽结构的半导体器件，已成为器件发展的重要趋势。对于功率半导体器件，不断降低导通压降或不断提高电流密度的要求成为器件发展的重要趋势。结势垒型肖特基整流器的专利技术人B J Baliga提出了ー种侵入PN结的肖特基势垒整流器(MPS)，如图I所示，器件的表面含有多个P型导电材料区103，在P型导电材料区之间半导体材料表面为肖特基势垒结104。当器件加反向偏压时，多个P型导电材料区103产生的耗尽层在肖特基势垒结4下发生交叠，从而减缓了肖特基势垒结4区域电场强度随反 向偏压增加而增加的趋势。其制造方法包括如下步骤第一歩，准备高浓度杂质掺杂的N型衬底层101上具有轻浓度杂质掺杂的N型漂移层102的硅片；第二步，进行热处理，在硅片表面生长氧化层105 ;第三步，进行一次光刻腐蚀，在硅片表面去除多个区域的氧化层;第四步，在多个裸露硅区域进行硼扩散，从而形成P型导电材料区103、保护环106和分压环107 ;...
【技术保护点】
一种快恢复二极管，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电类型半导体材料；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电类型半导体材料；多个沟槽，位于漂移层表面；绝缘介质，位于沟槽与沟槽之间的半导体材料上表面和器件边缘表面；第一P型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽侧壁和绝缘介质的漂移层中；第二P型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽底部的漂移层中；肖特基势垒层，位于沟槽侧壁的第一导电类型半导体材料表面；分压环装置，为一个或多个沟槽，且整个临靠其沟槽的半导体材料被设置为第二导电类型半导体材料，位于如上所述的半导体装置周围。
【技术特征摘要】
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