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本发明涉及一种快恢复二极管器件，还涉及一种快恢复二极管器件的制造方法；本发明将沟槽结构加入到传统侵入PN结的肖特基势垒的整流器(MPS)结构中，本发明的一种快恢复二极管器件与传统MPS器件相比具有更低正向压降和更高的电流密度。...
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