一种二极管的制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种二极管的制备工艺，该制备工艺包括硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶、去胶冲洗、再次涂覆光阻胶、烘干、冷却、曝光显影、自动检测、划片、酸腐蚀、去除光阻胶、再次镀镍、碱洗、上胶、胶固化、模压、后固化、电镀等工序。本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术二极管的制备工艺，通过在硅片的图形化处理前对采用的硅片进行清洗，并在过程中严格的控制清洗温度和PH值，去除硅片在加工过程中带入的杂质污染物，并确保经过清洗后的硅片不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在检测过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本发明专利技术的方法可将产品良品率提高5%左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二极管的生产
，特别涉及一种二极管的制备工艺。
技术介绍
二极管又称晶体二极管，它是一种具有单向传导电流的电子元件，因其安全、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固等优点，已逐步得到推广，目前广泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。随着二极管在市场上的广泛应用，其需求量也就越来越高。其中，硅片，其质量对后续制备二极管的性能和成品率有很大的影响，高品质二极管产品的生产首先要保证硅片的质量。因此，研发一种能够提高硅片合格率并确保后期二极管制备质量的二极管的制备工艺势在必行。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够提高硅片合格率并确保后期二极管制备质量的二极管的制备工艺。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种二极管的制备工艺，其创新点在于：所述制备工艺包括如下步骤：(1)在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；(2)将步骤(1)中涂覆光阻胶的硅片进行去胶处理，然后用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在18～20℃℃，冲洗持续8～12min；冲洗完成后再通过离心甩干6～8min；(3)将清洗好的硅片送至匀胶工艺治具再次涂覆光阻胶，并用片盒进行扫描计数，使得匀胶厚度可达100μm～300μm；(4)匀胶结束的硅片在100～120℃的条件下烘烤40～70s，再降温至18～22℃进行冷却，冷却25～35s；(5)冷却后的硅片的N+面进行曝光，曝光部分的硅片用显影液腐蚀，处理得图形化硅片，并去除图形间隙处光阻胶；(6)通过自动检测仪对步骤(4)中图形化硅片进行自动检测，有掉胶的被分拣出，没有掉胶缺陷的进入下一工序；(7)利用硅片N+面的图形间隙作为划片下刀参考线进行划片，形成单个芯片；(8)对芯片台面进行酸腐蚀，去除划片过程中对芯片造成的损伤，然后去除表面的光阻胶，再次镀镍；(9)将芯片的P+、N+面分别通过焊料焊接引线，然后经碱洗、梳条后进行上胶、胶固化、模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。进一步地，所述步骤(8)中芯片台面进行酸腐蚀，采用HNO3-HF-H3PO4混合酸，腐蚀时间为150-200S，酸温控制在5-10℃。进一步地，所述步骤(9)中的碱洗采用质量浓度为2-5％的KOH溶液，碱洗80-100S，碱液温度控制在60-80℃。本专利技术的优点在于：本专利技术二极管的制备工艺，通过在硅片的图形化处理前对采用的硅片进行清洗，并在过程中严格的控制清洗温度和PH值，去除硅片在加工过程中带入的杂质污染物，并确保经过清洗后的硅片不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在检测过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本专利技术的方法可将产品良品率提高5％左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1本实施例二极管的制备工艺，该制备工艺具体步骤如下：(1)在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；(2)将步骤(1)中涂覆光阻胶的硅片进行去胶处理，然后用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在18～20℃℃，冲洗持续8～12min；冲洗完成后再通过离心甩干6～8min；(3)将清洗好的硅片送至匀胶工艺治具再次涂覆光阻胶，并用片盒进行扫描计数，使得匀胶厚度可达100μm～300μm；(4)匀胶结束的硅片在100～120℃的条件下烘烤40～70s，再降温至18～22℃进行冷却，冷却25～35s；(5)冷却后的硅片的N+面进行曝光，曝光部分的硅片用显影液腐蚀，处理得图形化硅片，并去除图形间隙处光阻胶；(6)通过自动检测仪对步骤(4)中图形化硅片进行自动检测，有掉胶的被分拣出，没有掉胶缺陷的进入下一工序；(7)利用硅片N+面的图形间隙作为划片下刀参考线进行划片，形成单个芯片；(8)对芯片台面进行酸腐蚀，采用HNO3-HF-H3PO4混合酸，腐蚀时间为150-200S，酸温控制在5-10℃，去除划片过程中对芯片造成的损伤，然后去除表面的光阻胶，再次镀镍；(9)将芯片的P+、N+面分别通过焊料焊接引线，然后经碱洗，采用质量浓度为2-5％的KOH溶液，碱洗80-100S，碱液温度控制在60-80℃；再通过梳条，梳条后进行上胶、胶固化、模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。下表是实施例1二极管的制备方法与传统制备方法制备得的二极管产品良率的对比：传统实施例一产品良率≥90％≥95％由上表可以看出，实施例1二极管的制备工艺，通过在硅片的图形化处理前对采用的硅片进行清洗，并在过程中严格的控制清洗温度和PH值，去除硅片在加工过程中带入的杂质污染物，并确保经过清洗后的硅片不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在检测过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本专利技术的方法可将产品良品率提高5％左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征以及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤：（1）在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；（2）将步骤（1）中涂覆光阻胶的硅片进行去胶处理，然后用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在18～20℃℃，冲洗持续8～12min；冲洗完成后再通过离心甩干6～8min；（3）将清洗好的硅片送至匀胶工艺治具再次涂覆光阻胶，并用片盒进行扫描计数，使得匀胶厚度可达100µm～300µm；（4）匀胶结束的硅片在100～120℃的条件下烘烤40～70s，再降温至18～22℃进行冷却，冷却25～35s；（5）冷却后的硅片的N+面进行曝光，曝光部分的硅片用显影液腐蚀，处理得图形化硅片，并去除图形间隙处光阻胶；（6）通过自动检测仪对步骤（4）中图形化硅片进行自动检测，有掉胶的被分拣出，没有掉胶缺陷的进入下一工序；（7）利用硅片N+面的图形间隙作为划片下刀参考线进行划片，形成单个芯片；（8）对芯片台面进行酸腐蚀，去除划片过程中对芯片造成的损伤，然后去除表面的光阻胶，再次镀镍；（9）将芯片的P+、N+面分别通过焊料焊接引线，然后经碱洗、梳条后进行上胶、胶固化、模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。...

【技术特征摘要】
1.一种二极管的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤：（1）在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；（2）将步骤（1）中涂覆光阻胶的硅片进行去胶处理，然后用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在18～20℃℃，冲洗持续8～12min；冲洗完成后再通过离心甩干6～8min；（3）将清洗好的硅片送至匀胶工艺治具再次涂覆光阻胶，并用片盒进行扫描计数，使得匀胶厚度可达100µm～300µm；（4）匀胶结束的硅片在100～120℃的条件下烘烤40～70s，再降温至18～22℃进行冷却，冷却25～35s；（5）冷却后的硅片的N+面进行曝光，曝光部分的硅片用显影液腐蚀，处理得图形化硅片，并去除图形间隙处光阻胶；（6）通过自动检测仪对步骤（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32