【技术实现步骤摘要】
本技术涉及实现反向阻断MOSFET的封装结构，尤其是通过使用G-S同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构，属于半导体封装
技术介绍
MOSFET 是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其中VDMOS也是应用较广泛的一种器件。目前，普通VDMOS中存在寄生二极管D1，如图1所示，该寄生二极管都是正向阻断，反向容易导通，该寄生二极管可以用于MOSFET 器件在关断时的续流，但由于自身性能较差，在反向恢复中产生巨大损耗，续流作用能力差，难以满足大电流等工作状态的续流。目前，能实现MOSFET体寄生二极管反向阻断的方法大多都是通过改变器件本身结构来达到反向阻断的目的，并通过外置快速恢复二极管，使器件关断时的续流电流流经外置快速恢复二极管，以此来降低器件反向恢复的损耗。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，从封装
出发，提供一种多芯片封装结构，使其实现MOSFET寄生二极管反向阻断的目的，且通过恢复二极管进行续流，降低器件反向恢复时产生的损耗。为实现以上技术目的，本技术的技术方案是：一种能实现MOSFET反向阻断的多芯片封装...
【技术保护点】
一种使用G‑S同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构，包括第一芯片（1）、第二芯片（2）、第三芯片（3）和包封体（4），其特征在于：所述第一芯片（1）的背面焊接在包封体（4）的底部，所述第二芯片（2）正面朝下设于第一芯片（1）上，所述第三芯片（3）位于第一芯片（1）和第二芯片（2）侧面，所述第三芯片（3）的背面焊接在包封体（4）的底部；所述第一芯片（1）和第二芯片（2）均为MOSFET器件，所述第一芯片（1）的正面设有第一栅极（1.1）、第一源极（1.3）和G极（1.4），背面设有第一漏极（1.2），所述第二芯片（2）的正面设有第二栅极（2.1）和第二源极（2.3）...
【技术特征摘要】
1.一种使用G-S同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构，包括第一芯片（1）、第二芯片（2）、第三芯片（3）和包封体（4），其特征在于：所述第一芯片（1）的背面焊接在包封体（4）的底部，所述第二芯片（2）正面朝下设于第一芯片（1）上，所述第三芯片（3）位于第一芯片（1）和第二芯片（2）侧面，所述第三芯片（3）的背面焊接在包封体（4）的底部；所述第一芯片（1）和第二芯片（2）均为MOSFET器件，所述第一芯片（1）的正面设有第一栅极（1.1）、第一源极（1.3）和G极（1.4），背面设有第一漏极（1.2），所述第二芯片（2）的正面设有第二栅极（2.1）和第二源极（2.3），背面设有第二漏极（2.2）；所述第三芯片（3）为快速恢复二极管，所述快速恢复二极管的正面和背面分别设有正极（3.1）和负极（3.2）；所述第一栅极（1.1）和G极（1.4）是相互导通的，所述第一栅极（1.1）和第二栅极（2.1）焊接，所述第一源极（1.3）和第二源极（2.3）焊接；所述包封体（4）的引出端为栅极（5）、漏极（6）和源极（7），所述栅极（5）与G极（1.4）通过打线连接，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：白玉明，杜丽娜，张海涛，
申请(专利权)人：无锡同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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