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本实用新型涉MOSFET的多芯片封装结构，尤其是使用G‑S同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片和包封体，其特征在于：所述第一芯片的背面焊接在包封体的底部，所述第二芯片正面朝下设于第一芯片上，所述第...
该专利属于无锡同方微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡同方微电子有限公司授权不得商用。

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