一种快速恢复二极管制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，具体涉及一种快速恢复二极管。
技术介绍
快速开关器件是电力系统、机车牵引、新能源等高端市场中所需要的基本元器件，快速恢复二极管(FRD)作为开关器件的续流二极管被大量应用。对快速恢复二极管的重要要求是器件的功率损耗小，这要求器件的开关速度快(以关断过程中的电流恢复时间tr小来标志)以减小开关损耗，反向漏电IR小以减小断态损耗，正向压降Von小以减小通态损耗。一种有效的减小tr的方法是提高器件中复合中心的密度，以降低过剩载流子的寿命，从而加速在导通状态时积累于器件中的过剩载流子的复合，这种减小tr的方法被称作寿命控制。现有的寿命控制技术大致包括整体寿命控制技术和局域寿命控制技术两大类。整体寿命控制技术是在遍及整体半导体器件各区域产生复合中心，然而减小tr的同时会造成不同程度的IR变大、Von变大等不良后果。作为对整体寿命控制技术的一种改进，局域寿命控制技术是只在对减小tr最有效的很小的局部区域内(比如在电流流动方向上靠近PN结的地方)产生复合中心，而在对减小tr效果不大却对IR、Von等其它性能影响很大的其它区域不产生复合中心，由此降低了IR变大、Von变大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速恢复二极管，其特征在于，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。

【技术特征摘要】
1.一种快速恢复二极管，其特征在于，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。2.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述第二导电类型半导体层(4)形成在所述第一导电类型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴迪，刘钺杨，何延强，和峰，金锐，温家良，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，国网浙江省电力公司，
类型：新型
国别省市：北京;11