测量半导体衬底上的感光树脂薄膜的厚度的方法与装置制造方法及图纸

一种用来测量衬底，如半导体晶片上的透明薄膜，如感光树脂的厚度或折射率的横向变化的方法和装置。该薄膜被包括多种波长的光束照明。代表来自薄膜的各波长反射光的强度变化的信号被按主频分解。为控制薄膜的涂敷或去除实时使用模向厚度变化测量。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
,特别是半导体衬底上的感光树脂薄膜的厚度的方法与装置的制作方法
本专利技术涉及一种测量衬底上的透明薄膜的厚度或折射率的方法和装置，本专利技术对测量半导体衬底上的感光树脂薄膜的厚度变化非常有用，为此下面就这方面应用对本专利技术进行描述。典型的半导体制作过程要使用多于17个照相平面制版步骤。各步骤中，在半导体(例如硅片)表面上沉积感光树脂材料(PR)，并使用光学制版过程将图案复制在PR上。然后在下列如刻蚀、注入、沉积、刻图、研磨等步骤中，用这个带图案的PR作为掩模层。一个照相平面制版过程包括下列步骤a)成膜，其中在晶片上均匀涂覆PR层；b)烘烤，其中以中温烘烤PR以烘干其中的溶剂；c)曝光，其中晶片通过一个掩模被曝光，其中所需图案显现为不透明印制；d)显影，其中应用化学方法从晶片上去掉已曝光的PR；e)曝光后烘烤，其中为了固化感光树脂，在曝光后对晶片进行烘烤。该照相平面制版过程是半导体工业中使用的最富挑战性的技术之一，在敏感层中印制的图案为整个技术设置了尺寸极限。今天在产品中获得的最小线宽是0.18μm(1/1000mm)；预期下一代技术可以获得0.1μm甚至更低的最小线宽。为在各晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量衬底上的透明薄膜的由厚度和折射率构成的组中选出的一个性质的横向变化的方法，包括下列步骤：（ａ）用多波长的光束照明薄膜；（ｂ）探测来自透明薄膜的各波长的反射光强；（ｃ）产生代表作为被探测光波长的函数的被探测光强度变化的信号；（ｄ）将上述信号分解为其主频；（ｅ）从上述主频确定透明薄膜的性质的横向变化。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥夫杜努尔，
申请(专利权)人：特维特过程控制技术有限公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]