【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制备方法
本专利技术涉及封装
，特别涉及一种封装结构及其制备方法。
技术介绍
电子产品的飞速发展要求封装结构朝着面积更小、厚度更薄的方向不断演进。现有的芯片埋入式封装结构受现有制备方法限制，产品集成度低且生产成本高。
技术实现思路
本申请提供一种封装结构及其制备方法，用以提高封装结构的集成度和降低封装结构的生产成本。本申请所述封装结构的制备方法，包括：提供金属板，在所述金属板的背面形成第一钝化层；蚀刻所述金属板，以形成金属走线；在所述第一钝化层之设有所述金属走线的一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层包覆所述金属走线；在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱，所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述金属走线和所述金属柱共同构成重布线层；在所述重布线层上形成容纳腔，将电子器件封装于所述容纳腔中，所述电子器件的顶面和底面分别位于所述金属走线的两侧。本申请所述的制备方法，通过先形成所述金属走线，然后在所述金属走线的相对...
【技术保护点】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供金属板，在所述金属板的背面形成第一钝化层；/n蚀刻所述金属板，以形成金属走线；/n在所述第一钝化层之设有所述金属走线的一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层包覆所述金属走线；/n在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱，所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述金属走线和所述金属柱共同构成重布线层；/n在所述重布线层上形成容纳腔，将电子器件封装于所述容纳腔中，所述电子器件的顶面和底面分别位于所述金属走线的两侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供金属板，在所述金属板的背面形成第一钝化层；
蚀刻所述金属板，以形成金属走线；
在所述第一钝化层之设有所述金属走线的一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层包覆所述金属走线；
在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱，所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述金属走线和所述金属柱共同构成重布线层；
在所述重布线层上形成容纳腔，将电子器件封装于所述容纳腔中，所述电子器件的顶面和底面分别位于所述金属走线的两侧。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一表面到所述金属走线背向所述第一钝化层的表面的距离小于所述第一表面到所述顶面的距离。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述顶面到所述重布线层的第二表面的距离为20μm～80μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱包括：
在所述第一钝化层和所述第二钝化层分别形成开口，所述开口露出所述金属走线；
在所述开口中形成所述金属柱。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，通过激光开孔工艺在所述第一钝化层和所述第二钝化层分别形成所述开口。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成于所述第一钝化层的开口和形成于所述第二钝化层的开口相对设置和/或错位设置。
7.根据权利要求6所述的制备...
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