封装基板制备方法技术

本发明专利技术适用于印制线路板技术领域，公开了一种封装基板制备方法，封装基板制备方法用于制造供芯片封装的封装基板，其包括：提供母材，母材具有铜层以及覆盖于铜层的金属保护层，采用激光刻蚀工艺在金属保护层上刻蚀线路，并裸露出铜层；沿裸露的铜层进行蚀刻得到精细线路；褪掉金属保护层，漏出铜层精细线路，得到半成品；对半成品镀铜，得到具有成品精细线路的封装基板，通过激光刻蚀工艺对金属保护层蚀刻，再对裸露的铜层进行蚀刻，得到具有线宽/线距小于等于20/20um精细线路的封装基板，该制备方法简单，成本低，可实现大批量制备，提高了生产效率，而且还能够保持高良率。

Preparation method of packaging substrate

【技术实现步骤摘要】
封装基板制备方法
本专利技术涉及印制线路板
，尤其涉及一种封装基板制备方法。
技术介绍
随着芯片微型化发展，芯片的功能越来越强大，而体积却越来越小，因此，对于芯片中的封装基板的尺寸及排线密集度也有了更高的要求。根据行业内对于封装基板中线路的要求，由普通的设计的L/S(线宽/线距)＝35/35um演变为一般的25/25um以及正在使用的20/20um或更小的精细线路。传统的封装基板采用减成方法来制作线路，但受限于该技术本身，其极限精细线路水准是50/50um，而通过搭配超薄铜箔的加成法或半加成法，其精细线路的水准能达到20/20um，但其原物料及流程成本高昂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种封装基板制备方法，其旨在解决现有的封装基板制备方法制备具有精细线路的封装基板成本高昂的技术问题。为达到上述目的，本专利技术提供的方案是：一种封装基板制备方法，用于制造供芯片封装的封装基板，所述封装基板制备方法包括：提供母材，所述母材具有铜层以及覆盖于所述铜层的金属保护层，采用激光刻蚀工艺在所述金属保护层上刻蚀线路，并裸露出铜层；沿所述裸露的铜层进行蚀刻得到精细线路；褪掉所述金属保护层，漏出铜层精细线路，得到半成品；对所述半成品镀铜，得到具有成品精细线路的封装基板。作为一种改进方式，所述母材的制备方法包括：提供具有双面第一铜层的基板，在所述基板上设置通孔和/或盲孔，且所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔至少贯穿所述基板单面的所述铜层；>在所述第一铜层、所述通孔和/或所述盲孔的表面镀铜，以在所述第一铜层形成第二铜层和在所述通孔和/或所述盲孔的表面形成第三铜层，所述第一铜层和所述第二铜层形成所述铜层；在所述第二铜层表面镀上金属保护层。作为一种改进方式，所述母材的制备方法还包括：在所述基板上设置通孔和/或盲孔之前，将所述第一铜层的厚度减薄至3-12um。作为一种改进方式，所述金属保护层的厚度为3-5um。作为一种改进方式，所述金属保护层为锡层或镍层。作为一种改进方式，沿所述裸露的铜层进行蚀刻得到精细线路的步骤中，采用碱性蚀刻液蚀刻裸露的铜层。作为一种改进方式，对所述半成品镀铜具体包括：在所述铜层精细线路及所述通孔和/或盲孔的孔壁镀铜。作为一种改进方式，所述封装基板制备方法还包括：对所述半成品镀铜，具有成品精细线路的封装基板之后，进行以下工序：在所述通孔及精细线路表面覆盖油墨，形成油墨层；对完成油墨处理工序的成品盖上干膜并开窗漏出焊盘和线路手指；对开窗漏出的所述焊盘和所述线路手指进行表面处理，并褪掉所述干膜；对均未进行表面处理的精品线路及孔壁进行蚀刻退铜，得到封装基板成品；对所述封装基板成品进行切割，制得封装基板。作为一种改进方式，所述精细线路的线宽/线距小于等于20/20um。本专利技术提供的封装基板制备方法通过在母材金属保护层上刻蚀线路，接着沿裸露的铜层进行蚀刻得到精细线路，再褪掉金属保护层，漏出铜层精细线路，得到半成品，最后对半成品镀铜，得到具有成品精细线路的封装基板，这样，通过激光刻蚀工艺可以一次成型具有线宽/线距小于等于20/20um精细线路的封装基板，该制备方法简单，成本低，可实现大批量制备，提高了生产效率，而且还能够保持高良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的封装基板制备方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的母材的制备方法的流程示意图；图3是本专利技术实施例提供的封装基板制备过程的结构变化示意图。附图标号说明：1、母材；11、铜层；111、第一铜层；112、第二铜层；12、金属保护层；13、基板；14、通孔；15、第三铜层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。另外，在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。请参阅图1-3，本专利技术实施例公开的封装基板制备方法S100，用于制造供芯片封装的封装基板，封装基板制备方法S100包括：步骤S10，提供母材1，母材1具有铜层11以及覆盖于铜层11的金属保护层12，采用激光刻蚀工艺在金属保护层12上刻蚀线路，并裸露出铜层11。步骤S20，沿裸露的铜层11进行蚀刻得到精细线路，精细线路的线宽/线距小于等于20/20um。优选地，利用碱性蚀刻液把裸露的铜层11蚀刻去掉，留下的部分即为精细线路，碱性蚀刻液可以为氢氧化钠蚀刻液，也可以为氯化铵铜蚀刻液，当然了，还可以选择现有技术中其他蚀刻方法把裸露的铜层11去掉，在此不作具体说明。步骤S30，褪掉金属保护层12，漏出铜层精细线路，得到半成品，具体为，利用酸性蚀刻液把金属保护层12蚀刻去掉，酸性蚀刻液可以为盐酸-三氯化铁、盐酸-氯气、盐酸-双氧水、盐酸-氯化钠或者酸性氯化铜蚀刻液。当然了，还可以选择现有技术中其他蚀刻方法把金属保护层12褪掉，在此不作具体说明。步骤S40，对半成品镀铜，得到具有成品精细线路的封装基板。本实施例的封装基板制备方法通过激光刻蚀工艺对金属保护层12蚀刻，再对裸露的铜层11进行蚀刻，得到具有线宽/线距小于等于20/20um精细线路的封装基板，该制备方法简单，成本低，可实现大批量制备，提高了生产效率，而且还能够保持高良率。请参阅图1-图2，母材1的制备方法包括：步骤S11，提供具有双面第一铜层111的基板13，在基板13上设置通孔14和/或盲孔(图未本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板制备方法，用于制造供芯片封装的封装基板，其特征在于，所述封装基板制备方法包括：/n提供母材，所述母材具有铜层以及覆盖于所述铜层的金属保护层，采用激光刻蚀工艺在所述金属保护层上刻蚀线路，并裸露出铜层；/n沿所述裸露的铜层进行蚀刻得到精细线路；/n褪掉所述金属保护层，漏出铜层精细线路，得到半成品；/n对所述半成品镀铜，得到具有成品精细线路的封装基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装基板制备方法，用于制造供芯片封装的封装基板，其特征在于，所述封装基板制备方法包括：
提供母材，所述母材具有铜层以及覆盖于所述铜层的金属保护层，采用激光刻蚀工艺在所述金属保护层上刻蚀线路，并裸露出铜层；
沿所述裸露的铜层进行蚀刻得到精细线路；
褪掉所述金属保护层，漏出铜层精细线路，得到半成品；
对所述半成品镀铜，得到具有成品精细线路的封装基板。


2.如权利要求1所述的封装基板制备方法，其特征在于，所述母材的制备方法包括：
提供具有双面第一铜层的基板，在所述基板上设置通孔和/或盲孔，且所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔至少贯穿所述基板单面的所述铜层；
在所述第一铜层、所述通孔和/或所述盲孔的表面镀铜，以在所述第一铜层形成第二铜层和在所述通孔和/或所述盲孔的表面形成第三铜层，所述第一铜层和所述第二铜层形成所述铜层；
在所述第二铜层表面镀上金属保护层。


3.如权利要求2所述的封装基板制备方法，其特征在于，所述母材的制备方法还包括：在所述基板上设置通孔和/或盲孔之前，将所述第一铜层的厚度减薄至3-12um。


4.如权利要求1所述的封装基板制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：康孝恒，蔡克林，唐波，杨飞，李瑞，许凯，蒋乐元，
申请(专利权)人：深圳市志金电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44