半导体封装件制造技术

本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面；第一包封剂，覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面的至少一部分；连接结构，具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层，重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层；以及金属层，设置在第一包封剂的上表面上，并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度，并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年11月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0139087号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，例如，涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
随着电子装置变得更小并且其性能变得更高，组件之间的距离变得更近并且操作速度大大增加。结果，由于组件之间的电磁波干扰导致的装置故障的问题一直是个问题。最近，对电磁屏蔽技术的兴趣不断增长。在智能手机的情况下，电磁屏蔽技术仅应用于一些芯片(诸如初始通信芯片)，然而，最近，电磁屏蔽技术的应用已经扩展到AP、RF芯片等。主要使用金属罐结构或诸如溅射的沉积方法作为电磁波屏蔽技术。当使用诸如溅射的沉积方法时，由于在分割半导体封装件之后根据EMI屏蔽层的形成，甚至在封装件的下表面上形成溅射层，因此会出现诸如外观缺陷、焊料球、电短路等的缺陷，并且EMI屏蔽特性会劣化。
技术实现思路
本公开的一方面在于提供一种显著减少缺陷发生并改善屏蔽性能的半导体封装件。根据本公开的一个方面，在半导体封装件中，连接结构以多级的形式形成，并且EMI屏蔽层形成为不延伸到下端部。例如，一种半导体封装件可包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面；第一包封剂，覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面中的每个的至少一部分；连接结构，具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层，重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层；以及金属层，设置在第一包封剂的上表面上，并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度，并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。另外，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面；包封剂，覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面中的每个的至少一部分；连接结构，具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上并具有不同宽度的第一区域和第二区域并且包括重新分布层，重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层；以及金属层，设置在包封剂的上表面上，并且从包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面，并且连接到位于第一区域中的接地图案层。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更加清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和被封装之后的状态的示意性剖视图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性剖视图；图5是示出扇入型半导体封装件安装在中介基板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性剖视图；图6是示出扇入型半导体封装件嵌入中介基板中并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性剖视图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性剖视图；图8是示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性剖视图；图9是示出半导体封装件的示例的示意性剖视图；图10是沿着图9的半导体封装件的线I-I'截取的示意性平面图；图11A至图11D是示出制造图9的半导体封装件的示例的示意性工艺图；图12是示出半导体封装件的另一示例的示意性剖视图；图13是示出半导体封装件的另一示例的示意性剖视图；图14是示出半导体封装件的另一示例的示意性剖视图；并且图15是示出根据本公开的半导体封装件应用于电子装置的情况的效果的示意性平面图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。电子装置图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可容纳母板(或主板)1010。母板1010可包括物理连接或电连接到其的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可通过各种信号线1090连接到以下将描述的其他组件。芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片等，诸如模拟数字转换器、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，并且可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。网络相关组件1030可包括被指定为根据诸如以下的协议操作的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气和电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、演进数据最优化(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任意其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是也可包括被指定为根据各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议操作的组件。此外，网络相关组件1030可与上述芯片相关组件1020一起彼此组合。其他组件1040可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而，其他组件1040不限于此，而是也可包括用于各种其他目的的无源组件等。此外，其他组件1040可与上述芯片相关组件1020或网络相关组件1030一起彼此组合。根据电子装置1000的类型，电子装置1000包括可物理连接或电连接到主板1010或者可不物理连接或电连接到主板1010的其他组件。这些其他组件可包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频编解码器(未示出)、视频编解码器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南针(未示出)、加速计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、大容量存储单元(例如，硬盘驱动器)(未示出)、光盘(CD)驱动器(未示出)、数字通用光盘(DVD)驱动器(未示出)等。然而，这些其他组件不限于此，而是还可根据电子装置1000的类型等而包括用于各种目的的其他组件。电子装置1000可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板PC、膝上型PC、上网本PC、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车组件等。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；/n第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分；/n连接结构，具有顺序地设置在所述半导体芯片的所述有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述半导体芯片的所述连接垫并包括接地图案层；以及/n金属层，设置在所述第一包封剂的上表面上，并从所述第一包封剂的所述上表面延伸到所述连接结构的所述第一区域的侧表面，/n其中，所述连接结构的所述第一区域具有第一宽度，并且所述第二区域具有小于所述第一宽度的第二宽度。/n

【技术特征摘要】
20181113 KR 10-2018-01390871.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；
第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分；
连接结构，具有顺序地设置在所述半导体芯片的所述有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述半导体芯片的所述连接垫并包括接地图案层；以及
金属层，设置在所述第一包封剂的上表面上，并从所述第一包封剂的所述上表面延伸到所述连接结构的所述第一区域的侧表面，
其中，所述连接结构的所述第一区域具有第一宽度，并且所述第二区域具有小于所述第一宽度的第二宽度。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件包括台阶，所述台阶形成在所述连接结构的所述第一区域和所述第二区域之间的边界处。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接结构的所述接地图案层设置在所述第一区域中，并且连接到所述金属层。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接结构的所述第二区域具有倾斜的侧表面，以远离所述第一区域而变窄。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一包封剂和所述连接结构的所述第一区域中的每个具有倾斜的侧表面，所述倾斜的侧表面朝向所述第二区域变宽。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属层使所述连接结构的所述第二区域暴露。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接结构的所述第一区域和所述第二区域分别包括绝缘层，并且
所述第一区域的所述绝缘层覆盖所述重新分布层。


8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述第一区域的所述绝缘层的一部分从所述连接结构的所述第一区域和所述第二区域之间的下表面暴露。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一区域和所述第二区域中的一个包括所述重新分布层，并且所述第一区域和所述第二区域中的另一个包括另外的重新分布层。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接结构的所述第二区域包括钝化层，所述钝化层具有使所述连接结构的最下面的重新分布层的部分暴露的开口。


11.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东俊，李硕浩，姜周锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR