【技术实现步骤摘要】
本公开涉及测试元件组(teg)电路、包括teg电路的半导体器件、以及teg电路的测试方法。
技术介绍
1、与片外不同，难以将准确的电压直接供应到片上的晶体管的漏极、栅极、源极和本体。具体地，为了测量片上结构中的晶体管的电特性，必须准确地控制漏极电压，因此在片上结构中，需要单独的电路来准确地供应漏极电压。例如，现有技术需要数模转换器(dac)基于数字代码生成要供应到漏极的电压，以及模数转换器(adc)将测试结果转换为数字代码，并且dac和adc增加了待测试片上的尺寸和复杂度。当为了减小dac和adc的面积而减少dac和adc的输入/输出比特数时，在产生漏极电压和测量测试结果时可能增加分辨率，从而导致准确性降低。
2、在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对专利技术背景的理解，并且因此其可以包含不构成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本专利技术旨在提供一种teg电路、半导体器件、以及teg电路的测试方法，其可以准确控制测试晶体管的漏极电压，并且可以改进片上晶体管的阈值电压和饱和电流测量准确性。
2、本专利技术的实施例提供了一种测试元件组(teg)电路，该teg电路包括：第一焊盘，被配置为接收供应的测试电压；放大器，包括连接到第一焊盘的第一输入端子、连接到测试晶体管的第一端子的第二输入端子、以及可操作地耦接到第二输入端子的输出端子；可变电阻器，包括连接到放大器的输出端子的第一端子、以及连接到测试晶体管的第一端子的第二端子；以及栅
3、teg电路还可以包括：第二焊盘；第一开关，连接在可变电阻器的第一端子与第二焊盘之间；以及第二开关，连接在可变电阻器的第二端子与第二焊盘之间。
4、在测试电压被供应到第一焊盘期间，当第一开关导通时通过第二焊盘测量的第一电压与当第二开关导通时通过第二焊盘测量的第二电压之间的差可以取决于流过测试晶体管的电流。
5、当通过将第一电压与第二电压之间的差除以可变电阻器的电阻值获得的电流值由于被栅极驱动电路改变的栅极电压的变化而等于或大于预定参考值时，栅极电压可以是测试晶体管的阈值电压。
6、当预定电平的测试电压被供应到第一焊盘并且栅极驱动电路将与预定电平的测试电压相同电平的栅极电压供应到测试晶体管的栅极时，通过将第一电压与第二电压之间的差除以可变电阻器的电阻值获得的电流值可以指示测试晶体管的饱和电流。
7、可变电阻器可以包括：多个电阻器；以及串联连接的多个开关，分别对应于多个电阻器。在多个电阻器中，可以基于测试晶体管的饱和电流的量来导通与所选择的电阻器连接的开关。
8、teg电路还可以包括连接在第一焊盘与测试晶体管的栅极之间的连接开关。当测量测试晶体管的饱和电流时，连接开关可以导通，并且栅极驱动电路可以不供应栅极电压。
9、teg电路还可以包括连接在放大器的第二输入端子与测试晶体管的栅极之间的连接开关。当测量测试晶体管的饱和电流时，连接开关可以导通，并且栅极驱动电路可以不供应栅极电压；也就是说，栅极驱动电路可以被禁用。
10、栅极驱动电路可以包括：多个电阻器，串联连接在电源电压与地之间；以及多个选择开关，连接在多个电阻器中的两个相邻电阻器连接的多个节点与测试晶体管的栅极之间。
11、teg电路还可以包括：第一引脚，连接到第一焊盘；第二引脚，连接到第二焊盘；第一静电放电(esd)元件，连接在第一焊盘与地之间；以及第二esd元件，连接在第二焊盘与地之间。
12、本专利技术的另一实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：多个测试晶体管；第一焊盘，被配置为接收供应的测试电压；放大器，包括连接到第一焊盘的第一输入端子、第二输入端子和输出端子；可变电阻器，包括连接到放大器的输出端子的第一端子；多路复用器，选择性地将多个测试晶体管中的第一测试晶体管的第一端子和放大器的第二输入端子连接，并且选择性地将第一测试晶体管的第一端子和可变电阻器的第二端子连接；以及栅极驱动电路，向多个测试晶体管的栅极供应栅极电压。
13、多路复用器可以包括：多个第一选择开关，连接在多个测试晶体管的多个第一端子与放大器的第二输入端子之间；以及多个第二选择开关，连接在多个测试晶体管的多个第一端子与可变电阻器的第二端子之间。
14、半导体器件可以导通多个第一选择开关中的与第一测试晶体管的第一端子连接的第一选择开关，并且可以导通多个第二选择开关中的与第一测试晶体管连接的第二选择开关。
15、可变电阻器可以包括：多个电阻器；以及串联连接的多个开关，分别对应于多个电阻器。半导体器件可以基于第一测试晶体管的饱和电流的量来确定多个电阻器中的第一电阻器，并且可以导通多个开关中的与第一电阻器连接的开关。
16、栅极驱动电路可以包括：多个电阻器，串联连接在电源电压与地之间；以及多个选择开关，连接在多个电阻器中的两个相邻电阻器连接的多个节点与多个测试晶体管的栅极之间。
17、栅极驱动电路可以控制多个选择开关以改变栅极电压，以便测量第一测试晶体管的阈值电压。
18、栅极驱动电路可以供应与测试电压相同的栅极电压，以测量第一测试晶体管的饱和电流。
19、本专利技术的另一实施例提供了一种teg电路的测试方法，其中，teg电路包括放大器，该放大器包括连接到第一焊盘的第一输入端子、连接到测试晶体管的第一端子的第二输入端子、以及通过可变电阻器连接到第二输入端子的输出端子，该方法包括：向第一焊盘供应测试电压；向测试晶体管的栅极供应栅极电压；测量可变电阻器的与放大器的输出端子连接的第一端子的电压；测量可变电阻器的与放大器的第二输入端子连接的第二端子的电压；以及通过将可变电阻器的第一端子的电压与可变电阻器的第二端子的电压之间的差除以可变电阻器的电阻值，计算流过测试晶体管的电流值。
20、teg电路的测试方法还可以包括：确定所计算的电流值是否大于或等于预定参考值；当作为确定的结果是所计算的电流值小于参考值时，控制teg电路以增加栅极电压；以及当作为确定的结果是所计算的电流值等于或大于参考值时，将测试晶体管的栅极电压确定为测试晶体管的阈值电压。
21、teg电路的测试方法还可以包括：通过计算当栅极电压与测试电压相同时流过测试晶体管的电流值来测量测试晶体管的饱和电流。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种测试元件组TEG电路，包括：
2.根据权利要求1所述的TEG电路，还包括：
3.根据权利要求2所述的TEG电路，其中，
4.根据权利要求3所述的TEG电路，其中，
5.根据权利要求3所述的TEG电路，其中，
6.根据权利要求1所述的TEG电路，其中，
7.根据权利要求1所述的TEG电路，还包括：
8.根据权利要求1所述的TEG电路，还包括：
9.根据权利要求1所述的TEG电路，其中，
10.根据权利要求1所述的TEG电路，还包括：
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，
14.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括控制电路，其中，
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
18.一种测
19.根据权利要求18所述的TEG电路的测试方法，还包括：
20.根据权利要求18所述的TEG电路的测试方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种测试元件组teg电路，包括：
2.根据权利要求1所述的teg电路，还包括：
3.根据权利要求2所述的teg电路，其中，
4.根据权利要求3所述的teg电路，其中，
5.根据权利要求3所述的teg电路，其中，
6.根据权利要求1所述的teg电路，其中，
7.根据权利要求1所述的teg电路，还包括：
8.根据权利要求1所述的teg电路，还包括：
9.根据权利要求1所述的teg电路，其中，
10.根据权利要求1所述的teg电路，还包括：
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，
13.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李清源，秋教秀，朴永雨，李斘勋，崔镇宇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。