【技术实现步骤摘要】
一些实施例涉及半导体装置和包括该半导体装置的电子系统，并且更具体地，涉及一种包括贯通接触件的半导体装置和一种包括该半导体装置的电子系统。
技术介绍
1、半导体装置由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。半导体装置可以涵盖存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑装置、以及具有存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体装置。
2、近来，电子产品的高速度和低功耗要求嵌入在电子产品中的半导体装置应当具有高的操作速度和/或较低操作电压。然而，半导体装置的集成度的提高会导致半导体装置的电性质和产品良率的降低。因此，已经进行了许多研究以提高半导体装置的电性质和产品良率。
技术实现思路
1、一些实施例提供了一种具有改善的可靠性和电性质的半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。
2、根据一些实施例，一种半导体装置可以包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度可以小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。
3、根据一些实施例，一种半导体装置可以包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；第二栅极堆叠结构，在第一栅极堆叠结构下方
4、根据一些实施例，一种电子系统可以包括：主板；半导体装置，在主板上；以及控制器，在主板上并且电连接到半导体装置。半导体装置可以包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分；以及支撑结构，包括在与第一贯通部分的水平和第一连接部分的水平相同的水平处的第一支撑部分。第一存储器部分的最小宽度可以小于第一贯通部分的最小宽度、第一连接部分的最小宽度和第一支撑部分的最小宽度。存储器沟道结构的最上部分的水平可以低于支撑结构的最上部分的水平。支撑结构的最上部分的水平可以低于贯通接触件的最上部分的水平和连接接触件的最上部分的水平。
5、根据一些实施例，一种制造半导体装置的方法可以包括：形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括彼此交替地堆叠的第一介电层和第一牺牲层；对第一介电层和第一牺牲层进行图案化以形成第一堆叠结构的第一堆叠阶梯结构；形成覆盖第一堆叠结构的第一堆叠阶梯结构的第一阶梯介电层；形成穿透第一堆叠结构的沟道孔、穿透第一堆叠结构的贯通孔和穿透第一阶梯介电层的连接孔；在沟道孔中形成存储器沟道结构；扩展贯通孔和连接孔；以及形成贯通接触件和连接接触件。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一存储器部分的宽度随着所述第一存储器部分的所述水平变低而减小。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一存储器部分的所述最小宽度与所述第一贯通部分的所述最小宽度之间的差在等于或大于80nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述存储器沟道结构还包括穿透所述第二栅极堆叠结构的第二存储器部分，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二存储器部分和所述第二贯通部分穿透所述第二栅极堆叠结构。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一介电图案包括连接到所述第二栅极堆叠结构的连接介电图案，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述连接介电弯曲表面朝向所述贯通接触件凸出。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一贯通部分包括与所述连接介电弯曲表面接触的贯通弯曲表面。
10.一种
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二贯通部分包括连接到所述第一贯通部分的所述第一贯通弯曲表面的第二贯通弯曲表面，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一贯通弯曲表面是凹入的，并且
13.根据权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述存储器沟道结构的最上部分的水平低于所述贯通接触件的最上部分的水平和所述连接接触件的最上部分的水平。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述贯通接触件的所述最上部分的所述水平与所述连接接触件的所述最上部分的所述水平基本相同。
16.根据权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一支撑部分包括连接到所述第二支撑部分的支撑弯曲表面。
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一支撑部分的最小宽度大于所述第一存储器部分的最小宽度。
19.一种电子系统，包括：
20.根据权利要求19所述的电子系统，其中，所述贯通接触件的所述最上部分的所述水平与所述连接接触件的所述最上部分的所述水平基本相同。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一存储器部分的宽度随着所述第一存储器部分的所述水平变低而减小。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一存储器部分的所述最小宽度与所述第一贯通部分的所述最小宽度之间的差在等于或大于80nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述存储器沟道结构还包括穿透所述第二栅极堆叠结构的第二存储器部分，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二存储器部分和所述第二贯通部分穿透所述第二栅极堆叠结构。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一介电图案包括连接到所述第二栅极堆叠结构的连接介电图案，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述连接介电弯曲表面朝向所述贯通接触件凸出。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一贯通部分包括与所述连接介电弯曲表面接触的贯通弯曲表面。
10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴芮鉁，金承允，金希锡，金亨珍，张世熙，申旼树，辛承俊，千相勳，韩智勳，沈载煌，安钟善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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