【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年11月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0138678号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件,更具体地,涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
涉及半导体芯片的技术开发的重大的近期趋势是要减小半导体芯片的尺寸。因此,在封装
,根据对小尺寸半导体芯片等的需求的迅速增长,已需要实现在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。为满足如上所述的技术需求而提出的封装技术的类型之一是扇出型封装件。这样的扇出型封装件具有紧凑的尺寸,并且可通过将连接端子重新分布到其中设置有半导体芯片的区域的外部而允许实现多个引脚。另外,在半导体芯片的情况下,连接垫(pad,或称为“焊盘”或“焊垫”)的材料为铝(Al)或铜(Cu)。在这种情况下,在制造封装件的工艺中,半导体芯片的连接垫暴露于空气、湿气、化学溶液等,这导致腐蚀和损坏。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种新的半导体封装结构,所述半导体封装结构可显著降低半导体芯片的连接垫的腐蚀和损坏,并且能够改善连接过孔的可靠性并减小电阻分布。根据本公开的一方面,可提供一种半导体封装件,在所述半导体封装件中,在封装半导体芯片之前,覆盖垫设置在具有使处于芯片状态的半导体芯片的连接垫暴露的开口的钝化层上。根据本公开的一方面,一种半导体封装件可包括:半导体芯片,包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表 ...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:/n半导体芯片,包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫;/n包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及/n连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层,/n其中,所述覆盖垫包括:/n中央部,设置在所述开口中;以及/n周边部,从所述中央部延伸到所述钝化层上,并且所述周边部的晶粒的尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同。/n
【技术特征摘要】
20181113 KR 10-2018-01386781.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
半导体芯片,包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫;
包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及
连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层,
其中,所述覆盖垫包括:
中央部,设置在所述开口中;以及
周边部,从所述中央部延伸到所述钝化层上,并且所述周边部的晶粒的尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述中央部的所述晶粒的所述尺寸大于所述周边部的所述晶粒的所述尺寸。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述周边部的表面粗糙度大于所述中央部的表面粗糙度。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述中央部设置在所述开口中。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述覆盖垫的形状与所述钝化层的形状、所述开口的内壁的形状以及所述开口的底表面的形状对应。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述周边部的厚度大于或等于1.5μm且小于或等于6μm。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述包封剂的至少一部分布置在所述钝化层和所述连接结构之间。
8.如权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述覆盖垫具有与所述连接垫接触的一个表面以及与所述一个表面背对的另一表面,并且
所述包封剂覆盖所述覆盖垫的至少一部分并且使所述覆盖垫的所述另一表面暴露。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接结构还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且其至少一部分与所述覆盖垫接触,
所述重新分布层设置在所述绝缘层上,并且
所述连接过孔贯穿所述绝缘层并且使所述覆盖垫与所述重新分布层彼此连接。
10.如权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述包封剂的至少一部分布置在所述钝化层和所述绝缘层之间。
11.如权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括具有通孔的框架,
其中,所述半导体芯片设置在所述通孔中,并且
所述包封剂的至少一部分设置在所述通孔中。
12.如权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述框架包括:
第一绝缘层,具有与所述连接结构接触的一个表面;
第一布线层,嵌在所述第一绝缘层中并且与所述连接结构接触;
第二布线层,设置在所述第一绝缘层的与所述第一绝缘层的所述一个表面背对的另一表面上;
第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层的所述另一表面上并且覆盖所述第二布线层;以及
第三布线层,设置在所述第二绝缘层上,
其中,所述第一布线层至所述第三布线层电连接到所述连接垫。
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【专利技术属性】
技术研发人员:崔宰熏,李斗焕,金炳镐,崔朱伶,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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