一种法拉第屏蔽反应腔室制造技术

技术编号:24174151 阅读:35 留言:0更新日期:2020-05-16 03:59
本发明专利技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种法拉第屏蔽反应腔室。包括腔体顶盖、顶盖密封圈、石英管、电感支撑体、腔体密封圈、放电线圈、腔体密封盖、离子聚焦圈,还包括气体分散盘和线圈支架;电感支撑体套在石英管外,石英管上端通过顶盖密封圈与腔体顶盖密封固定连接,气体分散盘安装在腔体顶盖轴心下方,石英管下端通过腔体密封圈与腔体密封盖密封固定连接,离子聚焦圈安装在腔体密封盖下方,电感支撑体一周安装有线圈支架,线圈支架外缠绕有放电线圈。本发明专利技术提供的反应腔室,其可以避免反应腔体与外侧的放电线圈相接触造成短路,可以均匀快速地产生所需的等离子体,且结构简单。

A Faraday shielding reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
一种法拉第屏蔽反应腔室
本专利技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种法拉第屏蔽反应腔室。
技术介绍
在使用电感耦合等离子体(InductiveCoupledPlasmaEmissionSpectrometer,以下简称ICP)装置进行集成电路和MEMS器件的制造工艺的过程中,产生的等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子,这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应,从而使材料表面性能获得变化。在基于ICP装置的制造中,可以将多层材料交替地沉积到衬底表面,并刻蚀该多层材料。现有反应腔室,多数是反应腔体顶端的轴心处开有工作气体进入的进气口。在石英桶的外侧套有一个法拉第屏蔽桶,法拉第屏蔽桶与金属腔室有效的硬连接同时接地。在法拉第屏蔽桶外侧缠绕若干匝放电线圈;当放电线圈中通入射频电流时,就可以产生电磁场穿透法拉第屏蔽桶到达石英桶内部,产生和维持等离子体。放电线圈与接地的法拉第屏蔽桶很近,而放电线圈输入射频电流时,必然存在一个射频高压端,因此放电线圈和法拉第屏蔽桶之间会形成强的静电场,很容易击穿打火,烧坏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种法拉第屏蔽反应腔室,其特征在于:包括腔体顶盖、顶盖密封圈、石英管、电感支撑体、腔体密封圈、放电线圈、腔体密封盖、离子聚焦圈,还包括气体分散盘和线圈支架;所述电感支撑体套在所述石英管外,所述石英管上端通过所述顶盖密封圈与所述腔体顶盖密封固定连接,所述气体分散盘安装在所述腔体顶盖轴心下方,所述石英管下端通过腔体密封圈与所述腔体密封盖密封固定连接,所述离子聚焦圈安装在所述腔体密封盖下方,所述电感支撑体一周安装有所述线圈支架,所述线圈支架外缠绕有所述放电线圈。/n

【技术特征摘要】
1.一种法拉第屏蔽反应腔室,其特征在于:包括腔体顶盖、顶盖密封圈、石英管、电感支撑体、腔体密封圈、放电线圈、腔体密封盖、离子聚焦圈,还包括气体分散盘和线圈支架;所述电感支撑体套在所述石英管外,所述石英管上端通过所述顶盖密封圈与所述腔体顶盖密封固定连接,所述气体分散盘安装在所述腔体顶盖轴心下方,所述石英管下端通过腔体密封圈与所述腔体密封盖密封固定连接,所述离子聚焦圈安装在所述腔体密封盖下方,所述电感支撑体一周安装有所述线圈支架,所述线圈支架外缠绕有所述放电线圈。


2.根据权利要求1所述的一种法拉第屏蔽反应腔室,其特征在于:所述腔体顶盖内有一径向的工作气体通道,所述工作气体通道在所述腔体顶盖的轴心处转折继续通向反应腔室内。


3.根据权利要求1所述的一种法拉第屏蔽反应腔室,其特征在于:所述气体分散盘底部为一实体圆盘,轴心处有一中空的圆柱通道,所述圆柱通道侧壁有4个圆形通孔,所述气体分散盘沿圆周有一圈圆周侧壁,所述圆周...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖海涛张飞
申请(专利权)人:无锡市邑勉微电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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