一种半导体制造机台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体制造机台，涉及半导体技术领域，包括：转换腔室；传送腔室，与所述转换腔室可隔离的连通；反应腔室，与所述传送腔室可隔离的连通；复数个真空泵，所述复数个真空泵的进气口分别通过管道与所述转换腔室和所述反应腔室可选择的连接；废气处理装置；上述技术方案的有益效果在于：当某一反应腔室对应的真空泵出现异常停机时，通过切换连通单元中的阀门管路，临时借用别的腔室的真空泵来抽走该反应腔室内的残余反应气体，并维持腔室内一定的真空度，解决了现有技术中，因真空泵异常停机导致反应气体不能及时被抽走和晶圆无法被及时传出而增加晶圆报废风险的问题。

A semiconductor manufacturing machine

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制造机台
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体制造机台。
技术介绍
半导体薄膜沉积技术包括化学气相沉积和物理气相沉积两种，其中物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition；PVD)是一种利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底(硅)的外表面上，并淀积成薄膜的技术，依照金属镀膜的形成原理，物理气相沉积又可分为蒸镀(evaporation)与溅镀(sputtering)两种，但无论哪种镀膜方法，物理气相沉积均需要在一定的真空环境中进行；化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition；CVD)则是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法，化学气相沉积通常也在一定的真空条件下进行，即负压沉积，这种负压条件下沉积的膜层通常要比常压下沉积的膜层质量要好。因此，无论是化学气相沉积还是物理气相沉积，制造机台都需要保持一定的真空度，在现有的化学气相制造机台中，连接各个反应腔室的真空泵均为独立控制，当某一反应腔室对应的真空泵出现异常停机时，腔室中的真空度将无法维持，而此时，由于腔室的内外气压差很大，导致反应腔室内的晶圆无法被及时传送出高温区域，且真空泵的异常停机同时使得反应腔室内的反应气体不能及时被抽走，残余的反应气体会与沉积的金属发生反应，导致金属发生晶相异常，从而导致晶圆的报废。此外，真空泵的异常停机会导致反应腔室长时间处于高温条件下的非正常的闲置状态，进一步增加了应力失效以及晶圆表面不良超标的风险，且化学气相沉积反应腔室一般都具有多个晶圆位，因此真空泵的一次异常停机经常会造成多片晶圆的报废。
技术实现思路
根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种半导体制造机台，该制造机台通过在现有机台的基础上增加一缓冲腔室和一连通单元，使得当某一反应腔室对应的真空泵出现异常停机时，通过切换连通单元中的阀门管路，临时借用别的腔室的真空泵来抽走该反应腔室内的残余反应气体，并维持腔室内一定的真空度，同时当腔室内真空度达到预定条件后，将该腔室内的晶圆回收至缓冲腔室内保存，解决了现有技术中，因真空泵异常停机导致反应气体不能及时被抽走和晶圆无法被及时传出而增加晶圆报废风险的问题。上述技术方案具体包括：一种半导体制造机台，用于晶圆的金属沉积，其特征在于，包括：转换腔室；传送腔室，与所述转换腔室可隔离的连通；反应腔室，与所述传送腔室可隔离的连通；复数个真空泵，所述复数个真空泵的进气口分别通过管道与所述转换腔室和所述反应腔室可选择的连接；优选地，其中，所述半导体制造机台还包括：废气处理装置，通过管道与所述复数个真空泵的排气口连接。优选地，其中，所述反应腔室包括第一反应腔室和第二反应腔室。优选地，其中，所述复数个真空泵具体包括：第一真空泵，通过一第一管道连接所述第一反应腔室，并通过一连通单元分别连接所述第二反应腔室及所述转换腔室；第二真空泵，通过一第二管道连接所述第二反应腔室，并通过所述连通单元分别连接所述第一反应腔室及所述转换腔室；第三真空泵，通过一第三管道连接所述第转换腔室，并通过所述连通单元分别连接所述第一反应腔室及所述第一反应腔室。优选地，其中，所述连通单元包括：第一三通阀，设置于所述第一管道上；第二三通阀，设置于所述第二管道上；第三三通阀，设置于所述第三管道上；一第四管道，连接所述第二三通阀及所述第三三通阀；第四三通阀设置于所述第四管道上，并通过一第五管道连接所述第一三通阀。优选地，其中，还包括一缓冲腔室，所述缓冲腔室与所述传送腔室联通。优选地，其中，所述缓冲腔室为若干个设置在所述传送腔室侧壁上的腔室。优选地，其中，还包括一第四真空泵，所述第四真空泵的进气口通过管道分别连接所述传送腔室及所述缓冲腔。优选地，其中，还包括一第六管道，所述第四真空泵通过所述第六管道连接所述传送腔室。优选地，其中，还包括一第七管道，所述第七管道的一端连接所述缓冲腔室，所述第七管道的另一端通过一合流阀连接于所述第六管道上。优选地，其中，所述废气处理装置为废气燃烧装置。优选地，其中，所述半导体制造机台还包括一大气传送腔室，与所述转换腔室可隔离的连通。上述技术方案的有益效果在于：提供一种半导体制造机台，该制造机台通过在现有机台的基础上增加一缓冲腔室和一连通单元，使得当某一反应腔室对应的真空泵出现异常停机时，通过切换连通单元中的阀门管路，临时借用别的腔室的真空泵来抽走该反应腔室内的残余反应气体，并维持腔室内一定的真空度，同时当腔室内真空度达到预定条件后，将该腔室内的晶圆回收至缓冲腔室内保存，解决了现有技术中，因真空泵异常停机导致反应气体不能及时被抽走和晶圆无法被及时传出而增加晶圆报废风险的问题。附图说明图1是一种半导体制造机台实施例的腔室结构示意图；图2是一种半导体制造机台实施例的管路连接结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。一种半导体制造机台，如图1所示，其中包括：转换腔室1；传送腔室2，与转换腔室1可隔离的连通，用于将转换腔室1的晶圆传送至相应的反应腔室3；反应腔室3，与传送腔室2可隔离的连通，用于晶圆的沉积反应；复数个真空泵5，复数个真空泵的进气口分别通过管道与转换腔室1和反应腔室3可选择的连接，真空泵5用于维持转换腔室1、传送腔室2和反应腔室3内的真空度；废气处理装置6，通过管道与复数个真空泵5的排气口连接，用于处理真空泵5排出的废气。其中，转换腔室1便于将将晶圆在常压环境与真空环境之间进行转换。在本技术的一个具体实施例中，半导体制造机台的复数个真空泵5中的每一个真空泵均相互独立，包括独立运转和独立控制，且真空泵5中的每个独立的真空泵均可以有选择的通过管路的转换连通转换腔室1和反应腔室3中的任意一个腔室，从而保证当某一个泵因为故障无法运转时，其他的真空泵可以通过管路的转换来替代该故障真空泵工作，继续维持转换腔室1和反应腔室3中的真空度。在本技术的较佳实施例中，如图2所示，反应腔室3包括第一反应腔室30和第二反应腔室31。在本技术的较佳实施例中，复数个真空泵5具体包括：第一真空泵50，通过一第一管道连接第一反应腔室30，并通过一连通单元8分别连接第二反应腔室31及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造机台，其特征在于，包括：/n转换腔室；/n传送腔室，与所述转换腔室可隔离的连通；/n反应腔室，与所述传送腔室可隔离的连通；复数个真空泵，所述复数个真空泵的进气口分别通过管道与所述转换腔室和所述反应腔室可选择的连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造机台，其特征在于，包括：
转换腔室；
传送腔室，与所述转换腔室可隔离的连通；
反应腔室，与所述传送腔室可隔离的连通；复数个真空泵，所述复数个真空泵的进气口分别通过管道与所述转换腔室和所述反应腔室可选择的连接。


2.根据权利要求1所述的半导体制造机台，其特征在于，所述半导体制造机台还包括：
废气处理装置，通过管道与所述复数个真空泵的排气口连接。


3.根据权利要求1所述的半导体制造机台，其特征在于，所述反应腔室包括第一反应腔室和第二反应腔室。


4.根据权利要求3所述的半导体制造机台，其特征在于，所述复数个真空泵具体包括：
第一真空泵，通过一第一管道连接所述第一反应腔室，并通过一连通单元分别连接所述第二反应腔室及所述转换腔室；
第二真空泵，通过一第二管道连接所述第二反应腔室，并通过所述连通单元分别连接所述第一反应腔室及所述转换腔室；
第三真空泵，通过一第三管道连接所述转换腔室，并通过所述连通单元分别连接所述第一反应腔室及所述第二反应腔室。


5.根据权利要求4所述的半导体制造机台，其特征在于，所述连通单元包括：
第一三通阀，设置于所述第一管道上；...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡万春，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42