一种多晶湿法黑硅清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种多晶湿法黑硅清洗工艺，包括在氨水脱银前，加个碱处理槽进行碱液清洗处理,不仅能快速去除表面多孔硅等烂结构，同时可以使挖孔产生的小孔的孔径更加的平整光滑，从而有利于后续两步氨水充分与银离子进行络合反应，增强脱银效果，减少表面金属银离子的残留。本发明专利技术优化的多晶湿法黑硅清洗的工艺，能够提升产线生产的稳定性，避免出现类似“龟壳类”的EL不良，从而大大提升产品优质率和整体良率。

A cleaning process of polycrystalline wet process black silicon

【技术实现步骤摘要】
一种多晶湿法黑硅清洗工艺
本专利技术属于湿法黑硅电池制备
，具体的涉及一种多晶湿法黑硅清洗工艺。
技术介绍
随着金刚线切割技术的不断发展，金刚线多晶硅片已基本取代了传统的砂浆线硅片，同时利用金属离子催化的湿法黑硅技术(MCCE)也以在各大企业中进行了批量化生产。但目前的湿法黑硅技术都是需要重金属(银和铜等)进行表面催化反应的，从而在现有的工艺制备流程中，如何将这些金属离子更好的清洗掉，是一个重要的环节。目前市场现有的黑硅去金属离子的工艺流程是，采用多步的前后氨水和双氧水清洗，但在这种情况下，目前产线的多步前后氨水双氧水清洗的流程，还是会在一定程度上导致重金属离子在硅片表面上残留，其主要原因是，硅片在经沉银挖孔工艺流程后，会有大量的多孔硅等烂结构，覆盖在硅片的表面，而如果这些覆盖物没有被很好的去除掉，会进一步影响后面氨水双氧水清洗的效果，从而导致产线的工艺不稳定，不定时的出现类似于“龟壳状”的EL不良。究其原因主要是目前的多步前后氨水和双氧水清洗流程，还是会在一定程度上导致重金属残留在硅片表面，从而在后续的电池扩散工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶湿法黑硅清洗工艺，其特征在于：在沉银挖孔后、两步氨水脱银前增加碱洗流程。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶湿法黑硅清洗工艺，其特征在于：在沉银挖孔后、两步氨水脱银前增加碱洗流程。


2.根据权利要求1所述的一种多晶湿法黑硅清洗工艺，其特征在于：所述碱洗在碱洗槽中进行，所用溶液为碱液。


3.根据权利要求2所述的一种多晶湿法黑硅清洗工艺，其特征在于：所述碱液中碱为氢氧化钾。


4.根据权利要求2所述的一种多晶湿法黑硅清洗工艺，其特征在于：所述碱液中碱的体积百分数为1～20％。


5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈早，候成成，管自生，印越，
申请(专利权)人：南京纳鑫新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32