【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
由于大多数半导体功率器件的工作电流和电压分别在安培、几十致千伏级，其设计通常采用纵向结构以最大限度的减少导通电阻及其它寄生感应。一个典型的例子是在沟道式金属-氧化物-半导体器件中，源极和栅极在硅衬底的正面，漏极在硅衬底的背面(用于外接正电压)；在上述结构的生产工艺中，硅衬底背面的漏极通过物理溅射金属膜形成。而在物理溅射金属膜之前，硅衬底的背部表面需要经过粗糙化处理，以增大接触面积，进而使得在降低接触电阻的同时还能够提高金属与硅界面的结合力。现行的对硅衬底的背部表面进行粗糙化的方法是用氢氟酸、硝酸、硫酸和水的混合液对硅表面进行刻蚀，粗糙化的原理是通过硅和硝酸的氧化还原反应中产生的氢气泡作为微掩膜，以对硅衬底的表面进行区域化刻蚀。但是在现行的方法中，由于化学反应的起始点与硅表面接触原子活化能、悬挂键有关并具有随机性，再加上氢气泡在化学反应溶剂中的增长以及与邻近气泡的联并的非线性特征，导致化学反应后的硅衬底表面呈现出难以控制的非...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底；/n对所述衬底的背面进行织构化处理，以在所述衬底的背面形成多个有序排列的凹槽；以及，/n形成金属层于所述衬底的背面上，且所述金属层覆盖所有的所述凹槽的表面以及所述凹槽周围的衬底表面，以增强所述衬底的背面与所述金属层之间的结合力。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
对所述衬底的背面进行织构化处理，以在所述衬底的背面形成多个有序排列的凹槽；以及，
形成金属层于所述衬底的背面上，且所述金属层覆盖所有的所述凹槽的表面以及所述凹槽周围的衬底表面，以增强所述衬底的背面与所述金属层之间的结合力。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述衬底的背面进行织构化处理的步骤包括：
对所述衬底的背面进行斥水性处理；
在斥水性的所述衬底的背面上形成多个有序排列的亲水性区域；以及，
喷淋刻蚀液滴于所述衬底的背面上，并使得所述刻蚀液滴滑落在所述亲水性区域，以与所述亲水性区域的所述衬底表面部分厚度进行化学反应后形成所述凹槽，进而在所述衬底的背面形成多个有序排列的所述凹槽。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述衬底的背面进行斥水性处理的步骤包括：采用氢氟酸溶液清洗或采用含氢等离子体处理所述衬底的背面。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在斥水性的所述衬底的背面上形成多个有序排列的所述亲水性区域的步骤包括：采用激光打印的方法对所述衬底的背面进行点状照射，以使得所述衬底的背面被点状照射到的区域由斥水性转变为亲水性，从而获得相应的所述亲水性区域。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述激光打印所采用的激光束的束宽为0.1μm～0.3μm，以使得形成的所述亲水性区域的直径为0.1μm～0.3μm。
6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用电喷雾喷淋的方法将所述刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩瑞津，陈忠奎，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。