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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底；对所述衬底的背面进行织构化处理，以在所述衬底的背面形成多个有序排列的凹槽；以及，形成金属层于所述衬底的背面上，且所述金属层覆盖所有的所述凹槽的表面以及所述凹槽...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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