一种测温硅片的制作方法及测温硅片技术

本发明专利技术公开了一种测温硅片的制作方法，包括以下步骤：S1、在硅片的表面涂抹一层掩蔽层；S2、选择性光刻，在掩蔽层上刻蚀出Pt槽位；S3、在硅片上表面刻蚀Pt槽；S4、在Pt槽内形成一层Pt膜层；S5、去胶；S6、重复步骤S1；S7、在掩蔽层上刻蚀出铑金槽位；S8、在硅片上表面刻蚀铑金槽；S9、在铑金槽内形成一层铑金膜层；S10、去胶；S11、将硅片放置在扩散炉中扩散；S12、将两条导线分别键合在Pt膜层的外端部和铑金膜层的外端部；S13、将导出金属片铆接在硅片上，将导线固定在导出金属片上并导出。该制作方法以及制作的测温硅片和热电偶之间的连接就非常牢固，不会发生松动的情况。

A method of making temperature measuring silicon and temperature measuring silicon

【技术实现步骤摘要】
一种测温硅片的制作方法及测温硅片
本专利技术涉及一种测温硅片的制作方法，属于半导体
，同时还涉及使用该制作方法制作出的测温硅片。
技术介绍
测温硅片是一种比较特殊的硅片，其主要用途是在常规硅片半导体加热的过程中用来测试加热温度，加热时一般都是使用一个加热台，普通的硅片放置在加热台中加热，而测温硅片就是用来模拟普通硅片的加热环境并且检测出硅片的加热温度。而目前的测温硅片主要存在的问题是测温硅片的强度不够，测温硅片上设置了热电偶用来检测温度，但是其抗拉拔的强度较差，热电偶与硅片的连接方式是：在测温硅片的中心开一个盲孔，然后热电偶的检测端塞入到盲孔内并通过耐高温的胶水粘结固定，然这种热电偶和测温硅片之间完全是依靠胶水粘结固定，这种固定方式在长时间使用可能发生连接松动，这样就导致测量的温度结果不够准确。
技术实现思路
本专利技术所要解决的第一个技术问题是：提供一种测温硅片的制作方法，该制作方法直接在硅片上形成了两个金属层，该金属层构成了热电偶的测温导体，这样测温硅片和热电偶之间的连接就非常牢固，不会发生松动的情况。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测温硅片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1、提供一个硅片，在硅片的表面涂抹一层光刻胶形成掩蔽层；/nS2、选择性光刻，在掩蔽层上刻蚀出一条沿硅片半径延伸的Pt槽位；/nS3、通过湿法刻蚀在硅片上表面的Pt槽位处刻蚀一条Pt槽；/nS4、通过蒸发工艺在Pt槽内形成一层Pt膜层，该Pt膜层的厚度小于Pt槽位的深度；/nS5、去胶，使硅片的表面裸露；/nS6、重复步骤S1；/nS7、选择性光刻，在掩蔽层上刻蚀出一条沿硅片半径延伸的铑金槽位；/nS8、通过湿法刻蚀在硅片上表面的铑金槽位处刻蚀一条铑金槽，该铑金槽和Pt槽相交与硅片的圆心；/nS9、通过蒸发工艺在铑金槽内形成一层铑金膜...

【技术特征摘要】
1.一种测温硅片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、提供一个硅片，在硅片的表面涂抹一层光刻胶形成掩蔽层；
S2、选择性光刻，在掩蔽层上刻蚀出一条沿硅片半径延伸的Pt槽位；
S3、通过湿法刻蚀在硅片上表面的Pt槽位处刻蚀一条Pt槽；
S4、通过蒸发工艺在Pt槽内形成一层Pt膜层，该Pt膜层的厚度小于Pt槽位的深度；
S5、去胶，使硅片的表面裸露；
S6、重复步骤S1；
S7、选择性光刻，在掩蔽层上刻蚀出一条沿硅片半径延伸的铑金槽位；
S8、通过湿法刻蚀在硅片上表面的铑金槽位处刻蚀一条铑金槽，该铑金槽和Pt槽相交与硅片的圆心；
S9、通过蒸发工艺在铑金槽内形成一层铑金膜层，该铑金膜层的厚度小于铑金槽位的深度，且在硅片的圆心处于Pt膜层叠置；
S10、去胶，使硅片的表面裸露；
S11、将硅片放置在扩散炉中扩散；
S12、将两条导线分别键合在Pt膜层的外端部和铑金膜层的外端部，该导线的外部包裹绝缘层；
S13、在硅片上钻孔并将导出金属片铆接在硅片上，将导线固定在导出金属片上并导出。


2.如权利要求1所述的一种测温硅片的制作方法，其特征在于：所述Pt槽的刻蚀深度为4um，Pt膜层的厚度为2um；铑金槽的刻蚀深度为2um，铑金膜层的厚度为2um。


3.如权利要求2所述的一种测温硅片的制作方法，其特征在于：所述步骤S5中的去胶采用的方式为干法去胶或湿...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁桃宝，吴啸，周琛怿，
申请(专利权)人：苏州晋宇达实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32