【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
剥离是氮化铝层和氮化硅接触蚀刻停止层之间的问题。解决剥离问题的一种方法是增加氮化铝层的厚度。但是，这增加了整个器件的厚度并降低了器件的密度。期望对于氮化铝剥离问题的解决方案。
技术实现思路
本申请的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一介电层；在第一介电层的表面上形成粘附增强层；和在粘附增强层上形成第二介电层，其中，第二介电层包括氮化铝基材料。本申请的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上的半导体器件结构上方形成第一氮化物基介电层；在第一氮化物基介电层上方形成粘附增强层；在粘附增强层上方形成第二氮化物基介电层；以及至少部分地氧化第二氮化物基介电层，其中，第一氮化物基介电层由与第二氮化物基介电层不同的材料制成。本申请的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一介电层，设置在半导体器件结构上方；粘附增强层，设置在第一介电层上方；以及第二介电层，设置在粘附增强层上方，其中，第一...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n在衬底上方形成第一介电层；/n在所述第一介电层的表面上形成粘附增强层；以及/n在所述粘附增强层上形成第二介电层，/n其中，所述第二介电层包括氮化铝基材料。/n
【技术特征摘要】
20181030 US 62/753,039;20191025 US 16/664,3171.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上方形成第一介电层；
在所述第一介电层的表面上形成粘附增强层；以及
在所述粘附增强层上形成第二介电层，
其中，所述第二介电层包括氮化铝基材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第一介电层由氮化硅制成，
所述第二介电层由氮化铝制成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述粘附增强层由氧化硅或氮氧化硅制成。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括氧化所述第二介电层。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，通过用含氧气体处理所述第一介电层的表面形成所述粘附增强层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含氧气体包括选自由N2O、O2、臭氧和CO2组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在用所述含氧气体处理所述第一介电层的表...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓民，林志男，许凯翔，刘定一，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。