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本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一介电层，在第一介电层的表面上形成粘附增强层，并且在粘附增强层上形成第二介电层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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