一种纳米线及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种纳米线的制作方法，包括以下步骤：沿第一方向，在衬底上形成若干沟槽；在每一沟槽中选择性外延生长异质薄膜；淀积介质层，以覆盖异质薄膜；对异质薄膜进行氧化循环退火处理，形成高质量的高迁移率薄膜；在衬底上形成若干纳米线。本发明专利技术还提供了利用上述方法制作的纳米线。采用本发明专利技术的技术方案能够降低异质薄膜缺陷的生成，并制作具有高迁移率的纳米线。

A kind of nanowire and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种纳米线及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种纳米线及其制作方法。
技术介绍
目前的鳍式场效应晶体管(FinFET)因自身结构问题，最终会达到一个极限点，即随着工艺节点的微缩，特别是到了5nm后，无法继续缩小。解决这一问题可采用环栅包围的Gate-All-Around(GAA)新结构。GAA结构可以调整晶体管的尺寸，以确保栅极不仅在顶部和两侧，也在通道下方。传统的硅材料，载流子迁移率的进一步提升非常困难，需要引入高迁移材料，例如高锗组分的锗硅。但是，如何高效利用高迁移率材料制作出高迁移率纳米线是研究中的难题。
技术实现思路
为了解决现有技术中如何高效利用高迁移率材料制作出高迁移率纳米线的问题，本专利技术提供一种纳米线及其制作方法。本专利技术提供一种纳米线的制作方法，包括以下步骤：沿第一方向，在衬底上形成若干沟槽；在每一沟槽中选择性外延生长异质薄膜；淀积介质层，以覆盖异质薄膜；对异质薄膜进行氧化循环退火处理，形成高迁移率薄膜；在衬底上形成若干纳米线。采用上述技术方案，一方面，利用衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n沿第一方向，在衬底上形成若干沟槽；/n在每一所述沟槽中选择性外延生长异质薄膜；/n淀积介质层，以覆盖所述异质薄膜；/n对所述异质薄膜进行氧化循环退火处理，形成高迁移率薄膜；/n在所述衬底上形成若干纳米线。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
沿第一方向，在衬底上形成若干沟槽；
在每一所述沟槽中选择性外延生长异质薄膜；
淀积介质层，以覆盖所述异质薄膜；
对所述异质薄膜进行氧化循环退火处理，形成高迁移率薄膜；
在所述衬底上形成若干纳米线。


2.根据权利要求1所述的纳米线的制作方法，其特征在于，所述沟槽的形成包括以下步骤：
在衬底上形成鳍状结构；
淀积浅槽隔离，并对所述浅槽隔离进行第一平坦化处理，露出所述鳍状结构的顶部；
刻蚀所述鳍状结构形成所述沟槽，所述沟槽的底部留有单晶种子层。


3.根据权利要求2所述的纳米线的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺、CVD热刻蚀工艺或化学液刻蚀工艺刻蚀所述鳍状结构形成所述沟槽。


4.根据权利要求2或3所述的纳米线的制作方法，其特征在于，所述单晶种子层的厚度大于1nm。


5.根据权利要求2所述的纳米线的制作方法，其特征在于，所述纳米线的形成包括以下步骤：
第二平坦化处理以露出所述高迁移率薄膜的顶部；
淀积材料层，并刻蚀所述材料层，沿第二方向形成若干鳍部；
各向异性刻蚀所述浅槽隔离，以将除所述鳍部覆盖部分外，且全部高度的所述高...

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂磊，亨利·H·阿达姆松，孔真真，李俊峰，殷华湘，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11