一种太阳能硅片表面清洁处理方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能硅片表面清洁处理方法，将清洗棉片上沾湿清洗液，清洗棉片和待清洁的太阳能硅片表面作相对运动，利用清洗棉片对太阳能硅片表面的灰尘及黏胶进行擦拭、分离；将预清洗后的太阳能硅片放入恒温箱中，保持恒温箱内温度为25‑35℃，恒温保温15‑25min后将恒温箱内温度升高至100‑105℃，使其干燥；将干燥后的太阳能硅片放置在上料装置上，上料装置连接至自动插片装置，将插满硅片的承载盒运输至下一清洗工序内；将插满硅片的承载盒放置在真空压炉内，利用抽真空装置将真空压炉内抽真空；按一定比例将氢气、氦气和氩气通入真空压炉内，真空压炉内设置有离子发射源，通过氢离子、氦离子和氩离子在真空环境下高能量冲击太阳能硅片表面进行清洗20‑40min。

A method of surface cleaning for solar silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能硅片表面清洁处理方法
本专利技术涉及太阳能硅片
，尤指一种太阳能硅片表面清洁处理方法。
技术介绍
地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，太阳电池片采用只需一次烧结的共烧工艺，同时形成上下电极的欧姆接触。银浆、银铝浆、铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当电极金属材料和半导体单晶硅加热达到共晶温度时，单晶硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金电极材料中。单晶硅原子溶入到电极金属中的整个过程是相当快的，一般只需几秒钟时间。溶入的单晶硅原子数目取决于合金温度和电极材料的体积，烧结合金温度越高，电极金属材料体积越大，则溶入的硅原子数目也越多，这时的状态被称为晶体电极金属的合金系统。硅片的主要生产流程为：硅料→多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，包括以下操作步骤：/nS1：预清洗：将清洗棉片上沾湿清洗液，清洗棉片的含清洗液湿度为60-75％；使得所述清洗棉片表面贴合于待清洁的太阳能硅片表面，使得清洗棉片和待清洁的太阳能硅片表面作相对运动，利用清洗棉片对太阳能硅片表面的灰尘及黏胶进行擦拭、分离；/nS2：干燥：将预清洗后的太阳能硅片放入恒温箱中，保持恒温箱内温度为25-35℃，恒温保温15-25min后将恒温箱内温度升高至100-105℃，蒸发太阳能硅片表面多余水分，使其干燥；/nS3：插片：将干燥后的太阳能硅片放置在上料装置上，上料装置连接至自动插片装置，自动插片装置自动完成将太阳能硅片...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
S1：预清洗：将清洗棉片上沾湿清洗液，清洗棉片的含清洗液湿度为60-75％；使得所述清洗棉片表面贴合于待清洁的太阳能硅片表面，使得清洗棉片和待清洁的太阳能硅片表面作相对运动，利用清洗棉片对太阳能硅片表面的灰尘及黏胶进行擦拭、分离；
S2：干燥：将预清洗后的太阳能硅片放入恒温箱中，保持恒温箱内温度为25-35℃，恒温保温15-25min后将恒温箱内温度升高至100-105℃，蒸发太阳能硅片表面多余水分，使其干燥；
S3：插片：将干燥后的太阳能硅片放置在上料装置上，上料装置连接至自动插片装置，自动插片装置自动完成将太阳能硅片进行分片、插篮任务，将插满硅片的承载盒运输至下一清洗工序内；
S4：气流冲洗：将插满硅片的承载盒放置在真空压炉内，利用抽真空装置将真空压炉内抽真空；按一定比例将氢气、氦气和氩气通入真空压炉内，真空压炉内设置有离子发射源，通过氢离子、氦离子和氩离子在真空环境下高能量冲击太阳能硅片表面进行清洗，持续20-40min后得到清洗完成的太阳能硅片。


2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：程林，
申请(专利权)人：合肥敬卫新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34