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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种纳米线的制作方法，包括以下步骤：沿第一方向，在衬底上形成若干沟槽；在每一沟槽中选择性外延生长异质薄膜；淀积介质层，以覆盖异质薄膜；对异质薄膜进行氧化循环退火处理，形成高质量的高迁移率薄膜；在衬底上形成若干...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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