温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种测温硅片的制作方法，包括以下步骤：S1、在硅片的表面涂抹一层掩蔽层；S2、选择性光刻，在掩蔽层上刻蚀出Pt槽位；S3、在硅片上表面刻蚀Pt槽；S4、在Pt槽内形成一层Pt膜层；S5、去胶；S6、重复步骤S1；S7、在掩蔽层上...
该专利属于苏州晋宇达实业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晋宇达实业股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。