一种封装过程中形成金属电极的方法技术

本公开涉及一种封装过程中形成金属电极的方法，包括如下步骤：S100：选择承载片作为承载封装体的封装载板，其中，所述承载片能够相对于所述封装体剥离并重复用于所述封装载板；S200：对承载片进行处理，使得承载片的一部分区域形成比承载片更薄的介质附着的第一区域，以及使得承载片的至少另一部分区域能够进行电镀以形成金属电极附着的第二区域；其中，当所述承载片相对于所述封装体剥离后，所述金属电极隶属于所述封装体；所述介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质。以此，本公开实现了一种更简单、更环保、更低成本的封装过程中形成金属电极的方法及其配套工艺。

A method of forming metal electrode in packaging process

【技术实现步骤摘要】
一种封装过程中形成金属电极的方法
本公开属于电子领域，其具体涉及一种封装过程中形成金属电极的方法。
技术介绍
集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业，其中，各种集成电路的封装及测试是整个产业链中的重要一环。就封装技术而已，主流的封装技术多采用HDI技术路线，其核心在于微孔导通与细线路的形成，然而该技术路线的设备及技术门槛高，投入大，需匹配专用的载板基材，且尺寸厚度受材料规格限制、其中形成电极的方法对于金属的需求非常大。如何设计一种更简单、更环保、更低成本的封装过程中形成电极的方法及其配套工艺，是封装产业亟须解决的技术问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本公开揭示了一种封装过程中形成金属电极的方法，包括如下步骤：S100：选择承载片作为承载封装体的封装载板，其中，所述承载片能够相对于所述封装体剥离并重复用于所述封装载板；S200：对承载片进行处理，使得承载片的一部分区域形成比承载片更薄的介质附着的第一区域，以及使得承载片的至少另一部分区域能够进行电镀以形成金属电极附着的第二区域；其中，当所述承载片相对于所述封装体剥离后，所述金属电极隶属于所述封装体；所述介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质。通过上述技术方案，本公开实现了一种新颖的封装过程中形成金属电极的方法，其结构简单，具备承载片和金属电极相剥离的特点，能够提高生产效率、降低成本、更加环保。附图说明图1-1为本公开一个实施例的示意图；>图1-2为本公开一个实施例的示意图；图1-3为本公开另一个实施例的结构示意图；图1-4为本公开另一个实施例的结构示意图；图2为本公开另一个实施例的示意图；图3为本公开另一个实施例的示意图；图4-1为本公开另一个实施例的示意图；图4-2为本公开另一个实施例的示意图；图4-3为本公开另一个实施例的示意图；图5-1为本公开另一个实施例的示意图；图5-2为本公开另一个实施例的示意图；图5-3为本公开另一个实施例的示意图；图5-4为本公开另一个实施例的示意图；图6为本公开另一个实施例的结构示意图；图7-1为本公开另一个实施例的结构示意图；图7-2为本公开另一个实施例的结构示意图；图7-3为本公开另一个实施例的结构示意图；图8-1为本公开另一个实施例的结构示意图；图8-2为本公开另一个实施例的结构示意图；图8-3为本公开另一个实施例的结构示意图；图8-4为本公开另一个实施例的结构示意图；图9-1为本公开另一个实施例的结构示意图；图9-2为本公开另一个实施例的结构示意图；图9-3为本公开另一个实施例的结构示意图。具体实施方式下文是附图所示的本专利技术优选实施例的更为具体的说明，通过这些说明，本专利技术的特征和优点将显而易见。参见图1-1，在一个实施例中，其揭示了一种封装过程中形成金属电极的方法，包括如下步骤：S100：选择承载片作为承载封装体的封装载板，其中，所述承载片能够相对于所述封装体剥离并重复用于所述封装载板；S200：对承载片进行处理，使得承载片的一部分区域形成比承载片更薄的介质附着的第一区域，以及使得承载片的至少另一部分区域能够进行电镀以形成金属电极附着的第二区域；其中，当所述承载片相对于所述封装体剥离后，所述金属电极隶属于所述封装体；所述介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质。能够理解，上述实施例实现了一种新颖的封装过程中形成金属电极的方法，其结构简单，具备承载片和金属电极相剥离的特点。参见图1-2至图1-4，其示意了上述实施例执行后，相应封装结构的示意图。由于承载片可以反复被利用直到其物理或电气性能等指标不再满足封装要求，所以该技术方案的整体成本得以大大降低。由于所述介质比承载片更薄、介质的附着、金属电极的附着，当所述介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质时，使得上述方法具备了结构简单、提高封装效率、降低成本、更加环保的技术效果。能够理解，就所述介质而言，其一方面比承载片更薄，另一方面，其与封装体或承载片之间需要形成弱结合力，以有利于承载片相对于封装体剥离，具体示例如下：(1)当承载片相对于封装体剥离时，如果介质属于能够与封装体形成弱结合力的那种，那么，介质将随承载片一起，与封装体呈分离状态，例如介质为上述离型膜的情形：离型膜类介质在液态时与承载片结合并固化，固化后的离型膜再与其它物质(例如封装体)贴合时的结合力属于弱结合力的范畴，相比较而言，固化后的离型膜与承载片却有较强的结合力，因此，当承载片相对封装体剥离后，离型膜依然可以隶属于承载片，离型膜与承载片依然可以附着在一起。离型膜可以包括各种不同类型的离型膜。(2)当承载片相对于封装体剥离时，如果介质属于能够与承载片形成弱结合力的那种，那么，介质将随封装体一起，与承载片呈分离状态，例如介质为上述过渡镀层的情形：由于镀层工艺自身的特点，承载片与过渡镀层结合力属于弱结合力的范畴，因此，当承载片相对封装体剥离后，过渡镀层依然可以隶属于封装体，过渡镀层与封装体依然可以附着在一起，过渡镀层则与承载片呈分离状态。过渡镀层则可以通过镀金、镀银、镀镍、镀铜等形成，优选的，过渡镀层选择镀铜来形成。(3)自然的，当所述介质比承载片更薄，且所述介质属于其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质时，那么，此时的介质同样有利于承载片相对于封装体剥离，要么剥离后介质与承载片依然可以附着在一起，要么剥离后介质与封装体依然可以附着在一起。能够理解，承载片为底、第一区域和第二区域均位于承载片的上方，理论上来讲，第一区域和第二区域的上方都可以用于承载封装体。当承载片相对于所述封装体剥离时，图1-2至图1-4中示出的承载片可以是主动剥离的一方，所述封装体也可以是主动剥离的一方。封装体则包括各种集成电路的不同封装形式。至于第一区域、第二区域则是为了有利于封装工艺过程中的电极对应区域和非电极对应区域的形成。在另一个实施例中，金属电极的高度、介质的厚度可以根据具体封装的要求而进行设计。此外，根据不同的设计，金属电极的高度可以略高于/略低于介质的厚度，也可以明显高于/低于介质的厚度，也可以齐平。在另一个实施例中，金属电极可以包括多种电极形式。在另一个实施例中，如果以金属电极与承载片接触的一面作为底面，那么与底面相对的金属电极的另一面，即金属电极的表面则可以根据封装需要进一步表面处理，如：镀金、镀银、镀锡、粗化、防氧化、钝化处理、覆盖保护层等。更优选的，金属电极的表面可以进行固晶、焊线、焊接及塑封等操作。在另一个实施例中，所述金属电极是通过在所述承载片上进行电镀实现。虽然上述实施例采用电镀的方式形成电极，但这不表示只能采用电镀的方式，这取决于技术发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装过程中形成金属电极的方法，包括如下步骤：/nS100：选择承载片作为承载封装体的封装载板，其中，所述承载片能够相对于所述封装体剥离并重复用于所述封装载板；/nS200：对承载片进行处理，使得承载片的一部分区域形成比承载片更薄的介质附着的第一区域，以及使得承载片的至少另一部分区域能够进行电镀以形成金属电极附着的第二区域；其中，当所述承载片相对于所述封装体剥离后，所述金属电极隶属于所述封装体；所述介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质。/n

【技术特征摘要】
20181026 CN 20181125654151.一种封装过程中形成金属电极的方法，包括如下步骤：
S100：选择承载片作为承载封装体的封装载板，其中，所述承载片能够相对于所述封装体剥离并重复用于所述封装载板；
S200：对承载片进行处理，使得承载片的一部分区域形成比承载片更薄的介质附着的第一区域，以及使得承载片的至少另一部分区域能够进行电镀以形成金属电极附着的第二区域；其中，当所述承载片相对于所述封装体剥离后，所述金属电极隶属于所述封装体；所述介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质。


2.根据权利要求1所述的方法，优选的，其中，
所述承载片为带状。


3.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述承载片的长向为闭环模式。


4.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述承载片包括如下任一：热膨胀系数较低的不锈钢、或热膨胀系数与塑封树脂匹配的其他金属。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：何雨桐，何忠亮，张旭东，徐光泽，李金样，
申请(专利权)人：深圳市环基实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44