一种叠层芯片封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种叠层芯片封装结构及其制造方法，本发明专利技术采用预制的膜作为再分布层，且所述膜的主体材料选择为双固化树脂可以实现封装时的简易粘合，保证封装不易分层，且双固化树脂与密封层树脂的热膨胀系数相当，可以减少层层之间的应力差，进一步防止分层和翘曲。此外，在两层膜中设置的导线具有不同的方向排布，其夹角设置为45‑90度之间，可以抵抗应力差，且实现线路的灵活性布局。

A laminated chip packaging structure and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种叠层芯片封装结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件封装领域，属于H01L23/00分类号下，具体涉及一种叠层芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
现有的叠层半导体芯片封装之间往往通过再分布层进行电互连，以实现线路的灵活布局和扇出型引出，多数情况下，再分布层是通过沉积交替的介质层和金属层，并经图案化形成，其形成工艺较为复杂，且多层之间缺陷较多，应力较大，整个封装结构极易因为应力而产生变形或者使得密封层与再分布层之间分层剥离，这对于封装是不利的。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种叠层芯片封装结构的制造方法，其包括以下步骤：(1)提供具有粘合层的载板，在所述粘合层上压合第一膜，所述第一膜内包裹有沿着第一方向平行排列的多根第一导线；(2)在第一膜中形成多个第一导电通孔和第一导电盲孔，其中，所述第一导电通孔分别电连接所述第一导线，所述第一导电盲孔使得相邻的至少两根所述第一导线电连接；(3)在所述第一膜上焊接第一芯片，所述第一芯片通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；(4)注塑形成密封层，所述密封层形成于所述第一膜之上并且密封所述第一芯片；(5)在所述密封层中形成多个导电柱，所述导电柱通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；(6)在所述密封层上压合第二膜，所述第二膜内包裹有沿着第二方向平行排列的多根第二导线；所述第一方向与第二方向之间的夹角为α，其中，45°≤α≤90°。根据本专利技术的实施例，还包括步骤(7)，在第二膜中形成多个第二导电通孔和第二导电盲孔，其中，所述第二导电通孔分别电连接所述第二导线，所述第二导电盲孔使得相邻的至少两根所述第二导线电连接；所述第二导线通过所述第二导电通孔与所述导电柱电连接。根据本专利技术的实施例，还包括步骤(8)，在所述第二膜上焊接第二芯片，所述第二芯片通过所述第二导电通孔和/或第二导电盲孔与所述第二导线电连接。根据本专利技术的实施例，还包括步骤(9)，移除所述载板和粘合层。根据本专利技术的实施例，形成第一膜的方法具体包括：在注塑模具中利用双固化树脂注塑成型并包裹所述第一导线，然后进行第一次固化。根据本专利技术的实施例，在步骤(1)中，压合第一膜的方法具体包括：提供完成了所述第一次固化的第一膜，将所述第一膜压合于所述粘合层上，然后进行第二次固化，使得所述第一膜完全固化。本专利技术还提供了一种叠层芯片封装结构，其通过上述叠层芯片封装结构的制造方法制备得到，具体包括：第一膜，所述第一膜内包裹有沿着第一方向平行排列的多根第一导线；在第一膜中形成有多个第一导电通孔和第一导电盲孔，其中，所述第一导电通孔分别电连接所述第一导线，所述第一导电盲孔使得相邻的至少两根所述第一导线电连接；第一芯片，焊接在所述第一膜上，所述第一芯片通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；密封层，所述密封层形成于所述第一膜之上并且密封所述第一芯片；在所述密封层中形成有多个导电柱，所述导电柱通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；第二膜，压合在所述密封层上，所述第二膜内包裹有沿着第二方向平行排列的多根第二导线；所述第一方向与第二方向之间的夹角为α，其中，45°≤α≤90°。根据本专利技术的实施例，在第二膜中形成有多个第二导电通孔和第二导电盲孔，其中，所述第二导电通孔分别电连接所述第二导线，所述第二导电盲孔使得相邻的至少两根所述第二导线电连接；所述第二导线通过所述第二导电通孔与所述导电柱电连接。根据本专利技术的实施例，还包括第二芯片，焊接在所述第二膜上，所述第二芯片通过所述第二导电通孔和/或第二导电盲孔与所述第二导线电连接。根据本专利技术的实施例，其中，所述第一膜和第二膜的主体材料均为双固化树脂，所述双固化树脂为热固化树脂或者光固化树脂，且所述双固化树脂的热膨胀系数与所述密封层的热膨胀系数相同。本专利技术的优点如下：本专利技术采用预制的膜作为再分布层，且所述膜的主体材料选择为双固化树脂可以实现封装时的简易粘合，保证封装不易分层，且双固化树脂与密封层树脂的热膨胀系数相当，可以减少层层之间的应力差，进一步防止分层和翘曲。此外，在两层膜中设置的导线具有不同的方向排布，其夹角设置为45-90度之间，可以抵抗应力差，且实现线路的灵活性布局。附图说明图1为本专利技术的叠层芯片封装结构的剖面图；图2为本专利技术的第一膜的俯视图；图3为本专利技术的第二膜的俯视图；其中，图1为图2沿着A1A2线或者图3沿着B1B2线的剖面图；图4-11为本专利技术的叠层芯片封装结构的制造方法的示意图。具体实施方式本专利技术的叠层芯片封装结构利用膜作为再分布层，可以预制成型，便于封装，没必要沉积介质层和金属层形成再分布层，且本专利技术的膜以双固化树脂作为主体材料，可以实现粘合的便捷性，且有利于应力平衡。具体的，参见图1-3，本专利技术的叠层芯片封装结构，包括第一膜12，所述第一膜12内包裹有沿着第一方向平行排列的多根第一导线13；在第一膜13中形成有多个第一导电通孔14和第一导电盲孔15，其中，所述第一导电通孔14分别电连接所述第一导线13，所述第一导电盲孔15使得相邻的至少两根所述第一导线13电连接；所述第一导线13可以沿着x方向排布，且其材质可以选自铜、铝等。在所述第一膜12上设置有第一芯片16，其可以通过例如焊球焊接在所述第一膜12上，所述第一芯片16通过所述第一导电通孔14和/或第一导电盲孔15与所述第一导线13电连接。在所述第一膜12上设置有密封层17，所述密封层17由树脂材料模制形成且密封所述第一芯片16；在所述密封层17中形成有多个导电柱18，所述导电柱通18过所述第一导电通孔14和/或第一导电盲孔15与所述第一导线13电连接；此外，所述导电柱18位于所述第一芯片16的周边区域。还包括第二膜19，压合在所述密封层17上，所述第二膜19内包裹有沿着第二方向平行排列的多根第二导线20；例如所述第二导线可以沿着y方向排布，其材质与第一导线相同。并且，所述第一膜12和第二膜19的主体材料相同，均为双固化树脂，所述双固化树脂为热固化树脂或者光固化树脂，且所述双固化树脂的热膨胀系数与所述密封层17的热膨胀系数相同。为了平衡密封层17的应力，其上下两层膜，即第一膜12和第二膜19中的导线沿着不同方向设置，其中所述第一方向与第二方向之间的夹角为α，45°≤α≤90°，如此设置可以实现应力平衡，以防止翘曲和分层。在第二膜19中形成有多个第二导电通孔21和第二导电盲孔22，其中，所述第二导电通孔21分别电连接所述第二导线20，所述第二导电盲孔22使得相邻的至少两根所述第二导线20电连接；所述第二导线20通过所述第二导电通孔21与所述导电柱18电连接。根据本专利技术的实施例，还包括第二芯片23，焊接在所述第二膜19上，所述第二芯片23通过所述第二导电通孔21和/或第二导电盲孔2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叠层芯片封装结构的制造方法，其包括以下步骤：/n(1)提供具有粘合层的载板，在所述粘合层上压合第一膜，所述第一膜内包裹有沿着第一方向平行排列的多根第一导线；/n(2)在第一膜中形成多个第一导电通孔和第一导电盲孔，其中，所述第一导电通孔分别电连接所述第一导线，所述第一导电盲孔使得相邻的至少两根所述第一导线电连接；/n(3)在所述第一膜上焊接第一芯片，所述第一芯片通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；/n(4)注塑形成密封层，所述密封层形成于所述第一膜之上并且密封所述第一芯片；/n(5)在所述密封层中形成多个导电柱，所述导电柱通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；/n(6)在所述密封层上压合第二膜，所述第二膜内包裹有沿着第二方向平行排列的多根第二导线；/n其特征在于，所述第一方向与第二方向之间的夹角为α，其中，45°≤α≤90°。/n

【技术特征摘要】
1.一种叠层芯片封装结构的制造方法，其包括以下步骤：
(1)提供具有粘合层的载板，在所述粘合层上压合第一膜，所述第一膜内包裹有沿着第一方向平行排列的多根第一导线；
(2)在第一膜中形成多个第一导电通孔和第一导电盲孔，其中，所述第一导电通孔分别电连接所述第一导线，所述第一导电盲孔使得相邻的至少两根所述第一导线电连接；
(3)在所述第一膜上焊接第一芯片，所述第一芯片通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；
(4)注塑形成密封层，所述密封层形成于所述第一膜之上并且密封所述第一芯片；
(5)在所述密封层中形成多个导电柱，所述导电柱通过所述第一导电通孔和/或第一导电盲孔与所述第一导线电连接；
(6)在所述密封层上压合第二膜，所述第二膜内包裹有沿着第二方向平行排列的多根第二导线；
其特征在于，所述第一方向与第二方向之间的夹角为α，其中，45°≤α≤90°。


2.根据权利要求1所述的叠层芯片封装结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(7)，在第二膜中形成多个第二导电通孔和第二导电盲孔，其中，所述第二导电通孔分别电连接所述第二导线，所述第二导电盲孔使得相邻的至少两根所述第二导线电连接；所述第二导线通过所述第二导电通孔与所述导电柱电连接。


3.根据权利要求2所述的叠层芯片封装结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(8)，在所述第二膜上焊接第二芯片，所述第二芯片通过所述第二导电通孔和/或第二导电盲孔与所述第二导线电连接。


4.根据权利要求3所述的叠层芯片封装结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(9)，移除所述载板和粘合层。


5.根据权利要求1所述的叠层芯片封装结构的制造方法，其特征在于：形成第一膜的方法具体包括：在注塑模具中利用双固化树脂注塑成型并包裹所述第一导线，然后进行第一次固化。


6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高晓琛，李秀芳，
申请(专利权)人：淄博职业学院，
类型：发明
国别省市：山东;37