一种采用非金属承载片的封装体及其工艺制造技术

一种采用非金属承载片的封装体，包括：封装体底面，封装体顶面，封装体中的第一芯片，和封装体中的第二芯片/第二假片；封装体底面包括非金属材质的承载片；承载片的上表面覆有第一金属箔；第一金属箔之上焊接有第一芯片、第二芯片/第二假片，其中，第二芯片/第二假片与第一芯片间隔一定距离；第一芯片之上焊接有第五假片，第二芯片/第二假片之上焊接有第六假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；第五假片、第六假片的上表面用于引出电极。以此，本公开实现了一种更简单、最大程度避免打线、更环保、更低成本的封装体。体。体。

【技术实现步骤摘要】
一种采用非金属承载片的封装体及其工艺


[0001]本公开属于电子领域，其具体涉及一种采用非金属承载片的封装体及其工艺。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业，其中，各种集成电路的封装及测试是整个产业链中的重要一环。就封装技术而已，主流的封装载板多采用HD工技术路线，其核心在于微孔导通与细线路的形成，然而该技术路线的设备及技术门槛高，投入大，需匹配专用的载板基材，且尺寸厚度受材料规格限制。
[0003]如何设计一种更简单、更环保、更低成本的封装体及其配套工艺，是封装产业亟须解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本公开揭示了一种采用非金属承载片的封装体，包括：
[0005]封装体底面，封装体顶面，封装体中的第一芯片，和封装体中的第二芯片/第二假片，其中，
[0006]所述封装体底面包括承载片，所述承载片为非金属材质；
[0007]所述承载片的上表面覆有第一金属箔；
[0008]所述第一金属箔之上焊接有所述第一芯片、以及焊接有所述第二芯片/第二假片，其中，所述第二芯片/第二假片与所述第一芯片间隔一定距离；
[0009]所述第一芯片之上焊接有第五假片，所述第二芯片/第二假片之上焊接有第六假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；并且，
[0010]所述第五假片、第六假片的上表面用于引出电极。/>[0011]此外，本公开还揭示了一种采用非金属承载片的封装工艺，包括如下步骤：
[0012]S100：在非金属承载片的上表面设置第一金属箔，并对所述第一金属箔实施图形转移；
[0013]S200：在所述第一金属箔的上表面的第一区域焊接第一芯片，以及在所述第一金属箔的上表面的第二区域焊接第二芯片/第二假片，其中，所述第一区域和第二区域之间间隔一定距离；
[0014]S300：在第二芯片/第二假片、所述第一芯片之上，分别焊接第五假片和第六假片，其中，对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；
[0015]S400：对以上整体采用封装胶进行塑封形成封装体，且第五假片、第六假片的上表面通过塑封树脂胶形成封装体上表面；相应的，所述非金属承载片的下表面形成封装体下表面；
[0016]S500：使得第五假片和第六假片的上表面完全露出，且第五假片和第六假片的上
表面用于引出电极。
[0017]另外，本公开还揭示了一种采用非金属承载片的封装工艺，包括如下步骤：
[0018]S110：在非金属承载片的上表面设置第一金属箔，并对所述第一金属箔实施图形转移；
[0019]S210：在所述第一金属箔的上表面的依次排列的第一区域至第四区域，分别焊接第一芯片、第二芯片/第二假片、第三芯片、第四芯片/第四假片，且所述第一芯片、第二芯片/第二假片、第三芯片、第四芯片/第四假片厚度一致，其中，所述第一区域至第四区域之间分别存在间隔；
[0020]S310：在第一芯片、第二芯片/第二假片、第三芯片、第四芯片/第四假片之上，分别焊接第五假片、第六假片、第七假片、第八假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第三芯片与第七假片的厚度之和构成的第三总厚度，第四芯片/第四假片与第八假片的厚度之和构成的第四总厚度，第一总厚度、第二总厚度、第三总厚度、以及第四总厚度一致；
[0021]S410：对以上整体采用封装胶进行塑封形成封装体，且第五假片、第六假片、第七假片、第八假片的上表面通过塑封树脂胶形成封装体上表面；相应的，所述非金属承载片的下表面形成封装体下表面；
[0022]S510：使得第五假片、第六假片、第七假片、第八假片的上表面完全露出，且所述第五假片、第六假片、第七假片、第八假片的上表面用于引出电极；
[0023]S610：连同所述非金属承载片一起，将所述封装体经由第二区域与第三区域之间切割成两部分封装体，其中，第一部分封装体包括：第一芯片、第二芯片/第二假片、第五假片、第六假片；第二部分封装体包括：第三芯片、第四芯片/第四假片、第七假片、第八假片。
[0024]通过上述技术方案，本公开实现了一种新型封装体及其工艺，其方案简单且有利于最大程度避免打线，并且可以整片一体焊接，因此生产效率更高，成本更低，而且封装之后甚至无需剥离承载片。
附图说明
[0025]图1-1为本公开一个实施例的结构示意图；
[0026]图1-2为本公开一个实施例的结构示意图；
[0027]图2-1为本公开另一个实施例的结构示意图；
[0028]图2-2为本公开另一个实施例的结构示意图；
[0029]图3-1为本公开另一个实施例的结构示意图；
[0030]图3-2为本公开另一个实施例的结构示意图；
[0031]图3-3为本公开另一个实施例的结构示意图；
[0032]其中，1表示承载片，2表示金属箔，3表示芯片，3
’
表示芯片/假片，4表示芯片/假片，4
’
表示芯片/假片上的另外的假片，6表示塑封树脂胶，7表示切割道，8表示表电极。
具体实施方式
[0033]下文是附图1-1至图3-3所示的本公开优选实施例的更为具体的说明，通过这些说明，本公开的特征和优点将显而易见。
[0034]参见图1-1，在一个实施例中，其揭示了一种采用非金属承载片的封装体，包括：
[0035]封装体底面，封装体顶面，封装体中的第一芯片，和封装体中的第二芯片/第二假片，其中，
[0036]所述封装体底面包括承载片，所述承载片为非金属材质；
[0037]所述承载片的上表面覆有第一金属箔；
[0038]所述第一金属箔之上焊接有所述第一芯片、以及焊接有所述第二芯片/第二假片，其中，所述第二芯片/第二假片与所述第一芯片间隔一定距离；
[0039]所述第一芯片之上焊接有第五假片，所述第二芯片/第二假片之上焊接有第六假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；并且，
[0040]所述第五假片、第六假片的上表面用于引出电极。
[0041]对于上述实施例而言，由于第一总厚度与第二总厚度一致，这就意味着：在封装工艺中，无需单颗芯片打线，所述承载片就能够因应单颗芯片与假片的平衡(例如图中第一芯片与第二假片的平衡)，或者第一芯片与第二芯片的平衡。也就是说，对于上述封装体，较传统工艺无需做打线流程，这显然能够使得封装更加简单，效率更高。需要说明的是，本公开所称的厚度一致包括厚度完全一致以及几乎一致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用非金属承载片的封装体，包括：封装体底面，封装体顶面，封装体中的第一芯片，和封装体中的第二芯片/第二假片，其中，所述封装体底面包括承载片，所述承载片为非金属材质；所述承载片的上表面覆有第一金属箔；所述第一金属箔之上焊接有所述第一芯片、以及焊接有所述第二芯片/第二假片，其中，所述第二芯片/第二假片与所述第一芯片间隔一定距离；所述第一芯片之上焊接有第五假片，所述第二芯片/第二假片之上焊接有第六假片，其中：对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；并且，所述第五假片、第六假片的上表面用于引出电极。2.根据权利要求1所述的封装体，其中，优选的，当第二芯片/第二假片与第一芯片通过第一金属箔呈电性导通时，所述电性导通经由对第一金属箔所实施的图形转移而实现。3.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述第二假片、第五假片、第六假片选择可焊接性金属导体。4.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述承载片的下表面覆有第二金属箔。5.根据权利要求1所述的封装体，其中，所述非金属材质包括如下任一：FR4材料、BT树脂材料、陶瓷材料、导热胶材料、可剥胶材料。6.根据权利要求1所述的封装体，其中，承载片上预先制作多层互联的电极结构。7.一种采用非金属承载片的封装工艺，包括如下步骤：S100：在非金属承载片的上表面设置第一金属箔，并对所述第一金属箔实施图形转移；S200：在所述第一金属箔的上表面的第一区域焊接第一芯片，以及在所述第一金属箔的上表面的第二区域焊接第二芯片/第二假片，其中，所述第一区域和第二区域之间间隔一定距离；S300：在第二芯片/第二假片、所述第一芯片之上，分别焊接第五假片和第六假片，其中，对于第一芯片与第五假片的厚度之和构成的第一总厚度，第二芯片/第二假片与第六假片的厚度之和构成的第二总厚度，第一总厚度与第二总厚度一致；S400：对以上整体采用封装胶进行塑封形成封装体，且第五假片、第六假片的上表面通过塑封树脂胶形成封装体上表面；相应的，所述非金属承载片的下表面形成封装体下表面；S500：使得第五假片和第六假片的上表面完全露出，且第五假片和第六假片的上表面用于引出电极。8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，沈正，张旭东，王成，
申请(专利权)人：深圳市环基实业有限公司，
类型：发明
国别省市：