【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装件及其制造方法相关申请的交叉引用要求于2018年10月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0126545的优先权,其公开内容以引用的方式全部合并于本文。
本专利技术构思涉及半导体器件封装件及其制造方法。
技术介绍
在制造半导体器件封装件的工艺中,为了保护安装在衬底上的半导体器件,通过模制工艺形成包封部分。在上述模制工艺中,夹具与衬底的表面接触以限定模制部分,并且液体的包封剂被注入到由夹具限定的模制部分中。通常,衬底受到与其接触的夹具的相对高的压力,这可能导致夹具区域中的衬底破裂。随着制造工艺的进步,衬底的厚度减小,这一问题更加严重。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一个方面,一种用于制造半导体器件封装件的方法包括:将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中,所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分,并且由透光材料形成;通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分;以及对所述模 ...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件封装件的方法,所述方法包括:/n将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中,所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分,并且由透光材料形成;/n通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分;以及/n对所述模制部分进行模制,以覆盖所述半导体器件。/n
【技术特征摘要】
20181023 KR 10-2018-01265451.一种用于制造半导体器件封装件的方法,所述方法包括:
将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中,所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分,并且由透光材料形成;
通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分;以及
对所述模制部分进行模制,以覆盖所述半导体器件。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中包括:
将粘合层涂覆到所述腔的底表面;以及
利用所述粘合层将所述衬底附着到所述腔的所述底表面。
3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,附着所述衬底包括:
将所述支撑部分的高度设置为等于或高于所述衬底的高度与所述粘合层的高度之和。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,限定所述模制部分包括:
将所述支撑部分的上表面和所述衬底的所述边缘区域按压成彼此共面。
5.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,所述衬底具有一个表面和与所述一个表面相对的另一表面,
所述一个表面通过所述粘合层附着到所述腔的底表面,并且
所述另一表面上安装有所述半导体器件。
6.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件封装件的方法,所述方法还包括:在对所述模制部分进行模制之后,使所述衬底脱粘以与所述载体衬底分离。
7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,所述粘合层由可光降解的材料形成,并且
在所述脱粘中,光通过所述载体衬底照射到所述粘合层上。
8.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,所述衬底的所述模制部分被限定在所述另一表面上。
9.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,所述透光材料包括玻璃、熔融硅石和熔融石英中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,所述侧壁与所述衬底的侧表面间隔开。
11.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法,其中,所述衬底是晶片和印刷电路板中的至少一种。
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【专利技术属性】
技术研发人员:高永权,许埈荣,姜芸炳,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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