半导体器件封装件及其制造方法技术

一种用于制造半导体器件封装件的方法包括：将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。

Semiconductor device package and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装件及其制造方法相关申请的交叉引用要求于2018年10月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0126545的优先权，其公开内容以引用的方式全部合并于本文。
本专利技术构思涉及半导体器件封装件及其制造方法。
技术介绍
在制造半导体器件封装件的工艺中，为了保护安装在衬底上的半导体器件，通过模制工艺形成包封部分。在上述模制工艺中，夹具与衬底的表面接触以限定模制部分，并且液体的包封剂被注入到由夹具限定的模制部分中。通常，衬底受到与其接触的夹具的相对高的压力，这可能导致夹具区域中的衬底破裂。随着制造工艺的进步，衬底的厚度减小，这一问题更加严重。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一个方面，一种用于制造半导体器件封装件的方法包括：将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。根据本专利技术构思的一个方面，一种用于制造半导体器件封装件的方法包括：将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述腔由沿着所述载体衬底的边缘突出的侧壁限定并且所述衬底容纳在所述腔中，所述载体衬底包括由透光材料形成的基体，所述侧壁的上表面形成与所述衬底的上表面基本平行的表面，并且所述侧壁的所述上表面的水平高度与所述衬底的水平高度相同或低于所述衬底的水平高度；通过使用限定要对所述衬底进行模制的区域的夹具，将所述侧壁的所述上表面和所述衬底的边缘区域按压成彼此共面，来限定所述衬底的模制部分；以及对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体器件封装件包括：衬底，所述衬底的一个表面上安装有至少一个半导体器件；以及模制部分，所述模制部分设置在所述衬底的所述一个表面上以覆盖所述半导体器件，其中，所述衬底具有位于中心部分中的腔，与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面，具有围绕所述腔的支撑部分，并容纳在位于由透光材料形成的载体衬底的中心中的所述腔中，并且所述模制部分设置在将由夹具限定的区域中，所述夹具将与所述一个表面和所述支撑部分接触。附图说明根据随后结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征以及其他优点，其中：图1是示出了根据示例实施例的制造半导体器件封装件的方法的流程图；图2至图7是示出了根据示例实施例的制造半导体器件封装件的方法的视图；图8示出了示例实施例的比较示例；以及图9至图12示出了根据示例实施例的在制造半导体器件封装件的方法中使用的载体衬底的各种修改。具体实施方式下文中，将参考附图详细描述本公开的示例实施例。图1是示出了根据示例实施例的制造半导体器件封装件的方法的流程图，图2至图7是示出了根据示例实施例的制造半导体器件封装件的方法的视图。参考图1，根据示例实施例的制造半导体器件封装件的方法包括：将衬底组件容纳在具有腔的载体衬底中(S100)；限定衬底组件的模制部分(S200)；对所容纳的衬底组件进行模制(S300)；以及将衬底组件与载体衬底分离(S400)。首先，可以执行将衬底组件200容纳在载体衬底100中的操作S100。图2示出了将衬底组件200容纳在载体衬底100中的工艺，图3示出了衬底组件200容纳在载体衬底100中。图4是沿着图3的线I-I'截取的视图。根据示例实施例的载体衬底100附着有衬底组件200，以处理衬底组件200，特别地，载体衬底100用作在处理期间支撑衬底组件200的支撑件。例如，载体衬底100可以用于在模制工艺中支撑衬底组件200，在模制工艺中，使用模具来包封安装在衬底组件200的表面上的半导体芯片220。通过在衬底210上安装或形成多个半导体芯片220来提供衬底组件200。衬底210可以是半导体晶片或印刷电路板(PCB)中的一种。然而，实施例不限于衬底210的这些示例，并且可以采用各种其他类型的衬底，只要它们能够在其上安装或形成半导体芯片220。同样，实施例不限于任何特定类型的半导体芯片220，只要这种类型的半导体芯片220能够安装或形成在衬底210上。参考图4，衬底210可以具有其上安装有半导体芯片220的上表面211和附着到载体衬底100的下表面212。凸块230附着到下表面212。衬底组件200可以包括沿厚度方向穿过其内部的多个通路电极，并且安装在上表面211上的半导体芯片220和下表面212中的凸块230可以通过多个通路电极彼此电连接。衬底210的边缘区域213是在用于对安装在衬底210的表面上的半导体芯片220进行模制的模制工艺中夹具接触衬底210的区域。在对安装在衬底组件200的表面上的半导体芯片220进行模制的模制工艺之前，衬底组件200附着到载体衬底100。这里，衬底组件200在执行模制工艺之前附着到载体衬底100，但是不必在紧接模制工艺之前的工艺中附着到载体衬底100。例如，衬底组件200可以在用于研磨衬底210以使得衬底组件200的厚度减小的较早的背研磨(backlap)工艺中附着到载体衬底100。衬底组件200可以通过设置在衬底210的下表面212上的粘合层G附着到载体衬底100。粘合层G可以通过将液体形式的粘合材料涂覆到腔120的底表面122上来形成，或者可以通过将膜形式的粘合材料附着到腔120的底表面122上来形成。粘合材料可以是可光降解的粘合剂，当光照射到其上时，其粘合力变弱。在示例实施例中，粘合层G可以通过涂覆可光降解的粘合剂来形成，当UV光照射到其上时，其粘合力变弱。因此，当UV光照射到粘合层G上时，粘合性变弱，因此衬底组件200可以从载体衬底100脱粘。参考图2和图4，载体衬底100可以包括腔120和基体110，在腔120中，衬底组件200的衬底210容纳在载体衬底100的中心部分中，基体110具有围绕腔120的支撑部分113。基体110具有第一表面111和与第一表面111相对的第二表面112，并且可以具有当从上方观察时为圆形的边缘115。如图3所示，边缘115可以具有圆形横截面130。基体110的第一表面111和第二表面112可以设置为平坦表面，并且第一表面111和第二表面112可以形成为基本上彼此平行。如图4所示，支撑部分113的高度H1可以布置成基本上等于衬底210和粘合层G的高度总和H2。基体110可以由透光材料形成，并且可以由包含例如玻璃、熔融硅石和熔融石英中的至少一种的材料形成。因此，当衬底组件200通过可光降解的粘合材料附着到载体衬底100时，光照射穿过基体110的第二表面112，因此，衬底组件200可以从载体衬底100脱粘。腔120设置在第一表面111的中心部分中，衬底组件200的衬底210容纳在腔120中。腔120的底表面122可以形成为具有平坦表面，并且第一表面111和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件封装件的方法，所述方法包括：/n将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；/n通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及/n对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。/n

【技术特征摘要】
20181023 KR 10-2018-01265451.一种用于制造半导体器件封装件的方法，所述方法包括：
将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；
通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及
对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。


2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中包括：
将粘合层涂覆到所述腔的底表面；以及
利用所述粘合层将所述衬底附着到所述腔的所述底表面。


3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，附着所述衬底包括：
将所述支撑部分的高度设置为等于或高于所述衬底的高度与所述粘合层的高度之和。


4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，限定所述模制部分包括：
将所述支撑部分的上表面和所述衬底的所述边缘区域按压成彼此共面。


5.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，所述衬底具有一个表面和与所述一个表面相对的另一表面，
所述一个表面通过所述粘合层附着到所述腔的底表面，并且
所述另一表面上安装有所述半导体器件。


6.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件封装件的方法，所述方法还包括：在对所述模制部分进行模制之后，使所述衬底脱粘以与所述载体衬底分离。


7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，所述粘合层由可光降解的材料形成，并且
在所述脱粘中，光通过所述载体衬底照射到所述粘合层上。


8.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，所述衬底的所述模制部分被限定在所述另一表面上。


9.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，所述透光材料包括玻璃、熔融硅石和熔融石英中的至少一种。


10.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，所述侧壁与所述衬底的侧表面间隔开。


11.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件封装件的方法，其中，所述衬底是晶片和印刷电路板中的至少一种。


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【专利技术属性】
技术研发人员：高永权，许埈荣，姜芸炳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR