基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使在设有基板冷却工序的情况下也能够抑制生产率降低的电磁波处理技术。具有对基板进行加热的处理室、使由所述处理室加热的基板冷却的冷却室、以及输送所述基板的基板输送部，利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比搬入所述冷却室的基板的个数多。

Manufacturing method and procedure of substrate processing device and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序
本专利技术涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序。
技术介绍
作为半导体装置(半导体器件)的制造工序中的一种工序，例如是利用加热装置对处理室内的基板进行加热并使形成于基板表面的薄膜中的成分或晶体结构变化、或者对所形成的薄膜内的晶体缺陷等进行修复的退火处理等改性处理。近年来的半导体器件的精密化、高集成化程度进一步提高，相应地要求进行改性处理以获得形成有具有较高纵横比的图案的高密度的基板。作为获得这种高密度基板的改性处理方法有利用电磁波的热处理方法。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015－070045号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题就现有的利用电磁波的处理而言，由于需要设置使经热处理加热为高温的基板在处理室内冷却的冷却工序而有可能导致生产率降低。本专利技术的目的在于提供一种即使在设有基板冷却工序的情况下也能够抑制生产率降低的电磁波处理技术。用于解决课题的方案根据本专利技术的一个方案，提供如下一种技术，具备对基板进行加热的处理室、使经所述处理室加热的基板冷却的冷却室、以及输送所述基板的基板输送部，利用所述基板输送部搬入至所述处理室的所述基板的个数比利用所述基板输送部搬入至所述冷却室的基板的个数多。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种即使在设有基板冷却工序的情况下也能够抑制生产率降低的电磁波处理技术。附图说明图1是以处理炉的位置来表示本专利技术实施方式所适用的基板处理装置的概要结构的纵剖视图。图2是表示本专利技术实施方式所适用的基板处理装置的概要结构的横剖视图。图3是以纵剖视图来表示本专利技术实施方式所适用的基板处理装置的处理炉部分的概要结构图。图4是以冷却室的位置来表示本专利技术实施方式所适用的基板处理装置的概要结构的纵剖视图。图5(A)是示意地表示将晶圆向冷却室输送的方法的图。图5(B)是示意地表示将完成了冷却的晶圆从冷却室搬出的方法的图。图6是表示本专利技术实施方式所适用的输送室的吹扫气体循环结构的图。图7是本专利技术所适用的基板处理装置的控制器的概要结构图。图8是表示本专利技术的基板处理的流程的图。图9(A)是表示通过处理室的闸阀开放而使输送室内的压力降低时的各部的控制内容的图。图9(B)是表示通过处理室的闸阀开放而使输送室内的压力升高时的各部的控制内容的图。具体实施方式＜本专利技术的一个实施方式＞以下参照附图对本专利技术的一个实施方式进行说明。(1)基板处理装置的结构在本实施方式中说明的本专利技术的基板处理装置100构成为可对一个或多个晶圆实施各种热处理的单片式热处理装置，且为进行后述的利用电磁波的退火处理(改性处理)的装置。在本实施方式的基板处理装置100中，使用FOUP(FrontOpeningUnifiedPod(前开式晶圆传送盒)：以下称为晶盒)110作为将作为基板的晶圆200收纳于内部的收纳容器(载器)。晶盒110也用作将晶圆200在各种基板处理装置间输送的输送容器。如图1和图2所示，基板处理装置100具备：内部具有输送晶圆200的输送室(输送区)203的输送框体(框体)202；设置于输送框体202的侧壁并在内部分别具有对晶圆200进行处理的处理室201-1、201-2的作为后述的处理容器的壳体102-1、102-2。并且，在处理室201-1、201-2之间设置有形成后述的冷却室204的冷却壳体(冷却容器、冷却框体)109。在输送室203的框体前侧即图1所示的右侧(图2所示的下侧)配置有作为晶盒开闭机构的加载口单元(LP)106，用于开闭晶盒110的盖以及向输送室203输送晶圆200或搬出。加载口单元106具备框体106a、载台106b、以及开启器106c，载台106b载置晶盒110并构成为可使晶盒110接近在输送室203的框体前方形成的基板搬入搬出口134，并利用开启器106c使设置于晶盒110的未图示的盖开闭。并且，加载口单元106可以具有利用N2气体等的吹扫气体来对晶盒110内部进行吹扫的功能。并且，框体202具有用于使N2等吹扫气体在输送室203内循环的后述的吹扫气体循环结构。在输送室203的框体202后侧即图1所示的左侧(图2所示的上侧)分别配置有对处理室201-1、201-2进行开闭的闸阀(GV)205-1、205-2。在输送室203设有移载机125，该移载机125是对晶圆200进行移载的基板移载机构(基板移载机器人、基板输送部)。移载机125构成为包括：作为载置晶圆200的载置部的夹钳(手臂)125a-1、125a-2；能够使夹钳125a-1、125a-2各自在水平方向上进行旋转或直线移动的移载装置125b；以及使移载装置125b升降的移载装置升降器125c。并构成为能够通过夹钳125a-1、125a-2、移载装置125b、移载装置升降器125c的连续动作来进行晶圆200相对于后述的基板保持件217、冷却室204、晶盒110的装填(加载)或取下(卸载)。以下在不需要将壳体102-1、102-2、处理室201-1、201-2、夹钳125a-1和125a-2特意区别来进行说明的情况下，仅以壳体102、处理室201、夹钳125a来进行说明。夹钳125a-1为普通铝材，可用于低温和常温的晶圆的输送。夹钳125a-2耐热性较高，是导热率差的铝或石英部件等材质，可以用于高温和常温的晶圆的输送。即，夹钳125a-1是低温用的基板输送部，夹钳125a-2是高温用的基板输送部。高温用的夹钳125a-2例如可以构成为具有100℃以上、优选为200℃以上的耐热性。可以在低温用夹钳125a-1上设置映射传感器。通过在低温用夹钳125a-1上设置映射传感器，从而能够确认加载口单元106内的晶圆200的个数、确认反应室201内的晶圆200的个数、确认冷却室204内的晶圆200的个数。在本实施方式中，说明了夹钳125a-1为低温用的夹钳、夹钳125a-2为高温用的夹钳的情况，但是不限于此。也可以是，夹钳125a-1的耐热性较高，由导热率差的铝或石英部件等材质构成，用于高温和常温的晶圆的输送；夹钳125a-2由普通铝材构成，用于低温和常温的晶圆的输送。并且也可以是，夹钳125a-1、125a-2双方都耐热性较高，由导热率差的铝或石英部件等材质构成。(处理炉)在图1所示的虚线包围的区域A构成了具有如图3所示的基板处理结构的处理炉。如图2所示，在本实施方式中设置有多个处理炉，但是由于处理炉的结构相同而仅对其中之一的结构进行说明并省略对其它处理炉的结构的说明。如图3所示，处理炉具有作为腔室(处理容器)的壳体102，该壳体102由金属等反射电磁波的材料构成。并且，由金属材料构成的盖帽凸缘(封闭板)104构成为能够经由作为封止部件(密封部件)的O型环(未图示)封闭壳体102的上端。主要地由壳体102和盖帽凸缘104的内侧空间构成了对硅晶圆等基板进行处理的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：/n处理室，其对基板进行加热；/n冷却室，其冷却由所述处理室加热的基板；以及/n基板输送部，其输送所述基板，/n利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比搬入所述冷却室的所述基板的个数多。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行加热；
冷却室，其冷却由所述处理室加热的基板；以及
基板输送部，其输送所述基板，
利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比搬入所述冷却室的所述基板的个数多。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板输送部具有：对高温的基板进行输送的至少一个高温用基板输送部；以及对低温的基板进行输送的至少一个低温用基板输送部，
在向所述处理室搬入所述低温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部和所述低温用基板输送部将所述低温的基板搬入所述处理室，
在向所述冷却室搬入所述高温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部将所述高温的基板搬入所述冷却室。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
至少设置有两个所述处理室，
具备以下结构：所述冷却室设置在所述处理室之间，所述冷却室冷却由所述处理室加热的所述基板的个数的至少两倍的所述基板。


4.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行加热；以及
基板输送部，其向所述处理室输送所述基板，
利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比从所述处理室搬出的所述基板的个数多。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板输送部具有：对高温的基板进行输送的至少一个高温用基板输送部；以及对低温的基板进行输送的至少一个低温用基板输送部，
在向所述处理室搬入所述低温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部和所述低温用基板输送部将所述低温的基板搬入所述处理室，
在从所述处理室搬出所述高温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部将所述高温的基板从所述处理室搬出。


6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
具有冷却室，该冷却室冷却由所述处理室加热的所述基板，
利用所述基板输送部搬出的由所述冷却室冷却的所述基板的个数比向所述冷却室搬入的由所述处理室处理的所述基板的个数多。


7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板输送部具有：对高温的基板进行输送的至少一个高温用基板输...

【专利技术属性】
技术研发人员：广地志有，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP