【技术实现步骤摘要】
存储器失效点的定位方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器失效点的定位方法。
技术介绍
随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3DNAND(三维NAND)存储器；随着集成度的越来越高，3DNAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。对设计和制造后的存储器进行失效分析是提高存储器产率、改善工艺技术可靠性和稳定性的重要手段。但是，现有的失效分析方法在定位失效点时准确度较低，严重降低了失效分析工作的成功率。因此，如何提高三维存储器失效分析过程中失效点定位的准确度，改善失效分析的工作效率，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种存储器失效点的定位方法，其能够提高失效点定位准确度。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种存储器失效点的定位方法，其包括如下步骤：初步定位...
【技术保护点】
1.一种存储器失效点的定位方法，其特征在于，包括如下步骤：/n初步定位失效点，获得失效点的初始位置；/n将失效点的初始位置所在区域标定为目标区域；/n去除所述目标区域表面的金属层；/n再次定位失效点，获得失效点的最终位置。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器失效点的定位方法，其特征在于，包括如下步骤：
初步定位失效点，获得失效点的初始位置；
将失效点的初始位置所在区域标定为目标区域；
去除所述目标区域表面的金属层；
再次定位失效点，获得失效点的最终位置。
2.根据权利要求1所述的存储器失效点的定位方法，其特征在于，在初步定位失效点的步骤中，采用激光定位的方法定位所述失效点。
3.根据权利要求1所述的存储器失效点的定位方法，其特征在于，将失效点的初始位置所在区域标定为目标区域的方法为：
对失效点的初始位置所在区域表面进行标记，以将其与不具有失效点的区域进行区分。
4.根据权利要求3所述的存储器失效点的定位方法，其特征在于，对失效点的初始位置所在区域表面进行物理或者化学处理，以对失效点的初始位置所在区域表面进行标记。
5.根据权利要求3所述的存储器失效点的定位方法，其特征在于，对失效点的初始位置所在区域表面进行激光轰击，该区域表面的介质层...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐静，王君易，刘慧丽，卜丽丽，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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