eMMC量产测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种eMMC量产测试方法，该eMMC量产测试方法包括：通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果；根据所述读写测试结果，判定是否对Nand Flash进行老化测试，并记录老化测试结果；根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC。本发明专利技术eMMC量产测试方法能够在不影响量产效率的前提下，增加对于SRAM的读写测试，以提高eMMC产品的出厂质量。此外，本发明专利技术还公开一种eMMC量产测试装置。

EMMC mass production test method and device

【技术实现步骤摘要】
eMMC量产测试方法及装置
本专利技术涉及存储器件
，具体涉及一种eMMC量产测试方法及装置。
技术介绍
eMMC(EmbeddedMultiMediaCard)是MCC协会针对手机或平板电脑等电子产品订立的内嵌式存储器标准规格，eMMC的主要组成为控制器、快闪存储器(NandFlash)及静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)，在控制器中配置有固件，通过该固件可控制eMMC的运行过程。众所周知，eMMC的固件算法及数据交互都是在SRAM上运行的，如果SRAM出现错误，比如对SRAM某个位置写0或写1不会改变原有数据，将会造成eMMC数据的永久性丢失，并且无法通过固件算法进行纠正。然而，对于eMMC量产测试其针对的是NandFlash的坏块筛选，而并未针对SRAM进行测试。由于未针对SRAM进行测试，因此会导致eMMC在后续使用中出现算法或数据错误，从而降低eMMC的产品质量。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提出一种eMMC量产测试方法，以解决现有的eMMC在量产过程中因未针对SRAM进行测试而导致产品质量低的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提出一种eMMC量产测试方法，该eMMC量产测试方法包括：通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果；根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果；根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC。优选地，所述通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果包括：在每次写入数据后，读出写入在所述SRAM内的数据；将所述读出数据与所述写入数据进行比对，若所述读出数据与所述写入数据不一致，则判定所述SRAM存在读写错误；在判定所述SRAM存在读写错误后，停止对所述SRAM继续进行读写测试。优选地，所述根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果包括：若所述SRAM存在读写错误，则不对所述NandFlash进行老化测试，并设定所述老化测试结果为失败；若所述SRAM不存在读写错误，则对所述NandFlash进行老化测试。优选地，所述根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC包括：将所述SRAM或所述NandFlash出错的eMMC判定为不合格，并显示对应的错误代码；将所述SRAM和所述NandFlash均未出错的eMMC判定为合格。优选地，在所述根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果的步骤之后，所述eMMC量产测试方法还包括：再次对所述SRAM进行读写测试，并通过固件在每次读写测试之前更改VCQQ的电压值，记录读写测试结果。本专利技术还提出一种eMMC量产测试装置，该eMMC量产测试装置包括：第一读写测试模块，用于通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果；老化测试模块，用于根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果；eMMC筛选模块，用于根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC。优选地，所述第一读写测试模块包括：数据读出单元，用于在每次写入数据后，读出写入在所述SRAM内的数据；数据比对单元，用于将所述读出数据与所述写入数据进行比对，若所述读出数据与所述写入数据不一致，则判定所述SRAM存在读写错误；测试停止单元，用于在判定所述SRAM存在读写错误后，停止对所述SRAM继续进行读写测试。优选地，所述老化测试模块包括：第一判定单元，用于若所述SRAM存在读写错误，则不对所述NandFlash进行老化测试，并设定所述老化测试结果为失败；第二判定单元，用于若所述SRAM不存在读写错误，则对所述NandFlash进行老化测试。优选地，所述eMMC筛选模块包括：第三判定单元，用于将所述SRAM或所述NandFlash出错的eMMC判定为不合格，并显示对应的错误代码；第四判定单元，用于将所述SRAM和所述NandFlash均未出错的eMMC判定为合格。优选地，所述eMMC量产测试装置还包括：第二读写测试模块，用于再次对所述SRAM进行读写测试，并通过固件在每次读写测试之前更改VCQQ的电压值，记录读写测试结果。本专利技术实施例的有益效果在于：在eMMC量产的原始坏块筛选流程中烧录固件，通过该固件控制SRAM进行读写测试，以将SRAM错误的eMMC筛选出，避免eMMC在后续使用时出现数据校准错误，从而提高eMMC的产品质量。附图说明图1为本专利技术eMMC量产测试方法第一实施例的流程图；图2为本专利技术eMMC量产测试方法第二实施例的流程图；图3为本专利技术eMMC量产测试方法第三实施例的流程图；图4为本专利技术eMMC量产测试方法第四实施例的流程图；图5为本专利技术eMMC量产测试方法第五实施例的流程图；图6为本专利技术eMMC量产测试装置一实施例的功能模块图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为解决上述技术问题，本专利技术提出一种eMMC量产测试方法，参见图1，该eMMC量产测试方法包括：步骤S10，通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果；本实施例中，eMMC产线的生产流程主要有原始坏块筛选、烘烤老化及固件烧录三个阶段，原始坏块筛选指的是对NandFlash中坏块的筛选，而烘烤老化则指的是对NandFlash中不稳定块的筛选。其中，坏块(Badblock)指的是eMMC存储器件中一些不能正常工作的块，原始坏块是出厂的时候就存在的块，而不稳定块是在使用时不稳定的块。原始坏块筛选、NandFlash烘烤老化及SRAM读写测试都是通过固件去控制的，而在现有的eMMC量产过程中，是不存在对于SRAM的读写测试的，本专利技术通过修改固件以达到对SRAM进行读写测试的目的。需要说明的是，固件是指运行在硬件上的计算机程序，用于控制eMMC的原始坏块筛选、NandFlash烘烤老化及SRAM读写测试。在原始坏块筛选的测试阶段，增加对于SRAM的读写测试，并记录SRAM读写测试的结果，以确认该eMMC是否存在SRAM错误。由于SRAM的内存大小不会太大，其数据校准时间较短，因此在eMMC的量产过程中增加对于SRAM的读写测试，并不会对eMMC的量产效率产生较大的影响。此外，对于单个eMMC的SRAM测试可进行多次，以确保读写测试的准确性，比如，可通过固件对SRAM进行四次读写测试，四次读写测试的数据模板分别为0x00、0xFF、0x55、0xAA。本实施例中，对于SRAM读写测试结果本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种eMMC量产测试方法，其特征在于，包括：/n通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果；/n根据所述读写测试结果，判定是否对Nand Flash进行老化测试，并记录老化测试结果；/n根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC。/n

【技术特征摘要】
1.一种eMMC量产测试方法，其特征在于，包括：
通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果；
根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果；
根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC。


2.根据权利要求1所述的eMMC量产测试方法，其特征在于，所述通过固件对SRAM进行读写测试，并记录读写测试结果包括：
在每次写入数据后，读出写入在所述SRAM内的数据；
将所述读出数据与所述写入数据进行比对，若所述读出数据与所述写入数据不一致，则判定所述SRAM存在读写错误；
在判定所述SRAM存在读写错误后，停止对所述SRAM继续进行读写测试。


3.根据权利要求1所述的eMMC量产测试方法，其特征在于，所述根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果包括：
若所述SRAM存在读写错误，则不对所述NandFlash进行老化测试，并设定所述老化测试结果为失败；
若所述SRAM不存在读写错误，则对所述NandFlash进行老化测试。


4.根据权利要求1所述的eMMC量产测试方法，其特征在于，所述根据所述老化测试结果，筛选出错的eMMC包括：
将所述SRAM或所述NandFlash出错的eMMC判定为不合格，并显示对应的错误代码；
将所述SRAM和所述NandFlash均未出错的eMMC判定为合格。


5.根据权利要求1所述的eMMC量产测试方法，其特征在于，在所述根据所述读写测试结果，判定是否对NandFlash进行老化测试，并记录老化测试结果的步骤之后，所述eMMC量产测试方法还包括：
再次对所述SRAM进行读写测试，并通过固件在每次读写测试之前更改VCQQ的电压值，记录读写测...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶欣，张翔，黄裕全，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44