【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及计算机存储，尤其涉及一种闪存阈值电压分布图绘制方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、随着工艺技术的不断扩展、堆叠层数和存储密度的增加，各种干扰对闪存的可靠性和性能提出了巨大的挑战。当前，为缓解可靠性和性能问题，以阈值电压分布模型为骨干，提出了更强的纠错码和自适应读取策略等。但此类技术需要深入了解闪存中的阈值电压分布，现有的闪存阈值电压分布获取技术已无法满足工艺技术发展的需求。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种闪存阈值电压分布图绘制方法、装置、设备及介质。
2、本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本申请提供了一种闪存阈值电压分布图绘制方法，包括：
4、根据闪存页的类型确定所述闪存页的单元格对应的读电压，根据所述读电压确定单元格阈值电压和所述单元格阈值电压对应的编码；
5、从所述闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，根据编码依次对所述存储文件中存储的所述原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态；
6、根据所述编程态计算每个所述单元格的默认读电压位置，根据所述默认读电压位置确定阈值读电压；
7、统计每个所述阈值读电压对应的所述单元格数量，根据所述阈值电压和所述单元格数量绘制阈值电压分布图。
8、一种实施方式中，所述根据闪存页的类型确定所述闪存页的单元格对应的读电压，根据所述读电压确定单元格阈值，根据所述单元格阈值计
9、根据所述闪存页的类型，确定所述闪存页对应的读电压数量；
10、根据所述读电压数量对阈值区间进行划分，根据划分结果得到多个单元格阈值电压；
11、对多个所述单元格阈值电压进行排序，根据排序结果确定每个所述阈值电压对应的编码。
12、一种实施方式中，所述根据排序结果确定每个所述阈值电压对应的编码，包括：
13、判断每个所述阈值电压是否低于所述读电压；
14、若所述阈值电压低于所述读电压，则将所述阈值电压确定为第一编码；
15、若所述阈值电压高于所述读电压，则将所述阈值电压确定为第二编码。
16、一种实施方式中，所述从所述闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，包括：
17、设置n种读取偏移量，每次按照一种所述读取偏移量对所述闪存页中的字线进行读取，得到n种读取数据，将同一种所述读取偏移量下的所述读取数据存储到同一个所述存储文件中，得到n个所述存储文件。
18、一种实施方式中，所述根据每种所述阈值电压对应的编码，对所述存储文件中存储的所述原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态，包括：
19、从同一个所述存储文件的低页、中页和高页中依次各获取一个字节的所述原始存储数据；
20、根据每个所述原始存储数据对应的编码，得到多个字节单元格对应的编程态；
21、将n个所述存储文件依次进行解析，得到所有单元格对应的编程态。
22、一种实施方式中，所述根据所述编程态计算每个所述单元格的默认读电压位置，根据所述默认读电压位置确定阈值读电压，包括：
23、判断所述读电压扫描所述单元格时，所述单元格对应的编程态是否发生跳变；
24、若发生跳变，则将所述读电压作为跳变读电压，根据所述跳变读电压和初始读电压的相对距离，确定所述默认读电压位置；
25、将所述跳变读电压作为阈值读电压和默认读电压的相对读电压，根据所述相对读电压的平均值作为所述阈值读电压。
26、一种实施方式中，所述据所述阈值电压和所述单元数组数量绘制阈值电压分布图，包括：
27、将所述阈值电压作为横坐标，将每个所述阈值电压对应的所述单元数组数量作为纵坐标，绘制所述阈值电压分布图。
28、第二方面，本申请提供了一种闪存阈值电压分布图绘制装置，包括：
29、计算模块，用于根据闪存页的类型确定所述闪存页的单元格对应的读电压，根据所述读电压确定单元格阈值电压和所述单元格阈值电压对应的编码；
30、解析模块，用于从所述闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，根据编码依次对所述存储文件中存储的所述原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态；
31、确定模块，用于根据所述编程态计算每个所述单元格的默认读电压位置，根据所述默认读电压位置确定阈值读电压；
32、绘制模块，用于统计每个所述阈值读电压对应的所述单元格数量，根据所述阈值电压和所述单元格数量绘制阈值电压分布图。
33、第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器用于执行所述计算机程序以实施如第一方面所述的闪存阈值电压分布图绘制方法。
34、第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时，实现如第一方面所述的闪存阈值电压分布图绘制方法。
35、本专利技术的实施例具有如下有益效果：
36、本专利技术提供的闪存阈值电压分布图绘制方法，通过闪存页对应的读电压确定阈值电压对应的编码，然后将闪存页的原始存储数据转换成单元格的编码态，根据编码态确定阈值电压，从而完成阈值电压分布图的绘制，使得绘制结果更加准确，使用户可以更清楚的了解阈值电压的分布。
37、为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
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1.一种闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据闪存页的类型确定所述闪存页的单元格对应的读电压，根据所述读电压确定单元格阈值电压和所述单元格阈值电压对应的编码，包括：
3.根据权利要求2所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据排序结果确定每个所述单元格阈值电压对应的编码，包括：
4.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述从所述闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，包括：
5.根据权利要求4所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据所述编码依次对所述存储文件中存储的所述原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态，包括：
6.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据所述编程态计算每个所述单元格的默认读电压位置，根据所述默认读电压位置确定阈值读电压，包括：
7.根据权利要求6所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据所述阈值电压
8.一种闪存阈值电压分布图绘制装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器用于执行所述计算机程序以实施如权利要求1至7中任意一项所述的闪存阈值电压分布图绘制方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时，实现如权利要求1至7中任意一项所述的闪存阈值电压分布图绘制方法。
...【技术特征摘要】
1.一种闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据闪存页的类型确定所述闪存页的单元格对应的读电压，根据所述读电压确定单元格阈值电压和所述单元格阈值电压对应的编码，包括：
3.根据权利要求2所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据排序结果确定每个所述单元格阈值电压对应的编码，包括：
4.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述从所述闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，包括：
5.根据权利要求4所述的闪存阈值电压分布图绘制方法，其特征在于，所述根据所述编码依次对所述存储文件中存储的所述原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态，包括：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，何瀚，王灿，周彭全，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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