【技术实现步骤摘要】
一种OpenBlock测试装置、方法及系统
本专利技术涉及NandFlash芯片测试领域,具体涉及NandFlash芯片的OpenBlock测试装置、方法及系统。
技术介绍
NandFlash具有容量大,读写速度快,价格相对低廉等优点,在一些嵌入式产品、U盘、特别是SSD中得到大量应用。但是NandFlash由于自身原理、制作工艺等存在一些固有的特性,如位反转、读干扰、写干扰等,所以写入NandFlash的数据,再读出来时会和写入的数据有一定差异,即BER(BitErrorRate,误码率)。BER在一定范围之内是可以接受的,实际使用中Nand控制程序会有一套完整的纠错校验机制,但是如果BER太高,超出了纠错模块的纠错能力,则保存的数据很有可能会失效,造成数据丢失。另外,在实际使用中一些使用场景会加速Nand一些特性的表现,造成BER升高,比如openblock,block在open状态下在很短的时间内可能BER就会升到很高,以至于校验失败,所以为了数据的安全,很有必要对openblock状态下BER的变化情况及规律进行测试。目前,在NandFlash应用中,对openblock的测试比较少;为了避免openblock的出现,大部分厂商会一次性写满一个block,当数据不足时会填充dummydata,但是这种使用不是很灵活,有时候会造成存储空间的浪费。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供一种OpenBlock测试装置、方法及系统,提供Block在Open状态下BER随时间的变化趋 ...
【技术保护点】
1.一种Open Block测试装置,其特征在于,包括测试主机和至少一个测试板卡;/n测试板卡上设置有测试控制器、Nand Flash芯片、温控部件;所述Nand Flash芯片、温控部件分别与测试控制器电连接;/n测试控制器与测试主机通信。/n
【技术特征摘要】
1.一种OpenBlock测试装置,其特征在于,包括测试主机和至少一个测试板卡;
测试板卡上设置有测试控制器、NandFlash芯片、温控部件;所述NandFlash芯片、温控部件分别与测试控制器电连接;
测试控制器与测试主机通信。
2.根据权利要求1所述的OpenBlock测试装置,其特征在于,所述温控部件包括温度控制器、测温探头、加热片、风扇和外壳,所述测温探头、加热片、风扇设置在外壳内,外壳扣合在NandFlash芯片处;
测温探头、加热片、风扇分别与温度控制器电连接;温度控制器与测试控制器电连接。
3.根据权利要求1或2所述的OpenBlock测试装置,其特征在于,NandFlash芯片通过插接座插接在测试板卡上。
4.根据权利要求1或2所述的OpenBlock测试装置,其特征在于,测试板卡上还设置有网口,测试控制器通过网线与测试主机通信。
5.一种OpenBlock测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节NandFlash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对NandFlash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果。
6.根据权利要求5所述的OpenBlock测试方法,其特征在于,测试主机端具体执行以下步骤:
S101,与测试控制器建立连接;
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
S103,下发温控命令至测试控制器;
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
S112,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
7.根据权利要求6所述的OpenBlock测试方法,其特征在于,测试控制器端具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
S202,接收温控命令;
S203,控制温...
【专利技术属性】
技术研发人员:李栋,
申请(专利权)人:苏州浪潮智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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